單向晶閘管的結(jié)構(gòu)、符號
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單向晶閘管的基本結(jié)構(gòu)與符號如圖1 所示。它屬于四層結(jié)構(gòu)，最外的P 層引出的電極為陽極A，最外的N 層引出的電極為陰極K，中間的P 層引出的電極為控制極G。
晶閘管的伏安特性曲線如圖2所示。
圖1 單向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號
可控硅相關(guān)文章:可控硅工作原理
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單向晶閘管的基本結(jié)構(gòu)與符號如圖1 所示。它屬于四層結(jié)構(gòu)，最外的P 層引出的電極為陽極A，最外的N 層引出的電極為陰極K，中間的P 層引出的電極為控制極G。
晶閘管的伏安特性曲線如圖2所示。
圖1 單向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號
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