PN結(jié)的形成

在一塊完整的硅片上，用不同的摻雜工藝使其一邊形成N型半導(dǎo)體，另一邊形成P型半導(dǎo)體，那么在兩種半導(dǎo)體的交界面附近就形成了PN結(jié)。PN結(jié)是構(gòu)成各種半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。

在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合后，由于N型區(qū)內(nèi)電子很多而空穴很少，而P型區(qū)內(nèi)空穴很多電子很少，在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差別。這樣，電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴(kuò)散。于是，有一些電子要從N型區(qū)向P型區(qū)擴(kuò)散，也有一些空穴要從P型區(qū)向N型區(qū)擴(kuò)散。它們擴(kuò)散的結(jié)果就使P區(qū)一邊失去空穴，留下了帶負(fù)電的雜質(zhì)離子,N區(qū)一邊失去電子，留下了帶正電的雜質(zhì)離子。半導(dǎo)體中的離子不能任意移動(dòng)，因此不參與導(dǎo)電。這些不能移動(dòng)的帶電粒子在P和N區(qū)交界面附近，形成了一個(gè)很薄的空間電荷區(qū)，就是所謂的PN結(jié)?？臻g電荷區(qū)有時(shí)又稱為耗盡區(qū)。擴(kuò)散越強(qiáng)，空間電荷區(qū)越寬。

在出現(xiàn)了空間電荷區(qū)以后，由于正負(fù)電荷之間的相互作用，在空間電荷區(qū)就形成了一個(gè)內(nèi)電場，其方向是從帶正電的N區(qū)指向帶負(fù)電的P區(qū)。顯然，這個(gè)電場的方向與載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的方向相反，它是阻止擴(kuò)散的。

另一方面，這個(gè)電場將使N區(qū)的少數(shù)載流子空穴向P區(qū)漂移，使P區(qū)的少數(shù)載流子電子向N區(qū)漂移，漂移運(yùn)動(dòng)的方向正好與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的方向相反。從N區(qū)漂移到P區(qū)的空穴補(bǔ)充了原來交界面上P區(qū)所失去的空穴，從P區(qū)漂移到N區(qū)的電子補(bǔ)充了原來交界面上N區(qū)所失去的電子，這就使空間電荷減少，因此，漂移運(yùn)動(dòng)的結(jié)果是使空間電荷區(qū)變窄。

當(dāng)漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)相等時(shí)，PN結(jié)便處于動(dòng)態(tài)平衡狀態(tài)。

二、PN結(jié)的正向?qū)щ娦?/P>

當(dāng)PN結(jié)加上外加正向電壓，即電源的正極接P區(qū)，負(fù)極接N區(qū)時(shí)，外加電場與PN結(jié)內(nèi)電場方向相反。在這個(gè)外加電場作用下，PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破，P區(qū)中的多數(shù)載流子空穴和N區(qū)中的多數(shù)載流子電子都要向PN結(jié)移動(dòng)，當(dāng)P區(qū)空穴進(jìn)入PN結(jié)后，就要和原來的一部分負(fù)離子中和，使P區(qū)的空間電荷量減少。同樣，當(dāng)N區(qū)電子進(jìn)入PN結(jié)時(shí)，中和了部分正離子，使N區(qū)的空間電荷量減少，結(jié)果使PN結(jié)變窄，即耗盡區(qū)由厚變薄，由于這時(shí)耗盡區(qū)中載流子增加，因而電阻減小。勢(shì)壘降低使P區(qū)和N區(qū)中能越過這個(gè)勢(shì)壘的多數(shù)載流子大大增加，形成擴(kuò)散電流。在這種情況下，由少數(shù)載流了形成的漂移電流，其方向與擴(kuò)散電流相反，和正向電流比較，其數(shù)值很小，可忽略不計(jì)。這時(shí)PN結(jié)內(nèi)的電流由起支配地位的擴(kuò)散電流所決定。在外電路上形成一個(gè)流入P區(qū)的電流，稱為正向電流。當(dāng)外加電壓稍有變化（如O.1V），便能引起電流的顯著變化，因此電流是隨外加電壓急速上升的。 這時(shí)，正向的PN結(jié)表現(xiàn)為一個(gè)很小的電阻。

