變流器的核心器件MOSFET和IGBT 作者： 時(shí)間：2011-05-05 來源：網(wǎng)絡(luò) 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 7515="399">三菱的CM400DU-24NFH，該器件最大額定電流為400A，這是一個(gè)開關(guān)速度很快的IGBT，其飽和壓降比較大，一般應(yīng)用在工作頻率較高的地方，所以，總損耗較大，因此一般峰值電流在200A左右。從下圖可以清楚地看到，該IGBT集電極電流小于350A時(shí)，其飽和壓降為負(fù)溫度系數(shù)。 上一頁 1 2 下一頁
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