使用CMOS集成電路需注意的幾個(gè)問(wèn)題(王玲)

集成電路按晶體管的性質(zhì)分為ＴＴＬ和ＣＭＯＳ兩大類，ＴＴＬ以速度見(jiàn)長(zhǎng)，ＣＭＯＳ以功
耗低而著稱，其中ＣＭＯＳ電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制
作中使用ＣＭＯＳ集成電路時(shí)，除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限
參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個(gè)問(wèn)題：

１、電源問(wèn)題

（１） ＣＭＯＳ集成電路的工作電壓一般在３－１８Ｖ，但當(dāng)應(yīng)用電路中有門(mén)電路的模擬
應(yīng)用（如脈沖振蕩、線性放大）時(shí)，最低電壓則不應(yīng)低于４．５Ｖ。由于ＣＭＯＳ集成電路
工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路ＣＭＯＳ集成電路也可以正常工作，但是工作在不同
電源電壓的器件，其輸出阻抗、工作速度和功耗是不相同的，在使用中一定要注意。

（２）ＣＭＯＳ集成電路的電源電壓必須在規(guī)定范圍內(nèi)，不能超壓，也不能反接。因?yàn)樵谥?BR>造過(guò)程中，自然形成許多寄生二極管，如圖１所示為反相器電路，在正常電壓下，這些二極
管皆處于反偏，對(duì)邏輯功能無(wú)影響，但是由于這些寄生二極管的存在，一旦電源電壓過(guò)高或
電壓極性接反，就會(huì)使電路產(chǎn)生損壞。

２、驅(qū)動(dòng)能力問(wèn)題

ＣＭＯＳ電路的驅(qū)動(dòng)能力的提高，除選用驅(qū)動(dòng)能力較強(qiáng)的緩沖器來(lái)完成之外，還可將同一個(gè)
芯片幾個(gè)同類電路并聯(lián)起來(lái)提高，這時(shí)驅(qū)動(dòng)能力提高到Ｎ倍（Ｎ為并聯(lián)門(mén)的數(shù)量）。如圖２
所示。

３、輸入端的問(wèn)題

（１）多余輸入端的處理。ＣＭＯＳ電路的輸入端不允許懸空，因?yàn)閼铱諘?huì)使電位不定，破
壞正常的邏輯關(guān)系。另外，懸空時(shí)輸入阻抗高，易受外界噪聲干擾，使電路產(chǎn)生誤動(dòng)作，而
且也極易造成柵極感應(yīng)靜電而擊穿。所以“與”門(mén)，“與非”門(mén)的多余輸入端要接高電平，
“或”門(mén)和“或非”門(mén)的多余輸入端要接低電平。若電路的工作速度不高，功耗也不需特別
考慮時(shí)，則可以將多余輸入端與使用端并聯(lián)。

（２）輸入端接長(zhǎng)導(dǎo)線時(shí)的保護(hù)。在應(yīng)用中有時(shí)輸入端需要接長(zhǎng)的導(dǎo)線，而長(zhǎng)輸入線必然有
較大的分布電容和分布電感，易形成ＬＣ振蕩，特別當(dāng)輸入端一旦發(fā)生負(fù)電壓，極易破壞Ｃ
ＭＯＳ中的保護(hù)二極管。其保護(hù)辦法為在輸入端處接一個(gè)電阻，如圖３所示， Ｒ＝ＶＤＤ
／１ｍＡ。

（３）輸入端的靜電防護(hù)。雖然各種ＣＭＯＳ輸入端有抗靜電的保護(hù)措施，但仍需小心對(duì)
待，在存儲(chǔ)和運(yùn)輸中最好用金屬容器或者導(dǎo)電材料包裝，不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化工材
料或化纖織物中。組裝、調(diào)試時(shí)，工具、儀表、工作臺(tái)等均應(yīng)良好接地。要防止操作人員的
靜電干擾造成的損壞，如不宜穿尼龍、化纖衣服，手或工具在接觸集成塊前最好先接一下
地。對(duì)器件引線矯直彎曲或人工焊接時(shí)，使用的設(shè)備必須良好接地。