三、PN結(jié)的反向?qū)щ娦?/P>

當(dāng)PN結(jié)外加反向電壓，即電源的正極接N區(qū)，負(fù)極接P區(qū)。外加電場方向與PN結(jié)內(nèi)電場方向相同，PN結(jié)處于反向偏置。在反向電壓的作用下，P區(qū)中的空穴和N區(qū)中的電子都將進(jìn)一步離開PN結(jié)，使耗盡區(qū)厚度加寬，PN結(jié)的內(nèi)電場加強(qiáng)。這一結(jié)果，一方面使P區(qū)和N區(qū)中的多數(shù)載流子就很難越過勢(shì)壘，擴(kuò)散電流趨近于零。另一方面，由于內(nèi)電場的加強(qiáng)，使得N區(qū)和P區(qū)中的少數(shù)載流子更容易產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng)。這樣，流過PN結(jié)的電流由起支配地位的漂移電流所決定。漂移電流表現(xiàn)在外電路上有一個(gè)流入N區(qū)的反向電流IR。由于少數(shù)載流子是由本征激發(fā)產(chǎn)生的，其濃度很小，所以IR是很微弱的，一般為微安數(shù)量級(jí)。當(dāng)管子制成后，IR數(shù)值決定于溫度，而幾乎與外加電壓無關(guān)。IR受溫度的影響較大，在某些實(shí)際應(yīng)用中，還必須予以考慮。

PN結(jié)在反向偏置時(shí)，IR很小，PN結(jié)呈現(xiàn)一個(gè)很大的電阻，可認(rèn)為它基本是不導(dǎo)電的。

四、PN結(jié)的伏安特性

PN結(jié)的伏安特性（外特性）如圖所示，它直觀形象地表示了PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?/P>

當(dāng)PN結(jié)外加反相電壓|vD|小于擊穿電壓（VBR）時(shí)，iD≈–IS。IS很小且隨溫度變化。當(dāng)反向電壓的絕對(duì)值達(dá)到|VBR|后，反向電流會(huì)突然增大，此時(shí)PN結(jié)處于“反向擊穿”狀態(tài)。發(fā)生反向擊穿時(shí)，在反向電流很大的變化范圍內(nèi)，PN結(jié)兩端電壓幾乎不變。

反向擊穿分為電擊穿和熱擊穿，電擊穿包括雪崩擊穿和齊納擊穿。PN結(jié)熱擊穿后電流很大，電壓又很高，消耗在結(jié)上的功率很大，容易使PN結(jié)發(fā)熱，把PN結(jié)燒毀。熱擊穿是不可逆的。

雪崩擊穿

當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí)，空間電荷區(qū)中的電場隨著增強(qiáng)。這樣，通過空間電荷區(qū)的電子和空穴，就會(huì)在電場作用下獲得的能量增大，在晶體中運(yùn)動(dòng)的電子和空六將不斷地與晶體原子又發(fā)生碰撞，當(dāng)電子和空穴的能量足夠大時(shí)，通過這樣的碰撞的可使共價(jià)鍵中的電子激發(fā)形成自由電子–空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子和空穴也向相反的方向運(yùn)動(dòng)，重新獲得能量，又可通過碰撞，再產(chǎn)生電子–空穴對(duì)，這就是載流子的倍增效應(yīng)。當(dāng)反向電壓增大到某一數(shù)值后，載流子的倍增情況就像在陡峻的積雪山坡上發(fā)生雪崩一樣，載流子增加得多而快，這樣，反向電流劇增， PN結(jié)就發(fā)生雪崩擊穿。

齊納擊穿

在加有較高的反向電壓下，PN結(jié)空間電荷區(qū)中存一個(gè)強(qiáng)電場，它能夠破壞共價(jià)鍵，將束縛電子分離出來產(chǎn)生電子–空穴對(duì)，形成較大的反向電流。發(fā)生齊納擊穿需要的電場強(qiáng)度約為2×105V/cm，這只有在雜質(zhì)濃度特別大的PN結(jié)中才能達(dá)到。因?yàn)殡s質(zhì)濃度大，空間電荷區(qū)內(nèi)電荷密度（即雜質(zhì)離子）也大，因而空間電荷區(qū)很窄，電場強(qiáng)度可能很高。

六、PN結(jié)的勢(shì)壘電容

在一定條件下，PN結(jié)顯現(xiàn)出充放電的電容效應(yīng)。不同的工作情況下的電容效應(yīng)，分別用勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容于以描述。

勢(shì)壘電容CB

勢(shì)壘電容CB描述了PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)空間電荷隨電壓變化而產(chǎn)生的電容效應(yīng)。PN結(jié)的空間電荷隨外加電壓的變化而變化，當(dāng)外加電壓升高時(shí)，N區(qū)的電子和P區(qū)空穴進(jìn)入耗盡區(qū)，相當(dāng)于電子和空穴分別向CB“充電”，如圖(a)所示。當(dāng)外加電壓降低時(shí)，又有電子和空穴離開耗盡區(qū)，好像電子和空穴從CB放電，如圖(b)所示。CB是非線性電容，電路上CB與結(jié)電阻并聯(lián)。在PN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電阻很大，CB的作用不能忽視，特別是在高頻時(shí)，它對(duì)電路有較大的影響。