電壓調(diào)整模塊(VRM)拓?fù)渚C述
1引言
電壓調(diào)整模塊(VoltageRegulatorModule,VRM)是分布式電源系統(tǒng)(DistributedPowerSystem,DPS)(圖1)中的核心部件,它緊靠在需要供電的負(fù)載旁,可根據(jù)不同負(fù)載需要獨(dú)立調(diào)節(jié)輸出電壓,實(shí)現(xiàn)具有低電壓、大電流、高穩(wěn)定度輸出,高功率密度,快速響應(yīng)等優(yōu)良性能的高質(zhì)量電源系統(tǒng)。
根據(jù)輸入電壓的不同,VRM可分為5V、12V、48V輸入等不同種類,其相應(yīng)的電路拓?fù)溆性S多不同之處;根據(jù)輸出和輸入間是否隔離,VRM又可分成非隔離型和隔離型兩種。目前,VRM較多地采用5V輸入電壓,但隨著芯片負(fù)載電流越來(lái)越大,今后分布式電源系統(tǒng)中將較多地采用12V或48V總線電壓的VRM,經(jīng)變換輸出1V左右電壓供給工作站或服務(wù)器CPU芯片。
本文對(duì)近幾年提出的VRM拓?fù)渥饕痪C述,對(duì)每一種拓?fù)涞慕Y(jié)構(gòu)、原理和主要特點(diǎn)進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹,同時(shí)介紹了交錯(cuò)并聯(lián)和內(nèi)置輸入濾波器等新的概念和技術(shù)。
2非隔離型VRM的主要拓?fù)?
2?15V輸入的VRM拓?fù)?
非隔離型VRM的拓?fù)浠旧鲜窃趥鹘y(tǒng)的Buck電路基礎(chǔ)上變化或改進(jìn)得到。圖2所示為低壓VRM中廣泛采用的同步整流Buck電路。由于用低壓MOSFET(其通態(tài)電阻很小,mΩ級(jí))代替了肖特基(Schottky)整流管,因此可大大降低通態(tài)損耗,從而提高低壓VRM的效率和功率密度。
同步整流Buck電路中,濾波電感L一般取得較大,以確保負(fù)載變化時(shí)Buck電路始終工作于電流連續(xù)狀態(tài),減小輸出電流紋波,從而減小濾波電容值,縮小體積,提高電源的功率密度。但在負(fù)載瞬態(tài)變化過(guò)
圖1分布式電源系統(tǒng)的一種典型結(jié)構(gòu)[2]
圖2同步整流Buck電路
圖3QSW工作波形
圖4交錯(cuò)連接QSW和消紋波原理
(a)交錯(cuò)連接原理圖(b)紋波抵消示意圖
程中,過(guò)大的濾波電感限制了能量的傳輸速度,負(fù)載瞬態(tài)變化所需要(或產(chǎn)生)的能量幾乎全部由濾波電容提供(或吸收)。特別在大電流負(fù)載情況下,必須增加濾波電容(一般采用多電容并聯(lián)以減小ESR和ESL),使電源的體積增大,功率密度降低,也增加了產(chǎn)品的制造成本。由此可見,同步整流Buck電路難以滿足今后芯片發(fā)展對(duì)電源的要求。
為了克服同步整流Buck電路在瞬態(tài)響應(yīng)等方面存在的不足,文獻(xiàn)[3]提出了一種準(zhǔn)方波(Quasi?Square?
