應用材料推出CMP和CVD新半導體制造系統(tǒng)產品

　　加利福尼亞州圣克拉拉--應用材料公司今日宣布推出兩款幫助客戶解決在制造高性能、低功耗3D器件關鍵性挑戰(zhàn)的全新半導體制造系統(tǒng)，展示了其在高尖端半導體材料工程上的專業(yè)領先地位。其中，AppliedReflexion®LKPrime™化學機械研磨拋光系統(tǒng)(CMP)擁有出色的硅片平整拋光性能，能讓FinFET及3DNAND結構的應用達到納米級的精度。另一款AppliedProducer®XPPrecision™化學氣相淀積系統(tǒng)(CVD)則能滿足垂直3DNAND結構對淀積的基本要求。全新的CMP和CVD設備直接解決了3D結構在精密、材料及缺陷方面的挑戰(zhàn)，幫助其實現(xiàn)大批量生產。

　　應用材料公司半導體材料事業(yè)部執(zhí)行副總裁兼總經理RandhirThakur博士表示："隨著人們對移動性的需求日益增加，3D結構也日趨復雜化，因而亟需工程領域的創(chuàng)新。復雜的設計需要大量新技術、新材料的投入，以實現(xiàn)最佳的器件性能，并提高產品良率。今天我們發(fā)布的最新CMP和CVD系統(tǒng)，能夠滿足不同客戶的多樣需求，實現(xiàn)高級3D邏輯和內存芯片的量產轉型。"

　　在3D結構中，CMP對FinFET的柵結構和NAND階梯結構起著至關重要的作用。新器件結構的要求十分嚴苛，有些甚至需要增加至10個研磨拋光工序，而ReflexionLKPrimeCMP系統(tǒng)的設計初衷便是滿足這些高要求。LKPrime設備以其先進的工藝技術，史無前例地推出6個研磨拋光站和8個清洗站步驟并配有先進的高精度工藝參數控制技術，使客戶能夠在硅片薄膜性能和產能方面得到顯著的改善與提高。通過為ReflexionLKPrime系統(tǒng)增加拋光和清洗站，硅片的產出得以翻倍，生產效率提升最高可達100%。

　　通過獨立應用每個研磨拋光站及清洗站，芯片制造商在拋光工藝上擁有了更大的靈活性，可以按不同要求提供特出工藝，精確控制薄膜拋光尺寸及平整度，減少器件缺陷及雜質。LKPrime系統(tǒng)包含即時參數反饋分析和拋光終點探測控制技術，能夠保證硅片薄膜自身的均勻性及硅片與硅片間的可重復性，從而滿足未來器件的節(jié)點要求。憑借這些優(yōu)勢，LKPrime系統(tǒng)在控制FinFET的柵高上能使硅片上所有的器件元達到納米級的均勻性。這是一項十分重要的工藝，因為即使是FinFET柵高的一個極小變化，都會影響器件的性能和良率。對于3DNAND來講因其擁有更厚的薄膜層和大塊的表面結構，需要持久和穩(wěn)定的研磨拋光工藝，多工藝加工站能為其提供穩(wěn)定和可控的拋光平坦化加工。

　　3DNAND產業(yè)的變革也亟需針對垂直柵制作和復雜圖形結構應用的先進沉積技術。ProducerXPPrecisionCVD系統(tǒng)通過對納米級層結構間薄膜厚度的精密控制，達到硅片上關鍵尺寸的高度均勻性，從而支持3DNAND的轉型。該系統(tǒng)性能的關鍵在于獨一無二的精密腔體設計，并能夠調整溫度、等離子體、氣流等關鍵參數。通過提供靈活的工程技術，應用材料公司能幫助客戶實現(xiàn)卓越的應力控制和硅片內、硅片間和層結構間的均勻性，從而支持不同類型的優(yōu)質、低缺陷薄膜的交替淀積，提高柵極性能，降低器件的差異率。

　　全新的XPPrecision系統(tǒng)專為批量生產而設計，將已應用于實際生產中的ProducerCVD技術與更高效快捷的工藝腔技術相結合。此外，該系統(tǒng)采用全新的模塊化主機結構和高速設計理念，進一步提高了產出密度、降低了設備的持有成本。XPPrecision系統(tǒng)大幅優(yōu)化了精密淀積效果，在提高產量的基礎上，使圖案結構和多層式薄膜堆疊實現(xiàn)更薄、更優(yōu)的材料，從而應對3DNAND結構不斷縮小的趨勢。