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重新理解三極管的關(guān)鍵問題

作者: 時間:2011-08-21 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

隨著科學技的發(fā)展,電子技術(shù)的應用幾乎滲透到了人們生產(chǎn)生活的方方面面。晶體作為電子技術(shù)中一個最為基本的常用器件,其原理對于學習電子技術(shù)的人自然應該是一個重點。原理的關(guān)鍵是要說明以下三點:

1、集電結(jié)為何會發(fā)生反偏導通并產(chǎn)生Ic,這看起來與原理強調(diào)的PN 結(jié)單向?qū)щ娦韵嗝堋?/P>

2、放大狀態(tài)下集電極電流Ic 為什么會只受控于電流Ib 而與電壓無關(guān);即:Ic 與Ib 之間為什么存在著一個固定的放大倍數(shù)關(guān)系。雖然基區(qū)較薄,但只要Ib 為零,則Ic 即為零。

3、飽和狀態(tài)下,Vc 電位很弱的情況下,仍然會有反向大電流Ic 的產(chǎn)生。很多教科書對于這部分內(nèi)容,在講解方法上處理得并不適當。特別是針對初、中級學者的普及性教科書,大多采用了回避的方法,只給出結(jié)論卻不講原因。即使專業(yè)性很強的教科書,采用的講解方法大多也存在有很值得商榷的問題。這些問題集中表現(xiàn)在講解方法的切入角度不恰當,使講解內(nèi)容前后矛盾,甚至造成講還不如不講的效果,使初學者看后容易產(chǎn)生一頭霧水的感覺。筆者根據(jù)多年的總結(jié)思考與教學實踐,對于這部分內(nèi)容摸索出了一個適合于自己教學的新講解方法,并通過具體的教學實踐收到了一定效果。雖然新的講解方法肯定會有所欠缺,但本人還是懷著與同行共同探討的愿望不揣冒昧把它寫出來,以期能通過同行朋友的批評指正來加以完善。一、傳統(tǒng)講法及問題:

傳統(tǒng)講法一般分三步,以NPN 型為例(以下所有討論皆以NPN 型硅管為例),如示意圖A。1.發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子;2.電子在基區(qū)的擴散與復合;3.集電區(qū)收集由基區(qū)擴散過來的電子?!保ㄗ?)

問題1:這種講解方法在第3 步中,講解集電極電流Ic 的形成原因時,不是著重地從載流子的性質(zhì)方面說明集電結(jié)的反偏導通,從而產(chǎn)生了Ic,而是不恰當?shù)貍?cè)重強調(diào)了Vc 的高電位作用,同時又強調(diào)基區(qū)的薄。這種強調(diào)很容易使人產(chǎn)生誤解。以為只要Vc 足夠大基區(qū)足夠薄,集電結(jié)就可以反向?qū)?,PN 結(jié)的單向?qū)щ娦跃蜁АF鋵嵾@正好與的電流放大原理相矛盾。三極管的電流放大原理恰恰要求在放大狀態(tài)下Ic 與Vc 在數(shù)量上必須無關(guān),Ic 只能受控于Ib。問題2:不能很好地說明三極管的飽和狀態(tài)。當三極管工作在飽和區(qū)時,Vc 的值很小甚至還會低于Vb,此時仍然出現(xiàn)了很大的反向飽和電流Ic,也就是說在Vc 很小時,集電結(jié)仍然會出現(xiàn)反向?qū)ǖ默F(xiàn)象。這很明顯地與強調(diào)Vc 的高電位作用相矛盾。

問題3:傳統(tǒng)講法第2 步過于強調(diào)基區(qū)的薄,還容易給人造成這樣的誤解,以為是基區(qū)的足夠薄在支承三極管集電結(jié)的反向?qū)?,只要基區(qū)足夠薄,集電結(jié)就可能會失去PN 結(jié)的單向?qū)щ娞匦?。這顯然與人們利用三極管內(nèi)部兩個PN 結(jié)的單向?qū)щ娦?,來判斷管腳名稱的經(jīng)驗相矛盾。既使基區(qū)很薄,人們判斷管腳名稱時,也并沒有發(fā)現(xiàn)因為基區(qū)的薄而導致PN 結(jié)單向?qū)щ娦允У那闆r?;鶇^(qū)很薄,但兩個PN 結(jié)的單向?qū)щ娞匦匀匀煌旰脽o損,這才使得人們有了判斷三極管管腳名稱的辦法和根據(jù)。

問題4:在第2 步講解為什么Ic 會受Ib 控制,并且Ic 與Ib 之間為什么會存在著一個固定的比例關(guān)系時,不能形象加以說明。只是從工藝上強調(diào)基區(qū)的薄與摻雜度低,不能從根本上說明電流放大倍數(shù)為什么會保持不變。

問題5:割裂與三極管在原理上的自然聯(lián)系,不能實現(xiàn)內(nèi)容上的自然過渡。甚至使人產(chǎn)生矛盾觀念,原理強調(diào)PN 結(jié)單向?qū)щ姺聪蚪刂?,而三極管原理則又要求PN 結(jié)能夠反向?qū)?。同時,也不能體現(xiàn)晶體三極管與電子三極管之間在電流放大原理上的歷史聯(lián)系。

二、新講解方法:

1、切入點:

