等離子處理提高65nm邏輯器件可靠性
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時(shí)間：2009-05-20
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)
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實(shí)驗(yàn)
圖1示出了Cu雙大馬士革薄膜堆疊。PECVD TEOS淀積在空白Si襯底上，形成Cu通孔。用PVD淀積TaN/Ta層，作為接觸勢(shì)壘。PVD Cu用來(lái)作為隨后淀積電鍍（ECP）Cu薄膜的籽晶層，然后進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）去除ECP多余的Cu。接著在400℃時(shí)淀積SiN薄膜將Cu覆蓋。最后，淀積TEOS作為SiN上面的鈍化層。淀積薄膜和經(jīng)后處理的薄膜折射率及厚度的測(cè)量是用熱波分光橢圓儀5340c OPTI 探針和KLA-Tencor F5。FTIR頻譜儀和 SIMS分析用來(lái)決定體薄膜和Cu/SiN界面的薄膜組分結(jié)構(gòu)。FTIR室在每次測(cè)量之間用N2沖洗5分鐘，以減少二氧化碳和水氣的影響。
結(jié)果和討論
SiN體薄膜結(jié)構(gòu)效應(yīng)
通過(guò)優(yōu)化反應(yīng)氣體、功率和壓力，在PECVD系統(tǒng)中淀積了二種SiN薄膜：A類(lèi)是低H含量膜；B類(lèi)是高H含量膜。線對(duì)線擊穿電壓（VBD）測(cè)試結(jié)果表明，薄膜內(nèi)H%總含量不影響VBD；但是，Si-H鍵（SiH%）是影響VBD的主要因素。圖2示出的VBD結(jié)果說(shuō)明，良好的VBD性能主要是由于SiN阻擋層薄膜中Si-H鍵的數(shù)目減少。
評(píng)論