砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管

砷化鎵（GaAs）是由化學元素周期表中Ⅲ族元素鎵和Ⅴ族元素砷二者組成的單晶化合物，因此，它又叫做Ⅲ-Ⅴ化合物，是一種新型半導(dǎo)體材料。它的特性與周期表中Ⅳ族元素硅類似，但重要的差別之一是，GaAs的電子遷移率比硅約大5~10倍。用GaAs制造有源器件時，具有比硅器件快得多的轉(zhuǎn)換速度（例如在截止、飽和導(dǎo)通間變化）。高速砷化鎵三極管正被用于微波電路、高頻放大和高速數(shù)字邏輯電路中。

由砷化鎵制造的場效應(yīng)管叫做金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MES-FET），它具有速度高等優(yōu)點，應(yīng)用廣泛。

其中常數(shù)l叫做溝道長度調(diào)制參數(shù)，通常在（0.05 ~ 0.2）V–1范圍，N溝道MESFET器件VP的典型值是（–0.5 ~ –2.5）V。常數(shù)K的單位為mA/V2。