Wave,QSW)工作方式的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該電路結(jié)構(gòu)與同步整流Buck電路相同,但其輸出濾波電感L遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于同步整流Buck電路中的L值,使QSW電路的瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間很短。從工作波形(圖3)可見,開關(guān)Q1和Q2均可以實(shí)現(xiàn)接近零電壓開通,使MOSFET的密勒(Miller)效應(yīng)影響減小,開關(guān)損耗和柵極驅(qū)動(dòng)功耗亦減小[1]。但QSW電路也存在著許多問(wèn)題,首先由于IL的紋波增大,使流過(guò)開關(guān)管的電流有效值增大,通態(tài)損耗增加;其次需要很大的輸出濾波電容濾除紋波;再次大的紋波電流亦使磁性元件的損耗增加,使應(yīng)用QSW拓?fù)涞腣RM總體效率低于同步整流Buck電路[1][3]。
為了減少Q(mào)SW電路輸出電流的紋波,同時(shí)又能滿足快速瞬態(tài)響應(yīng)的要求,文獻(xiàn)[3]提出了一種交錯(cuò)并聯(lián)技術(shù),將多個(gè)QSW電路交錯(cuò)并聯(lián)起來(lái),達(dá)到減小輸出紋波電流的目的。圖4所示為其原理圖和紋波抵消原理示意圖。圖5所示為多相交錯(cuò)并聯(lián)QSW的消紋波效果比較。
從圖5可以看到,多相QSW電路交錯(cuò)并聯(lián),并合理地選取同步整流開關(guān)控制脈沖占空比,可以明顯減小輸出電流紋波,因此可以用比單相QSW電路中小得多的濾波電容,使電路同時(shí)滿足靜態(tài)和瞬態(tài)變化的要求;交錯(cuò)并聯(lián)QSW電路不僅可以減小輸出電流紋波,同時(shí)也減小了輸入電流紋波,使輸入濾波電容減小,電容所占體積減小,加上整個(gè)電路的效率提高,使VRM功率密度提高成為可能。
2?212V輸入的VRM電路拓?fù)?img onload="if(this.width>620)this.width=620;" onclick="window.open(this.src)" style="cursor:pointer" height=24 src="/uploadfile/mndz/uploadfile/201105/20110522111452305.JPG" width=14>對(duì)Buck電路而言,其電壓轉(zhuǎn)換比M==D,在輸出電壓一定的條件下,輸入電壓越高,則D越小。圖6所示為同步整流開關(guān)控制脈沖占空比D與輸出電壓VO之間的關(guān)系曲線,可見,當(dāng)輸入電壓Vin=12V,輸出電壓VO=1.0V時(shí),占空比D已小于0.1,過(guò)小的占空比將給電路工作和性能帶來(lái)許多問(wèn)題[1][4]:
(1)引起不對(duì)稱瞬態(tài)響應(yīng),卸載(Stepdown)響應(yīng)性能遠(yuǎn)差于加載(Stepup)響應(yīng)性能,如圖7所示。在這種不對(duì)稱工作情況下,只能根據(jù)卸載瞬態(tài)響應(yīng)設(shè)計(jì)輸出濾波器等電路參數(shù),給參數(shù)的優(yōu)化帶來(lái)很大困難。
(2)引起變換器整體效率下降。整流開關(guān)管Q1為硬關(guān)斷工作方式,在相等的輸出平均電流條件下,12V輸入電壓時(shí)的電流紋波比5V輸入電壓時(shí)大許多
圖5多相并聯(lián)QSW的消紋波效果
圖6Buck電路占空比與電壓間的關(guān)系
D1:Vin=5VD2:Vin=12V
圖7不對(duì)稱瞬態(tài)響應(yīng)
圖8濾波電感電流紋波
圖9抽頭電感Buck電路
圖10抽頭電感Buck等效電路
圖11抽頭電感Buck的工作波形
