用于為長(zhǎng)串LED提供高壓boost電流源的驅(qū)動(dòng)方案

圖14中，LED串開路，MAX16834的過壓保護(hù)(OVP)電路在重新啟動(dòng)之前將首先關(guān)斷驅(qū)動(dòng)器400ms。因?yàn)檩敵鲭娙葺^小，電感儲(chǔ)能可能產(chǎn)生的過沖，因此采用了107V峰值電壓設(shè)置(高于83V設(shè)計(jì)值)。

電路調(diào)整及其它輸入、輸出

R15是線性數(shù)字電位器，可以在0A至1.7A之間任意調(diào)節(jié)LED電流。MAX16834具有一個(gè)輸入(SYNC)，用于同步控制器的開關(guān)頻率。UVEN輸入允許外部控制驅(qū)動(dòng)器(通/斷)。REFIN輸入端的低阻信號(hào)源可以優(yōu)先于電位器設(shè)置，控制驅(qū)動(dòng)器電流。例如，微控制器經(jīng)過緩沖的DAC可以通過REFIN直接控制LED電流。出現(xiàn)故障(例如OVP)時(shí)，F(xiàn)LT#輸出低電平。一旦解除故障，信號(hào)變?yōu)楦唠娖剑撔盘?hào)并不閉鎖。

溫升

測(cè)量效率為96.63% (VIN = 24.01V、I_IN = 1.49A、PIN = 115.49W、VLED = 74.9V、I_LED = 1.49A、POUT = 111.60W)。由于電路的頻率較高，驅(qū)動(dòng)器元件并不發(fā)熱。溫度最高的元件為調(diào)光MOSFET Q4，溫升大約41°C。這一溫升是由于小尺寸PCB布局造成的，可以通過增大漏極附近的覆銅面積改善。電感尺寸較大，具有23°C的溫升，高于預(yù)期的7°C (圖15)。電感似乎吸收了部分MOSFET熱量，因?yàn)樗鼈児灿么竺娣e覆銅焊盤。溫度測(cè)量

以下溫度是在實(shí)際LED負(fù)載測(cè)試中得到的：

VIN:24VDC

Ambient:16°CΔT

L1:39°C23°C

D1:51°C35°C

Q1:51°C35°C

Q3:57°C41°C

IC:33°C17°C

上電步驟

在LED+和LED-之間連接最多20只串聯(lián)LED，同時(shí)串聯(lián)安培表以測(cè)量電流(注：如果LED的正向?qū)妷和耆ヅ洳⑶?或者增加串聯(lián)均衡電阻，可以采用并聯(lián)架構(gòu))?！　≡赩IN和GND之間連接24V、6A電源。

在連接器J2插入短路器。

打開24V電源。

調(diào)節(jié)R15將電流設(shè)置為0至1.5A。

如果需要調(diào)光，則在DIM IN和GND之間連接PWM信號(hào)(0V至3.3V)。

按照上述內(nèi)容調(diào)節(jié)PWM占空比，實(shí)現(xiàn)調(diào)光。