等離子預(yù)處理作用
為了了解等離子處理對(duì)Cu/SiN界面的作用,在PECVD系統(tǒng)中于淀積SiN體薄膜前有和沒(méi)有預(yù)處理情況下淀積SiN薄膜。通過(guò)用SIMS測(cè)量Cu和SiN界面污染,研究等離子預(yù)處理的作用。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)說(shuō)明,淀積SiN體薄膜前用NH3處理可顯著減少Cu和SiN界面處的O和C含量(圖3)。增加預(yù)處理時(shí)間也可使O和C含量減少,見(jiàn)圖4和圖5,這表明NH3預(yù)處理是去除有機(jī)污染和減少到Cu的Cu-O的有效方法。
評(píng)論