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從原理到具體電路,深入剖析MOSFET的工作方式

作者: 時間:2013-09-20 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
損耗。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/228294.htm

  4.1.2隔離的驅(qū)動電路

  (1)正激式驅(qū)動電路。電路原理如圖9(a)所示,N3為去磁繞組,S2為所驅(qū)動的功率管。R2為防止功率管柵極、源極端電壓振蕩的一個阻尼電阻。因不要求漏感較小,且從速度方面考慮,一般R2較小,故在分析中忽略不計。

  從原理到具體電路,深入剖析MOSFET的工作方式

  其等效電路圖如圖9(b)所示脈沖不要求的副邊并聯(lián)一電阻R1,它做為正激變換器的假負(fù)載,用于消除關(guān)斷期間輸出電壓發(fā)生振蕩而誤導(dǎo)通。同時它還可 以作為功率關(guān)斷時的能量泄放回路。該驅(qū)動電路的導(dǎo)通速度主要與被驅(qū)動的S2柵極、源極等效輸入電容的大小、S1的驅(qū)動信號的速度以及S1所能 提供的電流大小有關(guān)。由仿真及分析可知,占空比D越小、R1越大、L越大,磁化電流越小,U1值越小,關(guān)斷速度越慢。該電路具有以下優(yōu)點:

 ?、匐娐方Y(jié)構(gòu)簡單可靠,實現(xiàn)了隔離驅(qū)動。

 ?、谥恍鑶坞娫醇纯商峁?dǎo)通時的正、關(guān)斷時負(fù)壓。

  ③占空比固定時,通過合理的參數(shù)設(shè)計,此驅(qū)動電路也具有較快的開關(guān)速度。

  該電路存在的缺點:一是由于隔離變壓器副邊需要噎嗝假負(fù)載防振蕩,故電路損耗較大;二是當(dāng)占空比變化時關(guān)斷速度變化較大。脈寬較窄時,由于是儲存的能量減少導(dǎo)致柵極的關(guān)斷速度變慢。

 ?。?)有隔離變壓器的互補(bǔ)驅(qū)動電路。如圖10所示,V1、V2為互補(bǔ)工作,電容C起隔離直流的作用,T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐。

  從原理到具體電路,深入剖析MOSFET的工作方式

  導(dǎo)通時隔離變壓器上的電壓為(1-D)Ui、關(guān)斷時為D Ui,若主功率管S可靠導(dǎo)通電壓為12V,而隔離變壓器原副邊匝比N1/N2為12/[(1-D)Ui]。為保證導(dǎo)通期間GS電壓穩(wěn)定C值可稍取大些。該電路具有以下優(yōu)點:

 ?、匐娐方Y(jié)構(gòu)簡單可靠,具有電氣隔離作用。當(dāng)脈寬變化時,驅(qū)動的關(guān)斷能力不會隨著變化。

 ?、谠撾娐分恍枰粋€電源,即為單電源工作。隔直電容C的作用可以在關(guān)斷所驅(qū)動的管子時提供一個負(fù)壓,從而加速了功率管的關(guān)斷,且有較高的抗干擾能力。

  但該電路存在的一個較大缺點是輸出電壓的幅值會隨著占空比的變化而變化。當(dāng)D較小時,負(fù)向電壓小,該電路的抗干擾性變差,且正向電壓較高,應(yīng)該注意使其 幅值不超過柵極的允許電壓。當(dāng)D大于0.5時驅(qū)動電壓正向電壓小于其負(fù)向電壓,此時應(yīng)該注意使其負(fù)電壓值不超過MOAFET柵極允許電壓。所 以該電路比較適用于占空比固定或占空比變化范圍不大以及占空比小于0.5的場合。

 ?。?)集成芯片UC3724/3725構(gòu)成的驅(qū)動電路

  電路構(gòu)成如圖11所示。其中UC3724用來產(chǎn)生高頻載波信號,載波頻率由電容CT和電阻RT決定。一般載波頻率小于600kHz,4腳和6腳兩端產(chǎn)生 高頻調(diào)制波,經(jīng)高頻小磁環(huán)變壓器隔離后送到UC3725芯片7、8兩腳經(jīng)UC3725進(jìn)行調(diào)制后得到驅(qū)動信號,UC3725內(nèi)部有一肖特基整流橋同時將 7、8腳的高頻調(diào)制波整流成一直流電壓供驅(qū)動所需功率。一般來說載波頻率越高驅(qū)動延時越小,但太高抗干擾變差;隔離變壓器磁化電感越大磁化電流越 小,UC3724發(fā)熱越少,但太大使匝數(shù)增多導(dǎo)致寄生參數(shù)影響變大,同樣會使抗干擾能力降低。根據(jù)實驗數(shù)據(jù)得出:對于開關(guān)頻率小于100kHz的信號一般 ?。?00~500)kHz載波頻率較好,變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯,其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動電路僅適合于信 號頻率小于100kHz的場合,因信號頻率相對載波頻率太高的話,相對延時太多,且所需驅(qū)動功率增大,UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高,故 100kHz以上開關(guān)頻率僅對較小極電容的MOSFET才可以。對于1kVA左右開關(guān)頻率小于100kHz的場合,它是一種良好的驅(qū)動電路。該電路具有以 下特點:單電源工作,控制信號與驅(qū)動實現(xiàn)隔離,結(jié)構(gòu)簡單尺寸較小,尤其適用于占空比變化不確定或信號頻率也變化的場合。

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