圖12不同電路占空比比較
M1:n=1M2:n=2M3:n=3
(圖8),因此關(guān)斷時(shí)的峰值電流也很大;同時(shí),加在Q1兩端的關(guān)斷電壓(Vin-Vout)較大,所以輸入電壓升高,關(guān)斷損耗增大,使變換器整體效率下降;對(duì)同步整流管Q2而言,起決定作用的是通態(tài)損耗。在很小的占空比條件下,電流紋波增大,使流過(guò)Q2的電流有效值較大,同時(shí)由于Q2導(dǎo)通時(shí)間很長(zhǎng),所以Q2的通態(tài)損耗增大,也使變換器整體效率下降。
(3)由于開關(guān)管控制脈沖占空比很小,因此多相交錯(cuò)并聯(lián)所產(chǎn)生的消紋波效果不顯著。當(dāng)輸入電壓Vin=12V,輸出電壓VO=1.5V時(shí),占空比D=0.125,從圖5可以看到,四相交錯(cuò)并聯(lián)后的紋波只消除了大約40%。若輸出電壓進(jìn)一步降低,則消紋波效果還要差。消紋波的效果越差,意味著為滿足瞬態(tài)響應(yīng)性能指標(biāo)所加的輸出濾波電容越大,這是我們所不希望的。
存在以上這些問(wèn)題的主要原因是在輸入電壓為12V或更高時(shí)Buck電路的占空比D過(guò)小,因此解決問(wèn)題的思路就是如何設(shè)法增大D。文獻(xiàn)[1]和[4]中介紹了一種稱為抽頭電感Buck電路,其電路、等效電路及其工作波形分別如圖9、圖10及圖11所示。抽頭電感Buck電路的電壓轉(zhuǎn)換比M==,通過(guò)設(shè)計(jì)抽頭電感的匝比“n”,可將開關(guān)脈沖占空比D擴(kuò)展至一個(gè)較合理的值。圖12為抽頭電感Buck電路和傳統(tǒng)Buck電路(n=1)的比較,從圖中可見,當(dāng)輸入電壓Vin=12V,VO=1.5V時(shí),中間抽頭電感(n=2)Buck電路的開關(guān)脈沖占空比D已擴(kuò)展至0.222,接近傳統(tǒng)Buck電路的2倍。
由于開關(guān)脈沖占空比D的擴(kuò)展,使抽頭電感Buck電路的許多性能優(yōu)于傳統(tǒng)Buck電路:
①適當(dāng)選取匝比n(n在2與3之間),可獲得對(duì)
圖13開關(guān)電壓應(yīng)力與匝比的關(guān)系
圖14開關(guān)電流應(yīng)力與匝比的關(guān)系
圖15有源箝位耦合Buck電路及工作波形
(a)有源箝位耦合Buck電路(b)工作波形
稱的瞬態(tài)響應(yīng)性能,有利于效率的優(yōu)化。
②抽頭電感Buck電路中,開關(guān)Q1的主要損耗仍是其關(guān)斷損耗,但比傳統(tǒng)Buck電路中Q1的損耗小,從而改善了電路的效率。這是因?yàn)?,Q1電流的紋波較小,在相同的平均輸入電流時(shí),Q1的峰值電流較傳統(tǒng)Buck電路時(shí)小得多,因此減少了Q1的關(guān)斷損耗。
③由于Q1脈沖占空比D的擴(kuò)展,使交錯(cuò)并聯(lián)的消紋波效果更加顯著。對(duì)n=2的抽頭電感Buck電路,從圖12可見其Q1脈沖占空比D從0.125擴(kuò)展至0.222,從圖5可以讀出其紋波消除已達(dá)85%,可使輸出濾波器更小,損耗更低。
當(dāng)然,抽頭電感Buck電路也有其不足之處:
①開關(guān)Q1的電壓應(yīng)力隨n的增大而增大,如圖13所示(Vin=12V,VO=1.5V);由于耦合電感存在漏感,使Q1關(guān)斷時(shí)承受很大的電壓尖峰(圖11)。因此必須選用較高耐壓的MOSFET,而高壓MOSFET的通態(tài)電阻往往較大,使Q1的通態(tài)損耗增大。
②開關(guān)Q2的電流應(yīng)力隨n的增大而增大,如圖14所示(Vin=12V,VO=1.5V,IO=50A),因此不希望取很大的n。