（４） 輸入信號(hào)的上升和下降時(shí)間不易過(guò)長(zhǎng)，否則一方面容易造成虛假觸發(fā)而導(dǎo)致器件失
去正常功能，另一方面還會(huì)造成大的損耗。對(duì)于７４ＨＣ系列限于０．５ｕｓ以內(nèi)。若不滿
足此要求，需用施密特觸發(fā)器件進(jìn)行輸入整形，整形電路如圖４所示。

（５）ＣＭＯＳ電路具有很高的輸入阻抗，致使器件易受外界干擾、沖擊和靜電擊穿，所以
為了保護(hù)ＣＭＯＳ管的氧化層不被擊穿，一般在其內(nèi)部輸入端接有二極管保護(hù)電路，如圖５
所示。

其中Ｒ約為１．５－２．５ＫΩ。輸入保護(hù)網(wǎng)絡(luò)的引入使器件的輸入阻抗有一定下降，但仍
在１０８Ω以上。這樣也給電路的應(yīng)用帶來(lái)了一些限制：

（Ａ）輸入電路的過(guò)流保護(hù)。ＣＭＯＳ電路輸入端的保護(hù)二極管，其導(dǎo)通時(shí)電流容限一般為
１ｍＡ?在可能出現(xiàn)過(guò)大瞬態(tài)輸入電流（超過(guò)１０ｍＡ）時(shí)，應(yīng)串接輸入保護(hù)電阻。例如，
當(dāng)輸入端接的信號(hào)，其內(nèi)阻很小、或引線很長(zhǎng)、或輸入電容較大時(shí)，在接通和關(guān)斷電源時(shí)，
就容易產(chǎn)生較大的瞬態(tài)輸入電流，這時(shí)必須接輸入保護(hù)電阻，若ＶＤＤ＝１０Ｖ，則取限流
電阻為１０ＫΩ即可。

（Ｂ） 輸入信號(hào)必須在ＶＤＤ到ＶＳＳ之間，以防二極管因正向偏置電流過(guò)大而燒壞。因
此在工作或測(cè)試時(shí)，必須按照先接通電源后加入信號(hào)，先撤除信號(hào)后關(guān)電源的順序進(jìn)行操
作。在安裝，改變連接，拔插時(shí)，必須切斷電源，以防元件受到極大的感應(yīng)或沖擊而損壞。

（Ｃ）由于保護(hù)電路吸收的瞬間能量有限，太大的瞬間信號(hào)和過(guò)高的靜電電壓將使保護(hù)電路
失去作用。所以焊接時(shí)電烙鐵必須可靠接地，以防漏電擊穿器件輸入端，一般使用時(shí)，可斷
電后利用電烙鐵的余熱進(jìn)行焊接，并先焊其接地管腳。

（Ｄ）要防止用大電阻串入ＶＤＤ或ＶＳＳ端，以免在電路開(kāi)關(guān)期間由于電阻上的壓降引起
保護(hù)二極管瞬時(shí)導(dǎo)通而損壞器件。

４、ＣＭＯＳ的接口電路問(wèn)題

（１）ＣＭＯＳ電路與運(yùn)放連接。當(dāng)和運(yùn)放連接時(shí)，若運(yùn)放采用雙電源，ＣＭＯＳ采用的是
獨(dú)立的另一組電源，即采用如圖６所示電路，電路中，ＶＤ１、ＶＤ２為鉗位保護(hù)二極管，
使ＣＭＯＳ輸入電壓處在１０Ｖ與地之間。１５ＫΩ的電阻既作為ＣＭＯＳ的限流電阻，又
對(duì)二極管進(jìn)行限流保護(hù)。若運(yùn)放使用單電源，且與ＣＭＯＳ使用的電源一樣，則可直接相
連。

