高效應(yīng)用的增強(qiáng)型第4代CAL二極管

圖1 CAL 4F二極管橫截面，標(biāo)示了場環(huán)、單場板及雙場板結(jié)構(gòu)。鈍化層由氧化層和多晶層組成。

越來越多的功率電子裝置被安裝在惡劣環(huán)境中而沒有任何的外部保護(hù)。增強(qiáng)型第4代CAL二極管通過多晶鈍化層／氧化層設(shè)計，并與新近研發(fā)出來的雙場環(huán)設(shè)計相結(jié)合（如圖1所示），可以應(yīng)用在惡劣條件中。這種新的結(jié)終端設(shè)計的優(yōu)點已經(jīng)應(yīng)用于650V和1700V新電壓等級，也包括已有的1200V續(xù)流二極管。

用于抵御環(huán)境影響（如高濕度和溫度）的新終端設(shè)計的可靠性已經(jīng)通過試驗驗證，試驗時間1000小時，溫度85°C，高濕度（85% r.H.），非常高的反偏電壓（80%阻斷電壓）。在上述試驗條件（85% r.H.／85°C／80%的V_RM）下進(jìn)行試驗期間檢測的漏電流數(shù)據(jù)顯示，整個試驗期間漏電流保持穩(wěn)定。

2.2新型CAL4 F 1700V二極管

對于續(xù)流二極管主要的要求是低的靜態(tài)損耗和低的動態(tài)損耗，二者與二極管的安全并聯(lián)密切關(guān)聯(lián)。為了得到所期望的低的靜態(tài)損耗，低的正向通態(tài)壓降是必須的。然而，正向通態(tài)壓降的降低又會引起動態(tài)損耗的增加。對于CAL4 F 1700V二極管，這兩種功率損耗之間的平衡是通過軸向壽命及摻雜分布的優(yōu)化來獲得，對于在低的和高的開關(guān)頻率下應(yīng)用的二極管尤其如此。

CAL4 F 1700V二極管（額定電流75A）在室溫（RT）和高溫（T_j=150°C）下相應(yīng)的通態(tài)特性曲線示于圖2。CAL4 F 1700V二極管最顯著的通態(tài)特性，是在電流大于50A以后所呈現(xiàn)的正溫度系數(shù)dU/dT。由于正溫度系數(shù)dU/dT的原因，當(dāng)并聯(lián)二極管在高功率應(yīng)用（優(yōu)化靜態(tài)及動態(tài)功率分配）及直流（DC）高電壓應(yīng)用（關(guān)斷期間限制動態(tài)過電壓）時，這種新一代的二極管能夠自動分配電流，保持平衡。

為了評價反向恢復(fù)特性，我們使用了雙脈沖電流，其負(fù)載為電感。續(xù)流二極管（FWD）由通態(tài)向斷態(tài)的切換，由一個與之串聯(lián)的IGBT完成。CAL4 F 1700V二極管的換流dI/dt=1500 A/μs，測試結(jié)果顯示為軟的恢復(fù)特性（見圖3）

圖2 CAL4 F 1700V (75A)二極管的室溫(RT)及150°C通態(tài)特性

圖3 CAL 4F1700V二極管的反向恢復(fù)特性，其中dI/dt=1500 A/μs

為了論證使用新一代CAL 4F 1700V二極管的模塊性能得到改善，我們計算了單個芯片所能承受的負(fù)載電流。計算依據(jù)是由靜態(tài)和動態(tài)損耗而引起的芯片溫度的上升，最大負(fù)載電流就是當(dāng)二極管或IGBT的模擬仿真的溫度超過工作溫度時的負(fù)載電流。

CAL 4F 1700V二極管的增強(qiáng)型終端結(jié)構(gòu)，使它的工作溫度能夠達(dá)到Top=150°C，而CAL I 1700V 和CAL HD 1700V二極管只能工作到Top=125°C。

仿真指出，動態(tài)損耗的降低與最高工作結(jié)溫的提高，二者的結(jié)合，使得CAL 4F二極管的性能比CAL I 1700V和CAL HD 1700V具有顯著的優(yōu)勢。CAL4 F 1700V二極管的電流性能分別比CAL HD 1700V 和 CAL I 1700V二極管高出27％和33％。仿真只計算到二極管的限定電流。

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