基于DSP片外高速海置SDRAM存儲系統(tǒng)設(shè)計
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3．2 06201 EMIF SDRAM寄存器設(shè)置
表4列出了配置SDRAM需要設(shè)置的EMIF寄存器名稱及相應(yīng)的位或位段。
EMIF全局控制寄存器中的SDCEN位(位6)設(shè)置為1，用來使能SDRAM同步時鐘SDCLK的輸出。EMIFCE2空間控制寄存器中的MTYPE位段(位6～4)設(shè)置為011b，用來配置CE2為32位寬的SDRAM空間。由IS42S16400數(shù)據(jù)手冊可查得tRC=70 ns、tRp=18 ns、tRCD=18 ns，故而EMIF SDRAM控制寄存器中的TRC位段(位15～12)應(yīng)設(shè)置為0110b，TRP位段(位19～16)應(yīng)設(shè)置為0001b，TRCD位段(位23～20)應(yīng)設(shè)置為0001b。INIT位(位24)置1，用來強制對SDRAM進行上電初始化。RFEN位(位25)置1，用來使能EMIF對SDRAM的刷新。SDWID位(位26)置1，用來向EMIF表明所使用的SDRAM芯片的字寬為16位。由于IS42S16400的刷新頻率為每64 ms 4096次，故根據(jù)公式PERIOD=trefesh/tcyc,EMIF SDRAM時序控制寄存器中的PERIOD位段(位11～O)被設(shè)置為0x61A。
3．3 CCS開發(fā)環(huán)境中SDRAM配置程序源代碼
TI公司的集成開發(fā)環(huán)境CCS(Code Composer Studio)中，IS42S16400SDRAM芯片的配置程序C代碼如下：
結(jié) 語
以上介紹了TMS320C6201 DSP芯片與SDRAM(IS42S16400)的具體硬件接口實現(xiàn)。由于SDRAM具有的大容量、高速度和低價格的優(yōu)勢，使用SDRAM構(gòu)建嵌入式應(yīng)用海量存儲系統(tǒng)會成為一種行之有效的方法。目前該系統(tǒng)已調(diào)試完畢。使用SDRAM作為DSP系統(tǒng)外接高速、大容量主存儲器具有非常明顯的優(yōu)勢，充分顯示了SDRAM在嵌人式系統(tǒng)中的良好應(yīng)用前景。
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