解讀2013年LED照明十大關(guān)鍵技術(shù)

OLED稱為有機(jī)發(fā)光二極管，是基于有機(jī)半導(dǎo)體材料的發(fā)光二極管。OLED由于具有全固態(tài)、主動(dòng)發(fā)光、高對(duì)比、超薄、低功耗、無(wú)視角限制、響應(yīng)速度快、工作溫度范圍寬、易于實(shí)現(xiàn)柔性和大面積、功耗低等諸多優(yōu)點(diǎn)。目前OLED已在手機(jī)終端等小尺寸顯示領(lǐng)域得到應(yīng)用，在大尺寸電視和照明領(lǐng)域的發(fā)展?jié)摿σ驳玫綐I(yè)界的認(rèn)可。OLED已經(jīng)被視為21世紀(jì)最具前途的顯示和照明產(chǎn)品之一。

　　而OLED，正是從2012年正式登上了照明的舞臺(tái)，雖然目前只是一個(gè)小角色，但是對(duì)LED有不小的替代威脅。

　　在4月的法蘭克福展上，Philips首次展示出最新OLED技術(shù)的Lumiblade OLED GL350面板，每片GL350OLED面板尺寸約155平方公分，亮度可達(dá)115LM。

　　而在2012年5月8日-11日的美國(guó)拉斯維加斯照明展上，Philips再次展出了一個(gè)OLED鏡子的產(chǎn)品，它會(huì)自動(dòng)感應(yīng)人體的接近與否，自動(dòng)把周圍的OLED光源模組做調(diào)整，中間變暗變成具備鏡子的效果。成功的將智慧燈具和OLED的概念整合在一起。

　　作為全球照明市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)品牌的Philips，押寶OLED的意味非常明顯。

　　但是，OLED應(yīng)用于照明領(lǐng)域，光效卻是一個(gè)不小的考驗(yàn)。在顯示領(lǐng)域OLED亮度達(dá)到100～300cd/cm2就可以得到應(yīng)用，然而在照明用途中，亮度至少要達(dá)到1000～3000cd/cm2。未來(lái)幾年，OLED與LED在照明領(lǐng)域的此消彼長(zhǎng)的速率，將取決于OLED光效追趕的進(jìn)度。

　　關(guān)鍵字二：PSS

　　PSS（Patterned Sapphire Substrate），也就是在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)干法刻蝕用掩膜，用標(biāo)準(zhǔn)的光刻制程將掩膜刻出圖形，利用ICP刻蝕技術(shù)刻蝕藍(lán)寶石，并去掉掩膜，再在其上生長(zhǎng)GaN材料，使GaN材料的縱向發(fā)展變?yōu)闄M向。一方面可以有效減少GaN外延材料的位元錯(cuò)密度，從而減小有源區(qū)的非輻射復(fù)合，提升內(nèi)量子效率，減小反向漏電流，提高LED的壽命;另一方面有源區(qū)發(fā)出的光，經(jīng)GaN和藍(lán)寶石襯底接口多次散射，改變了全反射光的出射角，增加了倒裝LED的光從藍(lán)寶石襯底出射的幾率，從而提高了光的提取效率。

　　因此，PSS一時(shí)間成為外延廠商爭(zhēng)相采用的提升亮度的主流技術(shù)，迅速的普及化，到2013年下半年P(guān)SS已經(jīng)占到了全世界LED用藍(lán)寶石基板的近八成。

　　而上半年的時(shí)候，藍(lán)寶石襯底平片價(jià)格跌入低谷，襯底廠商普遍的陷入虧損。而PSS因?yàn)槭袌?chǎng)需求強(qiáng)勁，一時(shí)間市場(chǎng)價(jià)格超過(guò)平片2倍以上，吸引藍(lán)寶石基板廠加碼部署，期望以此突破營(yíng)收虧損的困境。然而隨著新增產(chǎn)能逐漸投入使用，PSS價(jià)格下降的速度也是驚人之快。

　　而一些大廠此時(shí)已經(jīng)考慮采用更為先進(jìn)的nPSS技術(shù)，nPSS的pitch不到1um，亮度能比PSS再提升3%到10%。而壓印要比蝕刻的成本更低出1美金以上，穩(wěn)定性及一致性表現(xiàn)也要好。期待靠PSS來(lái)拯救頹勢(shì)的襯底廠恐怕又一次要失望，不過(guò)技術(shù)進(jìn)步的路徑誰(shuí)又能猜得到？

　　關(guān)鍵字三：非藍(lán)寶石襯底

　　除開CREE成功的商業(yè)化SiC襯底之外，人們已經(jīng)習(xí)慣了襯底材料就是藍(lán)寶石了。不過(guò)來(lái)到2013年，非藍(lán)寶石襯底方案第一次對(duì)藍(lán)寶石襯底的地位發(fā)起了有威脅的挑戰(zhàn)。

　　最有威脅的挑戰(zhàn)無(wú)疑來(lái)自硅襯底，2013年1月12日，歐司朗宣傳在150mm的硅片上成功長(zhǎng)出GaN的外延，切成1mm2在350mA下亮度可以達(dá)到140lm，該項(xiàng)目是德國(guó)聯(lián)邦教育和研究部資助的“硅上氮化鎵”專案的一部分。

　　而東芝的動(dòng)作就更快一步，2013年12月中，原來(lái)并不涉足封裝的