從上面分析可以看到,抽頭電感Buck電路是12V輸入VRM的一個(gè)較好的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),但由于存在很高的尖峰電壓使它難以被實(shí)際采用。文獻(xiàn)[1][4]提出了一種有源箝位耦合Buck電路,可以解決上述尖峰電壓?jiǎn)栴},其電路拓?fù)浜凸ぷ鞑ㄐ稳鐖D15所示。
有源箝位耦合Buck電路的電壓轉(zhuǎn)換比M==,當(dāng)Vin=12V,VO=1.5V,n=2時(shí),D=0.285,比中間抽頭電感(n=2)Buck電路(D=0.222)還大,可以進(jìn)一步改善電路的工作狀況;由于箝位電容作用,開關(guān)的電壓應(yīng)力被箝位在2(Vin-VO),不隨n變化,在12V輸入時(shí)約為20V,因此可以選用廣泛使用的耐壓30V的MOSFET作為開關(guān)管,使成本和損耗降低;此外,變換器的輸入電流是連續(xù)的,因此可減小輸入濾波器的尺寸。
有源箝位耦合Buck電路可以解決抽頭電感Buck電路中由于漏電感所產(chǎn)生的尖峰電壓?jiǎn)栴},同時(shí)改善或保持了抽頭電感Buck電路的優(yōu)點(diǎn),是12V輸入VRM較好的一種拓?fù)?,將它與交錯(cuò)并聯(lián)技術(shù)和集成磁(IntegratedMagnetics)技術(shù)結(jié)合起來(lái),可以實(shí)現(xiàn)具有高效率,快速瞬態(tài)響應(yīng)性能的12V輸入VRM。但該電路拓?fù)淙杂胁蛔阒?,從圖15的工作波形可以看到,有源箝位耦合Buck電路的輸入電流存在較嚴(yán)重的突變,即某些時(shí)段的di/dt較大。因此,必須在有源箝位耦合Buck電路的輸入端加濾波電路;同時(shí),該拓?fù)涞妮敵龆艘泊嬖陔娏魍蛔儐?wèn)題,使輸出濾波電容的電流有效值增加,效率降低,使用壽命縮短;由于濾波電容等效串聯(lián)電感(ESL)的存在,輸出電流的突變還會(huì)引起輸出電壓的開關(guān)噪聲。
圖16內(nèi)置輸入濾波器的有源箝位耦合Buck電路
圖17傳統(tǒng)推挽變換器及其主要工作波形
(a)傳統(tǒng)推挽變換器電路(b)工作波形
為了解決上述電流突變問(wèn)題,文獻(xiàn)[5]將內(nèi)置輸入濾波器概念[6]引入至上述有源箝位耦合Buck電路中,提出了改進(jìn)的有源箝位耦合Buck電路,如圖16所示。
由于箝位耦合電容CS與漏感所形成的輸入濾波器作用,使輸入電流和輸出電流的變化比較平緩,因此可大大減小外加輸入濾波器的尺寸,甚至可以不要外加濾波器而直接利用內(nèi)置濾波器,從而減少元件的數(shù)目。
3隔離型VRM的主要拓?fù)浼靶阅鼙容^
隨著計(jì)算機(jī)芯片對(duì)電源容量和瞬態(tài)響應(yīng)要求的不斷提高,現(xiàn)在被廣泛采用的低壓(如5V)分布式電源系統(tǒng)將難以滿足要求,會(huì)逐漸被高壓(如48V)分布式電源系統(tǒng)所取代。與低壓分布式電源系統(tǒng)相比較,高壓分布式電源系統(tǒng)有許多顯著優(yōu)點(diǎn)[7]。
從前面的討論我們知道,低壓VRM的電路拓?fù)浜茈y被應(yīng)用到高壓VRM中。因此高壓VRM一般采用具有降壓變壓器的隔離型電路拓?fù)?,降壓變壓器起著降壓和隔離雙重作用。
對(duì)低壓大電流輸出VRM而言,副邊變換器的功率損耗對(duì)整個(gè)電路的效率起著主要作用,因此,為提高電路的轉(zhuǎn)換效率,必須努力降低副邊變換器的損耗,特別是整流器損耗和變壓器的繞組損耗。用同步整流器(低壓MOSFET)替換肖特基整流器可以減少整流器損耗;而降低變壓器的繞組損耗必須努力減小副邊繞組電阻和流過(guò)的電流有效值。合理選擇繞組和變壓器結(jié)構(gòu)可以減小繞組電阻,采用倍流器(Current?Doubler)拓?fù)淇梢詼p小副邊電流的有效值[8]。與倍流器輸出相適應(yīng),變壓器原邊一般采用具有對(duì)稱工作方式的推挽變換器、半橋變換器和全橋變換器。