要想很自然地說明問題,就要選擇恰當?shù)厍腥朦c。講三極管的原理我們從二極管的原理入手講起。二極管的結(jié)構(gòu)與原理都很簡單,內(nèi)部一個PN 結(jié)具有單向?qū)щ娦?,如示意圖B。很明顯圖示二極管處于反偏狀態(tài),PN 結(jié)截止。我們要特別注意這里的截止狀態(tài),實際上PN 結(jié)截止時,總是會有很小的漏電流存在,也就是說PN 結(jié)總是存在著反向關(guān)不斷的現(xiàn)象,PN 結(jié)的單向?qū)щ娦圆⒉皇前俜种佟?/P>

為什么會出現(xiàn)這種現(xiàn)象呢?這主要是因為P 區(qū)除了因“摻雜”而產(chǎn)生的多數(shù)載流子“空穴”之外,還總是會有極少數(shù)的本征載流子“電子”出現(xiàn)。N 區(qū)也是一樣,除了多數(shù)載流子電子之外,也會有極少數(shù)的載流子空穴存在。PN 結(jié)反偏時,能夠正向?qū)щ姷亩鄶?shù)載流子被拉向,使PN 結(jié)變厚,多數(shù)載流子不能再通過PN 結(jié)承擔起載流導電的功能。所以,此時漏電流的形成主要靠的是少數(shù)載流子,是少數(shù)載流子在起導電作用。反偏時,少數(shù)載流子在的作用下能夠很容易地反向穿過PN 結(jié)形成漏電流。漏電流只所以很小,是因為少數(shù)載流子的數(shù)量太少。很明顯,此時漏電流的大小主要取決于少數(shù)載流子的數(shù)量。

如果要想人為地增加漏電流,只要想辦法增加反偏時少數(shù)載流子的數(shù)量即可。所以,如圖B,如果能夠在P區(qū)或N 區(qū)人為地增加少數(shù)載流子的數(shù)量,很自然的漏電流就會人為地增加。其實,光敏二極管的原理就是如此。光敏二極管與普通光敏二極管一樣,它的PN 結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?/P>

因此,光敏二極管工作時應加上反向電壓,如圖所示。當無光照時,電路中也有很小的反向飽和漏電流,一般為1×10-8 —1×10 -9A(稱為暗電流),此時相當于光敏二極管截止;當有光照射時,PN 結(jié)附近受光子的轟擊,半導體內(nèi)被束縛的價電子吸收光子能量而被擊發(fā)產(chǎn)生電子—空穴對,這些載流子的數(shù)目,對于多數(shù)載流子影響不大,但對P 區(qū)和N 區(qū)的少數(shù)載流子來說,則會使少數(shù)載流子的濃度大大提高,在反向電壓作用下,反向飽和漏電流大大增加,形成光電流,該光電流隨入射光強度的變化而相應變化。光電流通過負載RL 時,在電阻兩端將得到隨人射光變化的電壓信號。光敏二極管就是這樣完成電功能轉(zhuǎn)換的。光敏二極管工作在反偏狀態(tài),因為光照可以增加少數(shù)載流子的數(shù)量,因而光照就會導致反向漏電流的改變,人們就是利用這樣的道理制作出了光敏二極管。既然此時漏電流的增加是人為的,那么漏電流的增加部分也就很容易能夠?qū)崿F(xiàn)人為地控制。

2、強調(diào)一個結(jié)論:

講到這里,一定要重點地說明PN 結(jié)正、反偏時,多數(shù)載流子和少數(shù)載流子所充當?shù)慕巧捌湫再|(zhì)。正偏時是多數(shù)載流子載流導電,反偏時是少數(shù)載流子載流導電。所以,正偏電流大,反偏電流小,PN 結(jié)顯示出單向電性。特別是要重點說明,反偏時少數(shù)載流子反向通過PN 結(jié)是很容易的,甚至比正偏時多數(shù)載流子正向通過PN 結(jié)還要容易。為什么呢?大家知道PN 結(jié)內(nèi)部存在有一個因多數(shù)載流子相互擴散而產(chǎn)生的內(nèi)電場,而內(nèi)電場的作用方向總是阻礙多數(shù)載流子的正向通過,所以,多數(shù)載流子正向通過PN 結(jié)時就需要克服內(nèi)電場的作用,需要約0.7伏的外加電壓,這是PN 結(jié)正向?qū)ǖ拈T電壓。

而反偏時,內(nèi)電場在作用下會被加強也就是PN 結(jié)加厚,少數(shù)載流子反向通過PN 結(jié)時,內(nèi)電場作用方向和少數(shù)載流子通過PN 結(jié)的方向一致,也就是說此時的內(nèi)電場對于少數(shù)載流子的反向通過不僅不會有阻礙作用,甚至還會有幫助作用。這就導致了以上我們所說的結(jié)論:反偏時少數(shù)載流子反向通過PN 結(jié)是很容易的,甚至比正偏時多數(shù)載流子正向通過PN 結(jié)還要容易。這個結(jié)論可以很好解釋前面提到的“問題2”,也就是教材后續(xù)內(nèi)容要講到的三極管的飽和狀態(tài)。三極管在飽和狀態(tài)下,集電極電位很低甚至會接近或稍低于基極電位,集電結(jié)處于零偏置,但仍然會有較大的集電結(jié)的反向電流Ic 產(chǎn)生。

3、自然過渡:

繼續(xù)討論圖B,PN 結(jié)的反偏狀態(tài)。利用光照控制少數(shù)載流子的產(chǎn)生數(shù)量就可以實現(xiàn)人為地控制漏電

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