新聞中心

EEPW首頁 > EDA/PCB > 業(yè)界動態(tài) > 臺積電三星 明年強攻3D IC封裝

臺積電三星 明年強攻3D IC封裝

作者: 時間:2015-01-03 來源:經濟日報 收藏

  資策會MIC表示,明年包括美光、、海力士及等半導體大廠,持續(xù)精進推出3D 技術。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/267606.htm

  資策會產業(yè)情報研究所(MIC)指出,全球首顆3D IC異質整合晶片HMC(Hybrid Memory Cube),將在明年正式量產,由記憶體大廠美光(Micron)和(Samsung)為首的混合記憶體立方聯盟(HMCC)推出。

  資策會MIC表示,混合記憶體立方HMC,以3D IC技術堆疊多層動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)和一層邏輯晶片,屬于異質整合晶片。

  另一方面,資策會MIC指出,記憶體大廠海力士(Hynix)明年也將推出高頻寬記憶體HBM(HighBandwidth Memory),以3D IC技術堆疊四層DRAM,屬于同質整合晶片。

  明年在3D IC領域,也可望明顯進展。資策會MIC表示,明年推出最新的InFO(IntegratedFan Out)封裝技術,成本將低于目前2.5D IC層級的CoWoS技術。

  MIC指出,臺積電InFO封裝技術,可因應物聯網及穿戴式裝置所需晶片輕薄短小趨勢。



關鍵詞: 臺積電 三星 IC封裝

評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