基于SEP0611的電源管理驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方案

表1 各0Ω電阻上的電流值

在休眠之前和完成喚醒后，系統(tǒng)都處于空閑模式。

phy、cpu_io這四路的電流下降為0,因?yàn)檫@4路電壓都為0,而此時(shí)DDR顆粒和外設(shè)上分別有14mA和17mA的電流。在測(cè)量各路電流的同時(shí)，還采用穩(wěn)壓源供電，測(cè)試了板級(jí)總電流：系統(tǒng)休眠之前的板級(jí)總電流為287mA,休眠之時(shí)為23mA,完成喚醒時(shí)為284mA.

在系統(tǒng)完成喚醒后，測(cè)試了系統(tǒng)中所有設(shè)備驅(qū)動(dòng)的工作情況：系統(tǒng)中的包括TIMER、CPU這樣的系統(tǒng)設(shè)備工作正常；系統(tǒng)中的外設(shè)驅(qū)動(dòng)包括UART、LCDC、I2C、I2S、SDIO、NAND、USB等都能正常工作。

5 結(jié)論

由于在系統(tǒng)休眠時(shí)4路LDO的掉電和除常開(kāi)區(qū)外各路時(shí)鐘的切斷，系統(tǒng)休眠的電流降到了23mA.這個(gè)數(shù)值為系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)的8%,大大降低了系統(tǒng)的功耗。目前的休眠電流主要消耗在DDR顆粒和外部io上，這都有改進(jìn)的空間，例如：可以通過(guò)配置DDR控制器優(yōu)化DDR時(shí)序、打開(kāi)DDR的低功耗模式；采用具有更低功耗的DDR3顆粒；可以檢查整板電路，是否在測(cè)試板休眠時(shí)有回路導(dǎo)致電流泄漏；可以檢查io電路，等等。總體來(lái)說(shuō)，本設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了SEP0611處理器板級(jí)的休眠和喚醒、所有設(shè)備驅(qū)動(dòng)的休眠和喚醒；完成了電源管理驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)；并在功耗測(cè)試板上驗(yàn)證了驅(qū)動(dòng)的正確性。這對(duì)以后管理、降低SEP0611平臺(tái)的整板功耗有重要意義，對(duì)其他平臺(tái)下的電源管理驅(qū)動(dòng)也有一定的借鑒意義。