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從電容十說中了解電容

作者: 時間:2011-06-08 來源:網(wǎng)絡 收藏

話說電容之一:電容的作用


作為無源元件之一的電容,其作用不外乎以下幾種:
1、應用于電源電路,實現(xiàn)旁路、去藕、濾波和儲能的作用。下面分類詳述之:
1)旁路
旁路電容是為本地器件提供能量的儲能器件,它能使穩(wěn)壓器的輸出均勻化,降低負載需求。 就像小型可充電電池樣,旁路電容能夠被充電,并向器件進行放電。 為盡量減少阻抗,旁路電容要盡量靠近負載器件的供電電源管腳和地
管腳。 這能夠很好地防止輸入值過大而導致的地電位抬高和噪聲。地彈是地連接處在通過大電流毛刺時的電壓降。
2)去藕
去藕,又稱解藕。 從電路來說, 總是可以區(qū)分為驅(qū)動的源和被驅(qū)動的負載。如果負載電容比較大, 驅(qū)動電路要把電容充電、放電, 才能完成信號的跳變,在上升沿比較陡峭的時候, 電流比較大, 這樣驅(qū)動的電流就會吸收很大的電源電流,由于電路中的電感,電阻(特別是芯片管腳上的電感,會產(chǎn)生反彈),這種電流相對于正常情況來說實際上就是一種噪聲,會影響前級的正常工作,這就是所謂的“耦合”。
去藕電容就是起到一個“電池”的作用,滿足驅(qū)動電路電流的變化,避免相互間的耦合干擾。將旁路電容和去藕電容結(jié)合起來將更容易理解。旁路電容實際也是去藕合的,只是旁路電容一般是指高頻旁路,也就是給高頻的開關(guān)噪聲高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小,根據(jù)諧振頻率一般取0.1μF、0.01μF 等;而去耦合電容的容量一般較大,可能是10μF 或者更大,依據(jù)電路中分布參數(shù)、以及驅(qū)動電流的變化大小來確定。
旁路是把輸入信號中的干擾作為濾除對象,而去耦是把輸出信號的干擾作為濾除對象,防止干擾信號返回電源。這應該是他們的本質(zhì)區(qū)別。
3)濾波
從理論上(即假設電容為純電容)說,電容越大,阻抗越小,通過的頻率也越高。但實際上超過1μF 的電容大多為電解電容,有很大的電感成份,所以頻率高后反而阻抗會增大。有時會看到有一個電容量較大電解電容并聯(lián)了一個小電
容,這時大電容通低頻,小電容通高頻。電容的作用就是通高阻低,通高頻阻低頻。電容越大低頻越容易通過,電容越大高頻越容易通過。具體用在濾波中,大電容(1000μF)濾低頻,小電容(20pF)濾高頻。曾有網(wǎng)友形象地將濾波電容比作“水塘”。由于電容的兩端電壓不會突變,由此可知,信號頻率越高則衰減越大,可很形象的說電容像個水塘,不會因幾滴水的加入或蒸發(fā)而引起水量的變化。它把電壓的變動轉(zhuǎn)化為電流的變化,頻率越高,峰值電流就越大,從而緩沖了電壓。濾波就是充電,放電的過程。
4)儲能
儲能型電容器通過整流器收集電荷,并將存儲的能量通過變換器引線傳送至電源的輸出端。 電壓額定值為40~450VDC、電容值在220~150 000μF 之間的鋁電解電容器(如EPCOS 公司的 B43504 或B43505)是較為常用的。根據(jù)不同的電源要求,器件有時會采用串聯(lián)、并聯(lián)或其組合的形式, 對于功率級超過10KW 的電源,通常采用體積較大的罐形螺旋端子電容器。
2、應用于信號電路,主要完成耦合、振蕩/同步及時間常數(shù)的作用:
1)耦合
舉個例子來講,晶體管發(fā)射極有一個自給偏壓電阻,它同時又使信號產(chǎn)生壓降反饋到輸入端形成了輸入輸出信號耦合, 這個電阻就是產(chǎn)生了耦合的元件,如果在這個電阻兩端并聯(lián)一個電容, 由于適當容量的電容器對交流信號
較小的阻抗,這樣就減小了電阻產(chǎn)生的耦合效應,故稱此電容為去耦電容。
2)振蕩/同步
包括RC、LC 振蕩器及晶體的負載電容都屬于這一范疇。
3)時間常數(shù)
這就是常見的 R、C 串聯(lián)構(gòu)成的積分電路。當輸入信號電壓加在輸入端時,電容(C)上的電壓逐漸上升。而其充電電流則隨著電壓的上升而減小。電流通過電阻(R)、電容(C)的特性通過下面的公式描述:
i = (V / R)e - (t / CR)