圖17所示為倍流整流電路(CurrentDoublerRectifier)輸出的傳統(tǒng)推挽變換器及其主要工作波形。
傳統(tǒng)推挽變換器的最主要問(wèn)題是當(dāng)開關(guān)管關(guān)斷(對(duì)Q1而言,t=ton)時(shí),變壓器的漏感產(chǎn)生很大的尖峰電壓加在管子兩端,這與反激變換器的工況相同。為了解決這一問(wèn)題,文獻(xiàn)[7]提出一種新型的推挽正激(Push?PullForward)變換器,其原理圖和主要工作波形如圖18所示。
圖18推挽正激變換器及其主要工作波形
(a)推挽正激變換器電路(b)工作波形
圖19改進(jìn)型推挽正激變換器電路
與傳統(tǒng)推挽變換器電路相比較,推挽正激變換器電路中引入了一個(gè)箝位電容C。在t=0~ton期間,Q1導(dǎo)通,Q2截止,輸入電壓Vin通過(guò)Q1加在繞組1上,而電容C上的電壓VC(等于Vin)則加在繞組2上,這時(shí)電路就象是兩個(gè)正激電路并聯(lián)工作。當(dāng)Q1關(guān)斷后,漏感電流使Q2的反并二極管導(dǎo)通續(xù)流,而電容C將開關(guān)管Q1的端電壓箝位在2Vin,因此可以選用額定電壓較低的開關(guān)管以降低通態(tài)損耗。
該推挽正激變換器為一個(gè)二階系統(tǒng),其控制較簡(jiǎn)單,瞬態(tài)響應(yīng)快;它具有較高的轉(zhuǎn)換效率,而且變壓器和電感可以很容易集成在一起[9],從而大大提高變換器的功率密度。
最近,文獻(xiàn)[10]將內(nèi)置輸入濾波器概念[6]引入至推挽正激變換器中,提出了改進(jìn)型推挽正激變換器,如圖19所示。這一新拓?fù)渲械拈_關(guān)電流和繞組電流與推挽正激變換器中的相同,但輸入電流卻幾乎是平坦的,這是由于輸入電流同時(shí)流過(guò)兩個(gè)繞組且有紋波抵消作用,這正是內(nèi)置輸入濾波器的作用[6]。改進(jìn)型推挽正激變換器的輸入濾波器尺寸可以大大減小,或直接利用變壓器的漏感作為輸入濾波器,且可與其它磁元件集成在一起,使變換器的效率得到大大提高[10][11]。
4結(jié)語(yǔ)
VRM拓?fù)溆性S許多多,每種拓?fù)溆衅涮攸c(diǎn)和適用的工況。將準(zhǔn)方波工作方式的同步整流Buck電路交錯(cuò)并聯(lián),可大大降低輸出電流紋波,從而減小輸出濾波器的尺寸,同時(shí)滿足快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)和高效率、高功率密度的要求;通過(guò)自耦合電感,可以拓展整流開關(guān)管的占空比,改善電路的瞬態(tài)響應(yīng)性能,提高變換器整體轉(zhuǎn)換效率;有源箝位電路可以抑制漏感引起的尖峰電壓,減少開關(guān)器件的電壓應(yīng)力,同時(shí)亦可降低電路損耗;將內(nèi)置輸入濾波器概念引入VRM拓?fù)渲?,并利用集成磁技術(shù),可進(jìn)一步改善電路工況,減小濾波器尺寸。
目前VRM拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)改進(jìn)或新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的提出,其基本思想是如何滿足VRM高效率、高密度和快速瞬態(tài)響應(yīng)的要求,同時(shí)非常重視包括磁集成技術(shù)在內(nèi)的集成封裝技術(shù)的運(yùn)用,并將能否采用集成技術(shù)作為判斷拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)性能優(yōu)劣的一個(gè)重要因素,因此這應(yīng)成為我們今后研究VRM技術(shù)的努力方向。
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