瞬態(tài)抑制二極管與其它過(guò)壓保護(hù)技術(shù)的對(duì)比
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什么是瞬態(tài)抑制二極管？
該產(chǎn)品通過(guò)截面積大于常規(guī)二極管的p-n結(jié)將電壓限制在一定范圍（稱為“鉗位”裝置），可以將較大電流導(dǎo)向地面，因此不會(huì)對(duì)元件造成持續(xù)損壞。
瞬態(tài)抑制二極管通常用于保護(hù)傳輸或數(shù)據(jù)線路以及電子電路，使其免受雷擊、感應(yīng)負(fù)載開(kāi)關(guān)和靜電放電等引起的電氣過(guò)壓損害。
Littelfuse瞬態(tài)抑制二極管適用于多種電路保護(hù)應(yīng)用，但主要應(yīng)用于保護(hù)電信、工業(yè)設(shè)備、計(jì)算機(jī)和消費(fèi)電子產(chǎn)品中的輸入/輸出接口。
Littelfuse瞬態(tài)抑制二極管的特性包括:
與其他二極管技術(shù)的對(duì)比:
工作特性的對(duì)比:
裝置結(jié)構(gòu)的對(duì)比:
肖特基二極管是通過(guò)將金屬焊至半導(dǎo)體結(jié)上而形成。 從電氣角度而言，該二極管是通過(guò)多數(shù)載流子進(jìn)行導(dǎo)電，在漏電流和正向偏壓（VF）較低時(shí)能夠快速響應(yīng)。 肖特基二極管廣泛應(yīng)用于高頻電路。
齊納二極管由重?fù)絇-N半導(dǎo)體結(jié)制成。 有兩種物理效應(yīng)可稱之為齊納態(tài)（齊納效應(yīng)和雪崩效應(yīng)）。 當(dāng)P-N結(jié)上施加了很低的反向電壓時(shí)，在量子效應(yīng)下，P-N結(jié)將開(kāi)始導(dǎo)電，這種現(xiàn)象稱之為齊納效應(yīng)。 當(dāng)PN結(jié)上施加的反向電壓大于5.5伏時(shí)將發(fā)生雪崩效應(yīng)。發(fā)生雪崩效應(yīng)時(shí)，所產(chǎn)生的電子空穴對(duì)將碰撞格柵。 基于齊納效應(yīng)的齊納二極管廣泛用作電子電路中的基準(zhǔn)電壓源。
瞬態(tài)抑制二級(jí)管由特制的P-N半導(dǎo)體結(jié)組成，可提供浪涌保護(hù)。 PN結(jié)通常覆膜，以防在非導(dǎo)電狀態(tài)下過(guò)早出現(xiàn)電壓弧閃。 出現(xiàn)瞬態(tài)電壓時(shí)，瞬態(tài)抑制二級(jí)管開(kāi)始導(dǎo)電，并通過(guò)雪崩效應(yīng)鉗制瞬態(tài)電壓。 瞬態(tài)抑制二極管廣泛用作電信、通用電子設(shè)備、數(shù)碼消費(fèi)電子產(chǎn)品的電路過(guò)壓保護(hù)裝置，可提供雷擊、靜電放電和其他瞬態(tài)電壓保護(hù)。
SPA表示硅保護(hù)陣列。 該陣列集成了PN結(jié)、SCR或采用多引腳結(jié)構(gòu)封裝的其他硅保護(hù)結(jié)構(gòu)。 SPA可用于需要多種保護(hù)的電信、通用電子設(shè)備、數(shù)碼消費(fèi)電子產(chǎn)品，提供對(duì)靜電放電、雷擊和EFT的綜合保護(hù)。 例如，它可用于HDMI、USB和以太網(wǎng)端口的ESD保護(hù)。
評(píng)論