安森美半導體設計出首款集成控制器為下一代芯片組和DDR存儲提供電源

安森美半導體計算機市場發(fā)展總監(jiān)Mike Kenyon說：“NCP5210領(lǐng)先業(yè)界，為下一代芯片組和DDR存儲提供高集成的電源管理解決方案。安森美半導體將開發(fā)重點集中在生產(chǎn)高性能、經(jīng)濟高效控制器，這是公司為高速變化的臺式電腦環(huán)境提供完整電源解決方案的一環(huán)。”

NCP5210將VDDQ電源和MCH磁心電壓電源的兩個脈寬調(diào)制（PWM）降壓轉(zhuǎn)換器與VTT端頭電壓的2.1安培（A）源-匯線性電源穩(wěn)壓器相結(jié)合。此外，該器件提供多重保護功能，包括軟啟動線路、轉(zhuǎn)換輸入電壓的欠壓監(jiān)測、熱停機以及過流保護。過流保護可防止由于存儲模塊的不正確插放損壞DDR存儲。

NCP5209結(jié)合了一個用于所有DDR存儲VDDQ的PWM降壓轉(zhuǎn)換器、一個VTT線性源-匯穩(wěn)壓器和一個MCH二步進線性方案。它是DDR2主板經(jīng)濟高效的解決方案。

NCP5210和NCP5209采用小巧的QFN-20封裝。現(xiàn)已提供選擇樣品和評估板。這些器件定于第四季度投入生產(chǎn)。該集成控制器系列的其他器件將提供不同規(guī)格，具有更大靈活性，令計算機主板設計人員可以成本和性能為其系統(tǒng)選擇最佳的集成等級。

全面解決方案
NCP5210與NTD60N02R MOSFET結(jié)合使用，為下一代芯片組和DDR存儲提供完整、可刻度的電源方案。NTD60N02R的低臨界電壓具有低門-驅(qū)動電壓較佳的良好傳導特性。

安森美半導體計算機技術(shù)市場總監(jiān)Bernie Boland說：“CPU制造商在微處理器和計算機存儲設計上不斷推進，我們將為其提供滿足他們冒進發(fā)展計劃要求的電源管理解決方案。采用具有實效的電源設計勝過花費時間與金錢從零開始設計和優(yōu)化一套電源系統(tǒng)。因此，安森美半導體提供總包參考設計和應用電源方案所需的電源器件，真正做到與最新主板計算機構(gòu)建模塊的完美配合?！?BR>