新聞中心

EEPW首頁 > 電源與新能源 > 新品快遞 > IR新型40V同步整流MOSFET優(yōu)化電信和數(shù)據(jù)通訊應用

IR新型40V同步整流MOSFET優(yōu)化電信和數(shù)據(jù)通訊應用

作者:電子設計應用 時間:2004-06-14 來源:電子設計應用 收藏
電源管理技術領先供應商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱) 推出F7842 40V N溝道HEXFET功率MOSFET,優(yōu)化了電信系統(tǒng)中的隔離式直流-直流轉換器。

F7842的額定電壓為40V,若用于電信及數(shù)據(jù)系統(tǒng)的副邊同步整流電路,則有助于增強系統(tǒng)的可靠性。這些系統(tǒng)的輸入電壓范圍較寬,一般在36V到75V之間,因而會在副邊產(chǎn)生5V至12V的電壓波動。由于額定30V器件不能提供所需的額定富裕電壓,所以需采用額定40V MOSFET。全新40V器件使IR針對電信系統(tǒng)的副邊電源管理開關器件陣營更加充實。

當IRF7842用于配備IR2085S原邊脈寬調(diào)制 (PWM) 集成電路的隔離式直流-直流總線轉換器中的副邊同步整流時,可在150W全負載條件下效率達到95.2%;在相同直流-直流總線轉換器中,IRF7842的效率要比業(yè)界標準的40V器件高出0.5%。

IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富表示:“IRF7842采用了IR的溝槽式MOSFET技術,能優(yōu)化通態(tài)電阻及總體柵電荷,把損耗減至最低。其標準SO-8封裝提供簡易產(chǎn)品升級到現(xiàn)有其它設計?!?/P>

IRF7842現(xiàn)已投入應用。有關芯片產(chǎn)品的供貨資料,可瀏覽http://die.irf.com。數(shù)據(jù)表詳載于www.irf.com,基本規(guī)格如下:

產(chǎn)品型號 BVDSS VGS 10V下最大RDS(on) 4.5V下最大RDS(on) 50% VDS 下典型Qg 典型QGD 封裝
IRF7842 40V +/-20V 5mOhm 5.9mOhm 33nC 10nC SO-8



關鍵詞: IR

評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