提升LED芯片品質(zhì)的方法

　　LED芯片生產(chǎn)流程

　　前段制程Flow Chart

　　ITO蒸鍍前清洗不良造成銲線(xiàn)掉電極

　　封裝廠新增銲線(xiàn)判定標(biāo)準(zhǔn)

　　Plasma在LED應(yīng)用之優(yōu)點(diǎn)

　　Plasma表面清洗是近年來(lái)用在IC、LED、太陽(yáng)能等產(chǎn)業(yè)上的標(biāo)準(zhǔn)制程，利用Ar、H2、O2、N2氣體的物理或化學(xué)作用，讓表面微結(jié)構(gòu)產(chǎn)生官能基或者粗糙度達(dá)到良好的結(jié)合性，或者蝕刻殘余負(fù)光阻等。讓產(chǎn)品的可靠度、穩(wěn)定度提高增加壽命等。

　　采用真空電容式電極技術(shù)，產(chǎn)生高密度、高活性的電漿離子與自由基（Radical）。將LED上的有機(jī)污染物（Organic Contaminant）即碳?xì)浠衔铮晕锢砗突瘜W(xué)的方法有效去除，強(qiáng)化、活化表面的黏著力。

　　水滴角度測(cè)試（增加表面能）

　　Plasma Solutions

　　Plasma Theory

　　● Argon Plasma
　　純物理作用、物理撞擊可將表面高分子的鍵結(jié)打斷，形成微結(jié)構(gòu)粗糙面。
　　● Oxygen Plasma
　　具有化學(xué)作用，可以氧化燃燒高分子聚合物，或者形成雙鑑結(jié)結(jié)構(gòu)的官能子，可表面改質(zhì)。
　　● Hydrogen Plasma
　　具有還原性作用的氣體，可以還原被氧化的金屬表面層
　　● Mix Gas Plasma
　　可以組合上述的氣體種類(lèi)，也可達(dá)到特殊官能基的形成，例如氧氣與氫氣可以形成O-H官能基。

　　三種氣體實(shí)驗(yàn)比較

　　1、Ar/H2混合氣，借由物理撞擊對(duì)表面的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生活化，形成粗糙面增加結(jié)合力。
　　2、O2/H2混合氣，對(duì)金屬面形成OH-基，也可以增加與Compound間的結(jié)合力。
　　3、純Ar氣利用該氣體的重量，達(dá)到最大物理撞擊增加結(jié)合力。

　　Plasma Principle in Parallel Electrode

　　1、RF power在平形板電極造成電場(chǎng)使電子來(lái)回震蕩。
　　2、電子激發(fā)并解氣體產(chǎn)生電漿。
　　3、電漿中的離子物理作用。自由基具有化學(xué)作用。如此與污染源反應(yīng)，在真空中借由氣體流暢，揮發(fā)排出。

　　Carrier

　　Operation Condition

　　金球推力測(cè)試數(shù)據(jù)

　　結(jié)論

　　根據(jù)對(duì)失效LED分析可知，大都（約70%比例）為芯片焊線(xiàn)工藝出現(xiàn)peeling或焊不粘問(wèn)題。而焊線(xiàn)金球推力為影響這個(gè)工藝的關(guān)鍵參數(shù)，因此如何提升這個(gè)參數(shù)成為提高產(chǎn)品品質(zhì)的關(guān)鍵，通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)比在蒸鍍前引入plasma能很大程度提升焊線(xiàn)金球推力，并起到穩(wěn)定工藝制程能力的作用。