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典型功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路設(shè)計方案

作者: 時間:2012-06-03 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
無刷直流動機(jī)。C1是自舉電容,為上橋臂功率管的懸浮電源存儲能量,D1的作用是防止上橋臂導(dǎo)通時母線電壓倒流到IR2130的電源上而使器件損壞,因此D1應(yīng)有足夠的反向耐壓,當(dāng)然D1與C1串聯(lián)也是為了滿足主電路功率開關(guān)頻率的要求,D1應(yīng)選快速恢復(fù)二極管。 R1、R2、R10、R11、R12、C4組成過流檢測電路。R5、R6為柵極電阻,D4、D5為功率管提供了一個低阻抗的放電回路,使功率管能夠快速的泄放電荷。

  典型功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路設(shè)計方案

  圖3 無刷直流電機(jī)驅(qū)動原理圖

  功率場效應(yīng)管的柵極與源極之間并聯(lián)了一個電阻和一個齊納二極管,電阻的作用是降低柵極與源極間的阻抗,齊納二極管的作用是防止柵極與源極間尖端電壓擊穿功率管。同時在功率場效應(yīng)管的漏極與源極之間并聯(lián)了一個RC電路和齊納二極管,由于器件開關(guān)瞬間電流的突變而產(chǎn)生漏極尖峰電壓,所以必須加上RC緩沖電路和齊納二極管對其進(jìn)行保護(hù)。

  在實(shí)際應(yīng)用中柵極的驅(qū)動波形如圖4所示,此波形是在電機(jī)3000RPM時的驅(qū)動波形,可以看出此波形完全能夠滿足要求,同時進(jìn)行了短路、電機(jī)堵轉(zhuǎn)等試驗(yàn),圖3電路也能過很好地保護(hù)功率管。

  典型功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路設(shè)計方案

  圖4 柵極驅(qū)動波形

  4 結(jié)束語

  功率驅(qū)動的設(shè)計可直接決定系統(tǒng)對執(zhí)行機(jī)構(gòu)的驅(qū)動品質(zhì)。文中針對具體的微電機(jī)驅(qū)動保護(hù)系統(tǒng),有針對性地功率驅(qū)動進(jìn)行計算分析與設(shè)計。實(shí)驗(yàn)證明該電路設(shè)計簡單可靠,驅(qū)動與保護(hù)效果良好,完全可以滿足控制系統(tǒng)對執(zhí)行機(jī)構(gòu)的驅(qū)動要求。

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