（２）ＣＭＯＳ與ＴＴＬ等其它電路的連接。在電路中常遇到ＴＴＬ電路和ＣＭＯＳ電路混
合使用的情況，由于這些電路相互之間的電源電壓和輸入、輸出電平及負(fù)載能力等參數(shù)不
同，因此他們之間的連接必須通過(guò)電平轉(zhuǎn)換或電流轉(zhuǎn)換電路，使前級(jí)器件的輸出的邏輯電平
滿足后級(jí)器件對(duì)輸入電平的要求，并不得對(duì)器件造成損壞。邏輯器件的接口電路主要應(yīng)注意
電平匹配和輸出能力兩個(gè)問(wèn)題，并與器件的電源電壓結(jié)合起來(lái)考慮。下面分兩種情況來(lái)說(shuō)
明：

（Ａ）ＴＴＬ到ＣＭＯＳ的連接。用ＴＴＬ電路去驅(qū)動(dòng)ＣＭＯＳ電路時(shí)，由于ＣＭＯＳ電路
是電壓驅(qū)動(dòng)器件，所需電流小，因此電流驅(qū)動(dòng)能力不會(huì)有問(wèn)題，主要是電壓驅(qū)動(dòng)能力問(wèn)題，
ＴＴ Ｌ電路輸出高電平的最小值為２．４Ｖ，而ＣＭＯＳ電路的輸入高電平一般高于３．
５Ｖ，這就使二者的邏輯電平不能兼容。為此可采用圖７所示電路，在ＴＴＬ的輸出端與電
源之間接一個(gè)電阻Ｒ（上拉電阻）可將ＴＴＬ的電平提高到３．５Ｖ以上。

若采用的是ＯＣ門(mén)驅(qū)動(dòng)，則可采用如圖８所示電路。其中Ｒ為其外接電阻。Ｒ的取值一般在
１－４．７ＫΩ。

（Ｂ） ＣＭＯＳ到ＴＴＬ的連接。ＣＭＯＳ電路輸出邏輯電平與ＴＴＬ電路的輸入電平可
以兼容，但ＣＭＯＳ電路的驅(qū)動(dòng)電流較小，不能夠直接驅(qū)動(dòng)ＴＴＬ電路。為此可采用ＣＭＯ
Ｓ／ＴＴＬ專用接口電路，如ＣＭＯＳ緩沖器ＣＣ４０４９等，經(jīng)緩沖器之后的高電平輸出
電流能滿足ＴＴＬ電路的要求，低電平輸出電流可達(dá)４ｍＡ。實(shí)現(xiàn)ＣＭＯＳ電路與ＴＴＬ電
路的連接，如圖９所示。 需說(shuō)明的時(shí)，ＣＭＯＳ與ＴＴＬ電路的接口電路形式多種多樣，
實(shí)用中應(yīng)根據(jù)具體情況進(jìn)行選擇。

５、輸出端的保護(hù)問(wèn)題

（１）ＭＯＳ器件輸出端既不允許和電源短接，也不允許和地短接，否則輸出級(jí)的ＭＯＳ管
就會(huì)因過(guò)流而損壞。

（２）在ＣＭＯＳ電路中除了三端輸出器件外，不允許兩個(gè)器件輸出端并接，因?yàn)椴煌钠?BR>件參數(shù)不一致，有可能導(dǎo)致ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳ器件同時(shí)導(dǎo)通，形成大電流。但為了增加電
路的驅(qū)動(dòng)能力，允許把同一芯片上的同類電路并聯(lián)使用。

（３）當(dāng)ＣＭＯＳ電路輸出端有較大的容性負(fù)載時(shí)，流過(guò)輸出管的沖擊電流較大，易造成電
路失效。為此，必須在輸出端與負(fù)載電容間串聯(lián)一限流電阻，將瞬態(tài)沖擊電流限制在１０ｍ
Ａ以下。