Fairchild推出適用于整體功率分立器件技術(shù)平臺(tái)的高壓SPICE模型

　　過去，高壓(HV)分立器件和產(chǎn)品開發(fā)需要經(jīng)過一系列漫長的過程，在該過程多種技術(shù)通過利用TCAD*、制造與封裝物理部件、進(jìn)行測量及展開迭代校準(zhǔn)周期得以開發(fā)。

　　由于設(shè)計(jì)人員采用SPICE而非TCAD模擬應(yīng)用電路，因此通常在技術(shù)開發(fā)后期(即基于硅的SPICE模型最終可用時(shí))才進(jìn)行應(yīng)用仿真并對其進(jìn)行校準(zhǔn)。當(dāng)技術(shù)發(fā)生任何變化或調(diào)整，都要求相應(yīng)的分立SPICE模型在可用于應(yīng)用仿真之前進(jìn)行新一輪的TCAD仿真、器件制造以及測量。

　　現(xiàn)在，新開發(fā)的基于物理、可擴(kuò)展SPICE模型集成了工藝技術(shù)，位于設(shè)計(jì)流程的最前沿。憑借SPICE模型，設(shè)計(jì)人員可先模擬產(chǎn)品性能再進(jìn)行器件制造，這樣就能縮短設(shè)計(jì)和制造周期，進(jìn)而降低成本并加快產(chǎn)品上市時(shí)間。

　　Fairchild已推出可擴(kuò)展的物理SPICE級模型，適用于下列高壓分立技術(shù)：

　　IGBT(FS溝道650 V)

　　超結(jié)FET(600 V和800 V SuperFET® MOSFET)

　　高壓二極管(STEALTH™ I、II型二極管和HyperFast系列二極管)

　　Fairchild高壓SPICE模型是一種適用于整個(gè)技術(shù)平臺(tái)的物理模型，能夠追蹤布局和工藝技術(shù)變更，并非根據(jù)每個(gè)器件尺寸以及工藝變化而開發(fā)的獨(dú)立分立器件模型庫。

　　Fairchild全球銷售與應(yīng)用部門高級副總裁Chris Allexandre表示：“Fairchild專注于提供出色的高壓設(shè)計(jì)平臺(tái)。這些全新的SPICE模型不僅可實(shí)現(xiàn)虛擬原型設(shè)計(jì)，而且有助于我們的客戶更快速地解決問題、開發(fā)新產(chǎn)品并在最短時(shí)間內(nèi)上市。這也表明我們恪守承諾，為客戶提供價(jià)值可觀的優(yōu)質(zhì)服務(wù)。”