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FRAM使安全氣囊系統(tǒng)更加智能化

作者: 時(shí)間:2014-01-04 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
汽車安全系統(tǒng)預(yù)期在未來(lái)幾年變得更復(fù)雜。這一趨勢(shì)的主要?jiǎng)恿κ穷A(yù)期規(guī)則將影響附加速率和安全氣囊復(fù)雜性以及控制系統(tǒng)穩(wěn)定性。這些系統(tǒng)的電子部分將會(huì)增加,用于這些系統(tǒng)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的需求也將增加。本文簡(jiǎn)要地研究在為較新型安全氣囊選擇存儲(chǔ)器方案時(shí)應(yīng)考慮的問(wèn)題。

正在經(jīng)歷兩個(gè)主要變革。首先,在較新型的中,增加了“智能”。不再像過(guò)去那樣用最大力打開氣囊,好像所有的事故和乘客狀況都相同,而是根據(jù)具體的事故和乘客參數(shù)確定作用力,可能包括碰撞的嚴(yán)重度、乘員的重量以及座位相對(duì)安全氣囊的位置。那些曾經(jīng)受過(guò)標(biāo)準(zhǔn)安全氣囊影響的人會(huì)對(duì)贊同可變力的。智能安全氣囊也能分辨出乘客座位是否為空,如果為空,乘客安全氣囊就不必要打開。考慮到每部汽車的安全氣囊數(shù)量在增加,并且在即使很小的事故中更換氣囊的成本也在增加,因此在為消費(fèi)者大幅節(jié)省修理和保險(xiǎn)成本方面,這一變革是有潛力的。

第二個(gè)變革是汽車正日益配置事件數(shù)據(jù)記錄儀(EDR),這種裝置能收集碰撞信息,類似于飛機(jī)的“黑匣子”。安全氣囊電子控制單元(ECU)通常包括有EDR功能。這一分法很自然,因?yàn)镋DR沒(méi)有飛機(jī)“黑匣子”的殘存性要求,并且安全氣囊控制器是大量重要的傳感器輸入的主要接收者。汽車制造商也很快指出沒(méi)有獨(dú)立使用EDR的空間。

這兩種安全氣囊存儲(chǔ)器應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)器的要求很苛刻,但兩者卻完全不同。因?yàn)樵谥厥鹿手泻芸赡茈娫磿?huì)在某種程度上喪失,所以兩者都需要一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器。要重建事件,則數(shù)據(jù)必須存儲(chǔ)到系統(tǒng)中能寫入的魯棒的非易失性存儲(chǔ)器中。圖1給出了一種具有存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的基本的框圖。

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如果是“智能安全氣囊”,ECU設(shè)計(jì)師希望對(duì)特定事故以適當(dāng)?shù)淖饔昧Υ蜷_安全氣囊。這不僅要求有關(guān)G力的信息,而且也要有乘員信息。智能安全氣囊存儲(chǔ)器的唯一要求就是記錄發(fā)生事故的乘員的歷史信息,包括座位位置和乘員重量。為了保存事故發(fā)生前人員形態(tài)的可靠記錄,有必要連續(xù)儲(chǔ)存這些信息。送至安全氣囊ECU的參數(shù)數(shù)據(jù)由汽車內(nèi)部的加速度計(jì)和傳感器產(chǎn)生。這一連續(xù)的存儲(chǔ)要求比常規(guī)閃存寫得頻繁得多的存儲(chǔ)器工藝。

對(duì)EDR,難點(diǎn)與希望的數(shù)據(jù)量和可用的存儲(chǔ)時(shí)間有關(guān)。預(yù)計(jì)新規(guī)則將大大擴(kuò)展要獲取的數(shù)據(jù)量。發(fā)生嚴(yán)重事故時(shí),電源很可能丟失。這時(shí),EDR系統(tǒng)在系統(tǒng)掉電前,快速將數(shù)據(jù)儲(chǔ)存下來(lái)。在事故中,電源總是突然斷掉,常規(guī)非易失性存儲(chǔ)方案花費(fèi)時(shí)間太長(zhǎng),無(wú)法編程新信息。

提供的技術(shù)方案能同時(shí)應(yīng)對(duì)這兩種挑戰(zhàn)。像其它的可選方案一樣,具有可靠的非易失性存儲(chǔ)。主要差別是其寫操作的高耐久性(能寫很多次)和寫速度。

安全氣囊應(yīng)用普遍選擇5V工作的串行外設(shè)接口(SPI)FRAM存儲(chǔ)器,這些器件的寫耐久性超過(guò)1萬(wàn)億次(1×1012)寫操作,這足夠智能安全氣囊連續(xù)寫操作了,能實(shí)現(xiàn)乘員數(shù)據(jù)無(wú)縫記錄。這些器件也能以總線接口速度進(jìn)行寫操作。無(wú)延遲地以5MHz到20MHz速率寫能使主處理器流數(shù)據(jù)盡可能地快,同時(shí)丟失信息的風(fēng)險(xiǎn)非常小。非易失性、無(wú)與倫比的寫耐久性再配上快速數(shù)據(jù)采集能力,使FRAM成為下一代高級(jí)安全氣囊系統(tǒng)的理想存儲(chǔ)器工藝。

以前,汽車應(yīng)用的主要非易失性存儲(chǔ)器工藝是柵極懸空的器件,如EEPROM或閃存。柵極懸空器件都采用一SiO2薄層將多晶硅柵極與溝道隔離。對(duì)器件編程時(shí),在控制柵極上產(chǎn)生高壓使電子加速流向源極(N溝道器件)。因此,電子獲得足夠的動(dòng)能穿透絕緣層,在多晶硅材料上被捕獲(見圖2)。

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這樣就在溝道中形成了耗盡層,因此在特定的柵極電壓下,被編程的器件為截止(阻抗較高),未被編程或擦除的器件則為導(dǎo)通(阻抗較低)。

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