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等離子處理提高65nm邏輯器件可靠性

作者: 時(shí)間:2009-05-20 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

等離子預(yù)處理作用

為了了解等離子處理對(duì)Cu/界面的作用,在PECVD系統(tǒng)中于淀積體薄膜前有和沒(méi)有預(yù)處理情況下淀積薄膜。通過(guò)用SIMS測(cè)量Cu和SiN界面污染,研究等離子預(yù)處理的作用。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)說(shuō)明,淀積SiN體薄膜前用NH3處理可顯著減少Cu和SiN界面處的O和C含量(圖3)。增加預(yù)處理時(shí)間也可使O和C含量減少,見(jiàn)圖4和圖5,這表明NH3預(yù)處理是去除有機(jī)污染和減少到Cu的Cu-O的有效方法。



關(guān)鍵詞: SiN 65nm

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