[組圖]單片開關(guān)電源原理及應用

一、TOP開關(guān)結(jié)構(gòu)及工作原理

1、結(jié)構(gòu)：　TOP開關(guān)集各種控制功能、保護功能及耐壓700V的功率開關(guān)MOSFET于一體，采用TO?220或8腳DIP封裝。少數(shù)采用8腳封裝的TOP開關(guān)，除D、C兩引腳外，其余6腳實際連在一起，作為S端，故仍系三端器件。三個引出端分別是漏極端D、源極端S和控制端C。其中，D是內(nèi)裝MOSFET的漏極，也是內(nèi)部電流的檢測點，起動操作時，漏極端由一個內(nèi)部電流源提供內(nèi)部偏置電流?？刂贫薈控制輸出占空比，是誤差放大器和反饋電流的輸入端。在正常操作時，內(nèi)部的旁路調(diào)整端提供內(nèi)部偏置電流，且能在輸入異常時，自動鎖定保護。源極端S是MOSFET的源極，同時是TOP開關(guān)及開關(guān)電源初級電路的公共接地點及基準點。

2、工作原理： TOP包括10部分，其中Zc為控制端的動態(tài)阻抗，RE是誤差電壓檢測電阻。RA與CA構(gòu)成截止頻率為7kHz的低通濾波器。主要特點是：
　?。?）前沿消隱設計，延遲了次級整流二級管反向恢復產(chǎn)生的尖峰電流沖擊；
　?。?）自動重起動功能，以典型值為5％的自動重起動占空比接通和關(guān)斷；
　?。?）低電磁干擾性（EMI），TOP系列器件采用了與外殼的源極相連，使金屬底座及散熱器的dv/dt=0，從而降低了電壓型控制方式與逐周期峰值電流限制；
　?。?）電壓型控制方式與逐周期峰值電流限制。

　　 下面簡要敘述一下：
　?。?）控制電壓源　 控制電壓Uc能向并聯(lián)調(diào)整器和門驅(qū)動極提供偏置電壓，而控制端電流Ic則能調(diào)節(jié)占空比?？刂贫说目傠娙萦肅t表示，由它決定自動重起動的定時，同時控制環(huán)路的補償，Uc有兩種工作模式，一種是滯后調(diào)節(jié)，用于起動和過載兩種情況，具有延遲控制作用；另一種是并聯(lián)調(diào)節(jié)，用于分離誤差信號與控制電路的高壓電流源。剛起動電路時由D-C極之間的高壓電流源提供控制端電流Ic，以便給控制電路供電并對Ct充電。

　?。?）放大器　　 誤差放大器的增益由控制端的動態(tài)阻抗Zc來設定。Zc的變化范圍是10Ω～20Ω，典型值為15Ω。誤差放大器將反饋電壓UF與5.7V基準電壓進行比較后，輸出誤差電流Ir，在RE上形成誤差電壓UR。

　　（5）脈寬調(diào)制器（PWM）　 脈寬調(diào)制器是一個電壓反饋式控制電路，它具有兩層含義。第一、改變控制端電流Ic的大小，即可調(diào)節(jié)占空比D，實現(xiàn)脈寬調(diào)制。第二、誤差電壓UR經(jīng)由RA、CA組成截止頻率為7kHz的低通濾波器，濾掉開關(guān)噪聲電壓之后，加至PWM比較器的同相輸入端，再與鋸齒波電壓UJ進行比較，產(chǎn)生脈寬調(diào)制信號UB。

　?。?）門驅(qū)動級和輸出級　　 門驅(qū)動級（F）用于驅(qū)動功率開關(guān)管(MOSFET)，使之按一定速率導通，從而將共模電磁干擾減至最小。漏?源導通電阻與產(chǎn)品型號和芯片結(jié)溫有關(guān)。MOSFET管的漏?源擊穿電壓U(bo)ds≥700V。

　?。?）過流保護電路　　 過流比較器的反相輸入端接閾值電壓ULIMIT，同相輸入端接MOSFET管的漏極。此外，芯片還具有初始輸入電流限制功能。剛通電時可將整流后的直流限制在0.6A或0.75A。

