國(guó)產(chǎn)55納米相變存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)布
日前,寧波時(shí)代全芯科技有限公司正式發(fā)布中國(guó)自主研發(fā)的第一款具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的55納米相變存儲(chǔ)技術(shù),為中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)廠商在云計(jì)算和大數(shù)據(jù)時(shí)代開(kāi)辟了一條自主創(chuàng)“芯”之路,結(jié)束了中國(guó)芯片存儲(chǔ)技術(shù)長(zhǎng)期依靠進(jìn)口,徹底打破了中國(guó)的“無(wú)芯”時(shí)代。發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng),寧波市政府相關(guān)部門(mén)的領(lǐng)導(dǎo)、寧波鄞州工業(yè)園區(qū)的領(lǐng)導(dǎo)、行業(yè)專(zhuān)家和教授以及客戶代表、媒體記者約200人見(jiàn)證了55納米相變存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)布。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/215112.htm從靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)(SRAM)到動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)(DRAM)再到當(dāng)前熱門(mén)的閃存技術(shù)(Flash),人類(lèi)對(duì)于存儲(chǔ)性能的追求是無(wú)止境的。在云計(jì)算、大數(shù)據(jù)時(shí)代,數(shù)據(jù)的迅猛增長(zhǎng)對(duì)存儲(chǔ)的處理性能提出了更高的甚至近乎苛刻的要求。近幾年才逐漸步入商品化的新一代存儲(chǔ)技術(shù)——相變存儲(chǔ)(PCM),以高性能著稱(chēng),具有替代傳統(tǒng)存儲(chǔ)甚至閃存的能力,由此勢(shì)必將引發(fā)存儲(chǔ)市場(chǎng)的新一輪變革。
據(jù)悉,第一批商業(yè)化的PCM產(chǎn)品預(yù)計(jì)在今年內(nèi)推出,而其主流產(chǎn)品,如替代傳統(tǒng)硬盤(pán)的固態(tài)硬盤(pán)將于2014年推出。目前,全球只有三星、美光等少數(shù)幾家國(guó)外廠商擁有商品化的相變存儲(chǔ)器,而寧波時(shí)代全芯科技有限公司自主研發(fā)的55納米相變存儲(chǔ)技術(shù)讓中國(guó)人第一次闖入了以前由外國(guó)廠商壟斷的相變存儲(chǔ)市場(chǎng)。
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