新穎的小功率集成的ACDC轉(zhuǎn)換器方案

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師、電路設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新提供了一個先進(jìn)的技術(shù)平臺，從而有許許多多新穎的、時尚的便攜式電子產(chǎn)品呈現(xiàn)在世人面前，像PDA、3G手機(jī)、各種個人電子醫(yī)療保健裝置以及層出不窮的游戲機(jī)等等。這些便攜式電子產(chǎn)品大多需要高檔的開關(guān)電源來供電或充電，此外，還有許多先進(jìn)的便攜式儀器儀表，工控裝置乃至像剃須刀這樣的日常用具也需要開關(guān)電源。正是在這種背景下，PHILIPS推出了STARplug電源IC產(chǎn)品系列。

該系列不但滿足了便攜式電子產(chǎn)品微功耗、高可靠、微小型化等要求，還滿足了使用安全性和環(huán)保的需求。

關(guān)于STARplug產(chǎn)品系列

STARplug有兩個系列，即TEA152X系列和TEA162X系列(見表1)。TEA152X系列是早在2000年9月問世的，TEA162X系列則是對TEA152X系列的改進(jìn)，并于2004年5月定型的，這兩者在框圖、電路結(jié)構(gòu)、外引線排列及絕大多數(shù)電參數(shù)都是相同的。所不同的僅在芯片內(nèi)部高壓啟動電流源上，TEA152X系列Icharge=1.5mA(典型值)，TEA162X系列Icharge=500uA(典型值)。

STARplug采用多芯片結(jié)構(gòu)。所有控制部分用BiCMOS工藝集成在一個芯片上，而功率部分則用EZ-HV工藝做在另一個芯片上，然后在同一個基片上優(yōu)化組合而成。從制造工藝上看，飛利浦采用了先進(jìn)的全氧化隔離工藝(或稱介質(zhì)隔離工藝)，因此其有以下特點(diǎn)：

1. 可免除鎖定效應(yīng)(鎖定效應(yīng)是CMOS電路特有的一種失效模式)；
　　2. 可以方便地在同一個芯片上實(shí)現(xiàn)模擬，數(shù)字和功率電路的集成；
　　3. 芯片面積也比標(biāo)準(zhǔn)的PN結(jié)隔離要小；
　　4. 漏電流極低，適于高溫環(huán)境下工作；
　　5. 寄生電容小，通過襯底產(chǎn)生的串?dāng)_和EMC的概率很??；
　　6. 抵御外部電火花及反極性的能力強(qiáng)。

這些都有利于支撐STARplug的高性能和高可靠性。

從電路設(shè)計(jì)上看，一個重要的特點(diǎn)是提出了谷值轉(zhuǎn)換的概念。

一般說來，功率MOS管耗散的功率是開關(guān)電源自身功耗的主要來源。它與電源的可靠性，穩(wěn)定性，效率都密切相關(guān)。功率MOS管的功耗通常由三部分組成：

1. MOS管截止時的功耗，即VDS為高電平的功耗：這個功耗主要由漏極D和源極S之間的漏電流來決定，與芯片制造工藝有關(guān)，IDS(off)通常在微安量級，因此這部分功耗極低，一般可以忽略。

2. MOS管導(dǎo)通時的功耗，即VDS為低電平時的功耗，這個功耗主要決定于漏極和源極之間的導(dǎo)通電阻RDS(on)。這與芯片設(shè)計(jì)的幾何參數(shù)有關(guān)。

3. MOS管動態(tài)功耗，即MOS管由截止向?qū)ㄞD(zhuǎn)換，或由導(dǎo)通向截止轉(zhuǎn)換時的功耗。這個功耗可用下式計(jì)算：

飛利浦的電路設(shè)計(jì)師，分析了上述公式，認(rèn)識到要降低開關(guān)電源的動態(tài)功耗，只能由降低轉(zhuǎn)換時的VDS和負(fù)載下降時的f入手。通常VDS為380V左右，如果利用電路諧振將VDS于谷底(接近于0V)時，使MOS管由截止進(jìn)入導(dǎo)通，則MOS管的動態(tài)功耗將下降幾個數(shù)量級。為此，在電路設(shè)計(jì)上，加上了谷值檢測電路，一旦電路諧振，能正確地測出“谷底”，并在VDS進(jìn)入“谷底”之時，在柵極G和源極S之間輸入經(jīng)PWM后的脈沖上升沿。

上個世紀(jì)90年代的PWM芯片，工作頻率f大多為固定頻率。為了降低功耗，特別是降低待機(jī)功率，STARplug采取了可調(diào)變頻率的靈活電路設(shè)計(jì)。用戶設(shè)定的頻率為滿載時的工作頻率。當(dāng)負(fù)載下降時，工作頻率也相應(yīng)下降。從而保證了待機(jī)功耗低于100mW。