　　（8）過熱保護電路　 當芯片結(jié)溫TJ>135℃時，過熱保護電路就輸出高電平，將觸發(fā)器Ⅱ置位，Q=1，，關(guān)斷輸出級。此時進入滯后調(diào)節(jié)模式，Uc端波形也變成幅度為4.7V～5.7V的鋸齒波。若要重新起動電路，需斷電后再接通電源開關(guān)；或者將控制端電壓降至3.3V以下，達到Uc(reset)值，再利用上電復位電路將觸發(fā)器Ⅱ置零，使MOSFET恢復正常工作。

　?。?）關(guān)斷/自起動電路　　 一旦調(diào)節(jié)失控，關(guān)斷/自動重起動電路立即使芯片在5％占空比下工作，同時切斷從外部流入C端的電流，Uc再次進入滯后調(diào)節(jié)模式。倘若故障己排除，Uc又回到并聯(lián)調(diào)節(jié)模式，自動重新起動電源恢復正常工作。自動重起動的頻率為1.2Hz。

　?。?0）高壓電流源　　 在起動或滯后調(diào)節(jié)模式下，高壓電流源經(jīng)過電子開關(guān)S1給內(nèi)部電路提供偏置，并且對Ct進行充電。電源正常工作時S1改接內(nèi)部電源，將高壓電流源關(guān)斷。

　　 當TOP開關(guān)起動操作時，在控制端環(huán)路振蕩電路的控制下，漏極端有電流流入芯片，提供開環(huán)輸入。該輸入通過旁路調(diào)整器、誤差放大器時，由控制端進行閉環(huán)調(diào)整，改變Ir，經(jīng)由PWM控制MOSFET的輸出占空比，最后達到動態(tài)平衡。

二、TOP開關(guān)的典型應用

1、12V/30W小功率開關(guān)電源：　 12V/30W小功率開關(guān)電源原理圖如圖2所示。該電源特性是：簡單，直接可與220V交流電源連接，經(jīng)橋式整流電容濾波后產(chǎn)生300V直流高電壓起動開關(guān)電源工作。并且重量輕、體積小，接線簡單外圍元件少。

　　 該電路特點是利用三極管Q1，二極管D8及電阻R5、R6組成過低壓保護電路，當輸入電壓降低到一定程度時，Q1導通，控制端C電位降低，TOP開關(guān)關(guān)閉，開關(guān)電源沒有輸出。

　?。?）輸入電路　　 電網(wǎng)交流220V輸入電壓經(jīng)橋式整流、電容濾波后產(chǎn)生300V直流高壓起動開關(guān)電源工作。

　?。?）電源變換器部分　 在該電路中，T2為高頻變壓器，其中　
　　 N1為初級繞組（35T）
　　 N2為反饋繞組（15T）
　　 N3為次級隔離輸出繞組（7T）

　　 開關(guān)電源工作后，反饋繞組N2經(jīng)整流、濾波、限流后送至TOP開關(guān)控制極C，以調(diào)整TOP開關(guān)內(nèi)部PWM占空比。當因某種原因如負載變輕引起輸出電壓升高時，N2電壓將升高，即流入TOP開關(guān)控制端C的電流增加。在振蕩電路的控制下，漏極端D有電流流入芯片，提供開環(huán)輸入，該輸入通過旁路調(diào)整器、誤差放大器，由控制端進行閉環(huán)調(diào)整，經(jīng)由PWM控制MOSFET的輸出占空比，使其占空比線性減小，從而使輸出電壓下降，最后達到動態(tài)平衡，保持輸出穩(wěn)定。電路中并接于初級繞組N1兩端的瞬態(tài)電壓抑制二極管D5、電容C4及快速二極管D6組成鉗位削峰電路。鉗制電感放電脈沖的最高電位，減少漏感抗引起的漏極端電壓畸變。在實際繞制高頻電源變壓器時，為了減小漏感的影響，可采用初級與次級相互交叉的繞制方法。同時，采用自我屏蔽作用較為良好的罐形磁芯，將線圈都用磁芯封在里邊。

　?。?）反饋控制回路　　 電容C6決定軟起動恢復時間，C6、R5、R4、C5、D7決定控制回路的零點。R4阻值過小，限流線性差，容易導致TOP開關(guān)損壞；過大則調(diào)整線性差。在實驗中取值為10kΩ

由于TOP芯片內(nèi)部完全集成了SMPS的全部功能，所以利用它設計出的開關(guān)電源周期短，成本低，對于小功率電源，簡單，體積小，重量輕。