白光LED散熱與O2PERA封裝技術(shù)
(2)添加防氧化劑。
(3)主劑的雙重結(jié)合,降低容易氧化的部位。
有關(guān)第(1)項(xiàng),一般認(rèn)為可以透過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂與硬化劑的組合,可望獲得改善。
有關(guān)第(2)項(xiàng),研究人員開(kāi)始檢討防氧化劑的添加量與相性。
有關(guān)第(3)項(xiàng),采用脂環(huán)式環(huán)氧樹(shù)脂,可以解決特性面的問(wèn)題。
提高白色度與反射率
為了使基板白色化,必需將白色顏料添加于樹(shù)脂內(nèi),該白色顏料的選擇會(huì)直接反映在基板的反射率,因此它是非常重的項(xiàng)目。適合LED基板的白色顏料必需選用「在可視光領(lǐng)域的反射率很高,即使低波長(zhǎng)它的反射率也不會(huì)降低的材料」,二氧化鈦比較接近上述要求,其它候補(bǔ)材料則有氧化鋅、鋁等等?;迦籼砑佣趸?,可以提高初期白色度與反射率,缺點(diǎn)是熱與紫外線會(huì)使有機(jī)部份迅速變色。此外若添加填充材料,基板的剛性會(huì)提高、熱變形溫度也隨著變高,它可以提升芯片封裝時(shí)的導(dǎo)線固定性與加工時(shí)的良率。
白色積層板材料
圖5是日本業(yè)者開(kāi)發(fā)的粘貼銅箔白色積層板“CS-3965H”的分光反射率。如圖所示CS-3965H的分 光反射率,從近紫外(波長(zhǎng)420nm)開(kāi)始站立,在可視光全波長(zhǎng)領(lǐng)域達(dá)到87%。如果基板變色時(shí),在藍(lán)光領(lǐng)域(波長(zhǎng)450nm)的反射率會(huì)降低。
圖6是“CS-3965H”經(jīng)過(guò)加熱與紫外線照射后的藍(lán)光反射率變化特性,如圖所示CS-3965H銅箔白色積層板的變色非常低,由于CS-3965H的初期反射率很高,熱與紫外線照射后的反射率變化卻非常低,非常適用于高輝度LED的封裝。
高功率LED的散熱設(shè)計(jì)
白光LED已經(jīng)開(kāi)始應(yīng)用在一般照明與汽車等領(lǐng)域,投入LED的電力也從過(guò)去數(shù)十mW提高數(shù)W等級(jí),因此發(fā)熱問(wèn)題更加表面化。
所謂熱問(wèn)題是指隨著投入電力的增加,LED芯片的溫升造成光輸出降低。有效對(duì)策除了改善芯片的特性之外,搭載LED芯片的封裝材料與結(jié)構(gòu)檢討也非常重要。樹(shù)脂封裝方式是目前市場(chǎng)的主流,由于樹(shù)脂的熱傳導(dǎo)率很低,因此經(jīng)常成為影響熱問(wèn)題的原因之一,目前常用對(duì)策是將金屬導(dǎo)入樹(shù)脂封裝結(jié)構(gòu),或是采用高熱傳導(dǎo)率陶瓷材料。
LED高功率化必需進(jìn)行以下檢討,分別是:
(1)芯片大型化
(2)大電流化
(3)芯片本身的發(fā)光效率改善
(4)高效率取光封裝結(jié)構(gòu)
其中最簡(jiǎn)單的方法是增加電流量,使光量呈比例性增加,不過(guò)此時(shí)LED芯片產(chǎn)生的熱量會(huì)增加。圖7是電流投入LED芯片時(shí)的放射照度量測(cè)結(jié)果,如圖所示在高輸出領(lǐng)域放射照度呈飽和、衰減狀,主要原因是LED芯片發(fā)熱所致,為實(shí)現(xiàn)LED芯片高輸出化,必需進(jìn)行有效的熱對(duì)策。
