DS32X35帶有鐵電隨機存取存儲器的高精度實時時鐘
概述
隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布,Maxim能夠提供無需電池的非易失存儲器。這些器件采用了鐵電隨機存取存儲器(FRAM)技術(shù),F(xiàn)RAM是非易失存儲器,其讀/寫操作與RAM類似。該系列器件能夠可靠地將數(shù)據(jù)保持10年之久,與EEPROM和其它非易失存儲器不同的是:它不需要考慮系統(tǒng)的復(fù)雜性、過度開銷以及可靠性問題。從1992年出現(xiàn)第一塊FRAM至今,這項技術(shù)已經(jīng)趨于成熟非易失存儲器
目前的非易失存儲技術(shù)主要有三種:電池備份的SRAM、EEPROM和閃存。在非易失存儲速度方面,F(xiàn)RAM類似于傳統(tǒng)的SRAM;FRAM的操作類似于串行EEPROM,主要區(qū)別在于它具有更好的寫操作特性和耐用性。能夠以I2C接口的速度對存儲器進(jìn)行讀或?qū)懖僮鳌T趯懖僮鬟^程中,無需輪詢器件確認(rèn)就緒條件。表1給出了非易失存儲技術(shù)的評定,評定等級1 (最好)至4 (最差)。
表1. 非易失存儲器的技術(shù)評定
Features | Battery-Backed SRAM | EEPROM | Flash | FRAM |
Read Speed | 1 | 4 | 2 | 1 |
Write Speed | 1 | 4 | 4 | 1 |
Power Consumption | 3 | 4 | 4 | 1 |
Memory Density | 2 | 4 | 1 | 4 |
Ease of Use | 2 | 3 | 4 | 1 |
Endurance | 1 | 3 | 4 | 1 |
FRAM相對于EEPROM的優(yōu)勢
相對于同等容量的EEPROM,F(xiàn)RAM具有很多優(yōu)勢。第一個優(yōu)勢是FRAM能夠以總線速度執(zhí)行寫操作,且數(shù)據(jù)開始傳輸后沒有任何寫延時。另外,F(xiàn)RAM沒有采用頁面寫操作方式,用戶可以簡便地連續(xù)寫入數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)傳輸時沒有尺寸限制,沒有延時。必要時,系統(tǒng)可以采用突發(fā)模式對整個存儲器陣列進(jìn)行寫操作。第二個優(yōu)勢是寫操作耐久性,寫次數(shù)高達(dá)100億次。多數(shù)EEPROM只寫次數(shù)只能達(dá)到100萬次。實際上可認(rèn)為FRAM沒有寫次數(shù)的限制,非常適合數(shù)據(jù)采集應(yīng)用。
第三個優(yōu)勢是微功耗,有助于節(jié)省電能。FRAM采用鐵電存儲機制,可通過本地VCC支持寫操作,EEPROM則需要一個電荷泵或升壓電路。由此可見,F(xiàn)RAM的電流消耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于類似配置的EEPROM。
DS32X35帶有FRAM的高精度RTC
DS32X35是一款溫補時鐘/日歷芯片,單個封裝內(nèi)集成了32.768kHz晶體和非易失存儲器。 非易失存儲器采用兩種配置: 2048 x 8位或8192 x 8位。器件采用20引腳、300mil SO封裝。DS32X35包括一個FRAM區(qū),無需電池備份即可保持存儲器的內(nèi)容。此外,該系列器件可無限次地進(jìn)行讀、寫操作。在產(chǎn)品有效使用期內(nèi),允許進(jìn)行無限次的存儲器訪問,并且不存在磨損。該系列器件的其它特性包括:兩個定時鬧鐘、可以選擇的中斷或可編程方波輸出、一路經(jīng)過校準(zhǔn)的32.768kHz方波輸出。復(fù)位輸入/輸出引腳提供上電復(fù)位功能,另外,復(fù)位引腳還可以作為按鍵控制輸入由外部產(chǎn)生復(fù)位。RTC和FRAM通過I2C串口訪問。
地址要求
串行FRAM存儲器提供2048 x 8位或8192 x 8位存儲器陣列,通過I2C接口訪問。由于陣列配置不同,不同版本DS32X35的I2C尋址技術(shù)也有差異。表2詳細(xì)說明了不同版本DS32X35的尋址要求。表2. 存儲器從地址
Part | Memory (kB) | Slave Address | Address Cycle 1 | Address Cycle 2 |
DS32B35 | 2 | 1010 A10A9A8R | A7A6A5A4 A3A2A1A0 | N/A |
DS32C35 | 8 | 1010 000R | XXXA12 A11A10A9A8 | A7A6A5A4 A3A2A1A0 |
R = 讀寫選擇位;X = 無關(guān);AN = 第N位地址
結(jié)論
新型DS32X35系列產(chǎn)品具有精確的計時功能,將四個分離器件集成到單一芯片。圖1給出了集成RTC、非易失存儲器、系統(tǒng)復(fù)位和32.768kHz晶體的DS32X35內(nèi)部框圖。圖1. DS32X35的高集成度優(yōu)勢
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