話說電容之二:電容的選擇


通常,應該如何為我們的電路選擇一顆合適的電容呢?筆者認為,應基于以
下幾點考慮:
1、靜電容量;
2、額定耐壓;
3、容值誤差;
4、直流偏壓下的電容變化量;
5、噪聲等級;
6、電容的類型;
7、電容的規(guī)格。
那么,是否有捷徑可尋呢?其實,電容作為器件的外圍元件,幾乎每個器件的 Datasheet 或者 Solutions,都比較明確地指明了外圍元件的選擇參數(shù),也就是說,據(jù)此可以獲得基本的器件選擇要求,然后再進一步完善細化之。其實選用電容時不僅僅是只看容量和封裝,具體要看產(chǎn)品所使用環(huán)境,特殊的電路必須用特殊的電容。

下面是 chip capacitor 根據(jù)電介質(zhì)的介電常數(shù)分類, 介電常數(shù)直接影響電
路的穩(wěn)定性。
NP0 or CH (K 150): 電氣性能最穩(wěn)定,基本上不隨溫度﹑電壓與時間的改變而改變,適用于對穩(wěn)定性要求高的高頻電路。鑒于K 值較小,所以在0402、0603、0805 封裝下很難有大容量的電容。如 0603 一般最大的 10nF以下。X7R or YB (2000 K 4000): 電氣性能較穩(wěn)定,在溫度﹑電壓與時間改變時性能的變化并不顯著(?C ±10%)。適用于隔直、偶合、旁路與對容量穩(wěn)定性要求不太高的全頻鑒電路。Y5V or YF(K > 15000): 容量穩(wěn)定性較 X7R 差(?C +20% ~ -80%),容量﹑損耗對溫度、電壓等測試條件較敏感,但由于其K 值較大,所以
適用于一些容值要求較高的場合。


話說電容之三:電容的分類


電容的分類方式及種類很多,基于電容的材料特性,其可分為以下幾大類:
1、鋁電解電容
電容容量范圍為0.1μF ~ 22000μF,高脈動電流、長壽命、大容量的不二
之選,廣泛應用于電源濾波、解藕等場合。
2、薄膜電容
電容容量范圍為0.1pF ~ 10μF,具有較小公差、較高容量穩(wěn)定性及極低的
壓電效應,因此是X、Y 安全電容、EMI/EMC 的首選。
3、鉭電容
電容容量范圍為2.2μF ~ 560μF,低等效串聯(lián)電阻(ESR)、低等效串聯(lián)
電感(ESL)。脈動吸收、瞬態(tài)響應及噪聲抑制都優(yōu)于鋁電解電容,是高穩(wěn)定電
源的理想選擇。
4、陶瓷電容
電容容量范圍為0.5pF ~ 100μF,獨特的材料和薄膜技術(shù)的結(jié)晶,迎合了
當今“更輕、更薄、更節(jié)能“的設計理念。
5、超級電容
電容容量范圍為0.022F ~ 70F,極高的容值,因此又稱做“金電容”或者
“法拉電容”。主要特點是:超高容值、良好的充/放電特性,適合于電能存儲
和電源備份。缺點是耐壓較低,工作溫度范圍較窄。


話說電容之四:多層陶瓷電容(MLCC)


對于電容而言,小型化和高容量是永恒不變的發(fā)展趨勢。其中,要數(shù)多層陶瓷電容(MLCC)的發(fā)展最快。
多層陶瓷電容在便攜產(chǎn)品中廣泛應用極為廣泛,但近年來數(shù)字產(chǎn)品的技術(shù)進步對其提出了新要求。例如,手機要求更高的傳輸速率和更高的性能;基帶處理器要求高速度、低電壓;LCD 模塊要求低厚度(0.5mm)、大容量電容。 而汽車環(huán)境的苛刻性對多層陶瓷電容更有特殊的要求:首先是耐高溫,放置于其中的多層陶瓷電容必須能滿足150℃ 的工作溫度;其次是在電池電路上需要短路失效保護設計。
也就是說,小型化、高速度和高性能、耐高溫條件、高可靠性已成為陶瓷電容的關(guān)鍵特性。
陶瓷電容的容量隨直流偏置電壓的變化而變化。直流偏置電壓降低了介電常
數(shù), 因此需要從材料方面,降低介電常數(shù)對電壓的依賴,優(yōu)化直流偏置電壓特
性。
應用中較為常見的是 X7R(X5R)類多層陶瓷電容, 它的容量主要集中在
1000pF 以上,該類電容器主


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