接著介紹應(yīng)用陶瓷特性的封裝技術(shù)。
封裝的功能
封裝主要目的是保護(hù)內(nèi)部組件,使內(nèi)部組件與外部作電氣性連接,促進(jìn)發(fā)熱的內(nèi)部組件散熱。對(duì)LED芯片而言,封裝的目的是使光線高效率放射到外部,因此要求封裝材料具備高強(qiáng)度、高熱傳導(dǎo)性與高反射性。
陶瓷封裝的優(yōu)點(diǎn)
陶瓷材料幾乎網(wǎng)羅上述所有要求特性,非常適合當(dāng)作LED的封裝。表2是主要陶瓷材料的物性,如表2所示陶瓷材料的耐光劣化性,與耐熱性比傳統(tǒng)環(huán)氧樹(shù)脂更優(yōu)秀。
目前高散熱封裝結(jié)構(gòu)是將LED芯片固定在金屬板上周圍包覆樹(shù)脂,此時(shí)芯片材料與金屬的熱膨脹差異非常大,LED芯片封裝時(shí)與溫度變化的環(huán)境下,產(chǎn)生的熱歪斜極易引發(fā)LED芯片缺陷,造成發(fā)光效率降低、發(fā)熱等問(wèn)題,隨著芯片大型化,未來(lái)熱歪斜勢(shì)必更嚴(yán)重。陶瓷材料的熱膨脹系數(shù)接近LED芯片,因此陶瓷被認(rèn)為是解決熱歪斜最有效的材料之一。
封裝結(jié)構(gòu)
照片1是高輸出LED用陶瓷封裝的實(shí)際外觀;圖8是陶瓷封裝的構(gòu)造范例,圖中的反射器電鍍銀膜,可以提高光照射效率 。圖8(c)是應(yīng)用多層技術(shù),使陶瓷與反射器成形一體結(jié)構(gòu)。
為了使發(fā)熱的LED芯片正常動(dòng)作,必需考慮適當(dāng)?shù)纳嵯到y(tǒng),這意味著封裝已經(jīng)成為散熱組件的一部份。接著介紹有關(guān)散熱的處理方式。
封裝與散熱基板的功能
散熱設(shè)計(jì)必需考慮如何使LED芯片產(chǎn)生的熱透過(guò)筐體釋放到外部。圖9是LED Lamp內(nèi)部的熱流與封裝內(nèi)側(cè)理想熱擴(kuò)散模式。
如圖9右側(cè)實(shí)線所示,高熱擴(kuò)散性封裝的內(nèi)側(cè)(P~Q之間)溫度分布非常平坦,熱可以擴(kuò)散至封裝整體,而且還非常順暢流入封裝基板內(nèi),因此LED芯片正下方的溫度大幅下降。
圖10是利用熱模擬分析確認(rèn)該狀態(tài)獲得的結(jié)果,該圖表示定常狀態(tài)溫度分布,與單位面積時(shí)的單位時(shí)間流動(dòng)的熱量,亦即熱流束的分布狀況。由圖可知使用高熱傳導(dǎo)材料的場(chǎng)合,封裝內(nèi)部的溫差會(huì)變小,此時(shí)并未發(fā)現(xiàn)熱流集中在局部,封裝內(nèi)部的熱擴(kuò)散性因而大幅提高。
陶瓷是由鋁或是氮化鋁制成,若與目前常用的封裝材料環(huán)氧樹(shù)脂比較,鋁質(zhì)陶瓷的熱傳導(dǎo)率是環(huán)氧樹(shù)脂的55倍,氮化鋁陶瓷的熱傳導(dǎo)率是環(huán)氧樹(shù)脂的400倍。此外金屬板的熱傳導(dǎo)率大約是200W/mK,鋁的熱傳導(dǎo)率大約是400W/mK左右,要求高熱傳導(dǎo)率的封裝,大多使用金屬作base。
LED芯片接合劑的功能
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