此外，STARplug系列芯片用高壓電流源來啟動，一旦IC進(jìn)入正常工作狀態(tài)，則高壓電流源將自動切斷，從而減少了電路的功耗。由此可知，電路的整個設(shè)計(jì)過程。都貫徹了一條減少功耗的思想，正是因?yàn)楣β蔒OS管和控制部份都有效地大幅度地減少了功耗，因此就能夠?qū)⒐β势骷涂刂齐娐芳稍谝粋€封裝中，有效地減少了外圍元件。另外為了使電路能可靠地工作，還提供了完善的保護(hù)功能，包括了逐個周期過流保護(hù)、欠壓鎖定、過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、繞組短路保護(hù)、退磁保護(hù)。

STARplug功能描述
　　1. STARplug的結(jié)構(gòu)
　　圖1是STARplug的內(nèi)部電路框圖。不難看出，圖中包括功率MOS管和控制電路兩大部分。功率MOS管主要用來實(shí)現(xiàn)功率的傳輸和轉(zhuǎn)換。而控制電路則肩負(fù)三大任務(wù)：
　　1. 實(shí)現(xiàn)所有保護(hù)功能的快速反應(yīng)。
　　2. 谷值電平的準(zhǔn)確檢測。
　　3. 工作周期的控制(即PWM功能)。

圖1：STARplug內(nèi)部電路框圖。

過壓保護(hù)

在芯片的框圖中，雖然沒有為過壓保護(hù)設(shè)計(jì)專門的通道，但這個功能是存在的。在實(shí)際應(yīng)用過程中，一旦產(chǎn)生過電壓，則必然將REG端的工作電平上拉，從而使初級繞組的工作行程 立即終止。只有當(dāng)過壓消除，REG端電壓恢復(fù)到正常值，功率MOS管才能正常開關(guān)。

Starplug的應(yīng)用

前已述及，STARplug有兩種反饋方式，這兩種方式就構(gòu)成了STARplug作為反激式AC/DC轉(zhuǎn)換器的兩種典型應(yīng)用電路。

圖2是最簡單最基本的應(yīng)用電路，其特征就是由變壓器的輔助繞組來反饋電網(wǎng)和負(fù)載的變化。

由圖2可見，由整流橋和濾波器組成了電路的輸入部分，并通過變壓器初級繞組加到TEA162x的Drn端。顯然，TEA162x是整個轉(zhuǎn)換器的心臟，以下圍繞TEA162x分析一下圖2的各部分電路。

1. 由C3R2組成振蕩電路

振蕩電路元件的值是根據(jù)工作頻率來確定的，STARplug的開關(guān)頻率可在10kHZ到200kHZ之間工作，通常工作頻率大都選在40~100kHZ之間。

頻率選定了，則可按下式來計(jì)算元件值：

振蕩器的充電時間tcharge，由STARplug的參數(shù)表中查出為1us。

至于RC的取值，可先選定C，然后再算R值，要保持電路的穩(wěn)定，電容C必須大于220pF，但從效率方面來考慮，頻率高時亦不宜將電容選得太大，例如200kHZ時，C取10nF，則振蕩器的功耗達(dá)到12.5mW，這顯然是不可取的。

推薦實(shí)例：開關(guān)頻率取100kHZ，這時振蕩器的時間常數(shù)為2.7us，C取330pF，R=7.5kΩ。

2. 過流保護(hù)和繞組短路保護(hù)電阻R3：

電阻R3設(shè)置了變壓器初級峰值電流，也設(shè)定了最大傳輸?shù)妮敵龉β?，電阻R3的值可用下式計(jì)算：　　

由STAR plug的手冊可得知：

實(shí)例：一個3W的電源，開關(guān)頻率為100kHZ，效率為75%，通過變壓器的峰值電流為230mA(反射電壓)，則電阻R3設(shè)定為2Ω，限定峰值電流為250mA。

3. 穩(wěn)壓元件R4和R8：

在輔助繞組反饋的電路中，輸出電壓是受輔助繞組控制的。實(shí)際上在變壓器中所有繞組都有同一個磁通變量，次級輸出電壓和輔助電壓VCC是通過變壓器的匝數(shù)比Na/Ns而關(guān)聯(lián)的。VCC的電壓信息又通過一個電阻分壓器，即R4和R8提供給REG端的，因此，TEA162X直接穩(wěn)定了VCC的輸出電壓，間接的穩(wěn)定了輸出電壓。

這兩個電阻的值可由下式確定：

為防止瞬時高壓對REG的影響，推薦R4的值為3k-10kΩ之間。

4、退磁電阻R5：

這個電阻是用來限制流入Aux腿的電流的，根據(jù)產(chǎn)品的技術(shù)條件，流入Aux腿的最大電流為5mA，流出的最大電流為10mA，基于這點(diǎn)，產(chǎn)品的設(shè)計(jì)者給出了一個近似的估算式：

這個式子，不要從量綱上去考慮，僅作為一個經(jīng)驗(yàn)的估算法。

5、供電電路C5、R6、D8：

前已述及，芯片內(nèi)的高壓啟動電流源對電容C5充電，當(dāng)充電電壓達(dá)到電路啟動電壓9V以上時，TEA162x進(jìn)行工作狀態(tài)。C5的值應(yīng)小1uF，實(shí)際上在所有的應(yīng)用中都選用470nF。

與輔助繞組相連的二極管只需選用普通二極管。