DSP自動(dòng)加載過(guò)程及程序燒寫的簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)

　　上電或復(fù)位完成后，DMA按默認(rèn)時(shí)序從CE1地址復(fù)制64 KB到零起始地址處，加載完成后，DSP從零地址開(kāi)始執(zhí)行。本文中斷向量表從程序空間0地址開(kāi)始存放，每個(gè)中斷向量8個(gè)字節(jié)，總計(jì)大小為0x200字節(jié)。加載完成后程序從0地址開(kāi)始執(zhí)行，直接跳轉(zhuǎn)到DSP主程序入口～c_int 00處。

　　3燒寫程序設(shè)計(jì)

　　應(yīng)用程序編寫完成后，需要將程序燒寫到程序存儲(chǔ)器中。程序燒寫主要有以下幾種方法：

　?、俨捎猛ㄓ脽龑懫鬟M(jìn)行燒寫;

　?、谑褂肅CS中自帶FlashBurn工具燒寫;

　　③用戶自己編寫燒寫程序，由DSP將加載到片上的應(yīng)用程序燒寫到程序存儲(chǔ)器中。

　　使用通用燒寫器燒寫時(shí)，需要程序存儲(chǔ)器為可插拔的，這樣給設(shè)計(jì)帶來(lái)不便。FlashBurn支持的存儲(chǔ)器種類有限，對(duì)于使用國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片的場(chǎng)合不一定合適，另外FlashBurn不能識(shí)別目標(biāo)文件，需要將目標(biāo)文件轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制文件后才可燒寫。

　　采用用戶自己編寫燒寫程序的方法較為靈活。具體方法為：?jiǎn)为?dú)建立一個(gè)燒寫工程文件，燒寫時(shí)，先把應(yīng)用程序工程編譯生成的目標(biāo)文件加載到目標(biāo)DSP電路的RAM中，再把燒寫工程文件生成的目標(biāo)文件加載到目標(biāo)DSP電路RAM的另一個(gè)地址空間中，運(yùn)行main函數(shù)后執(zhí)行燒寫程序直到燒寫完成。這種燒寫方法可以避免兩次加載可能造成的覆蓋，防止第二次加載時(shí)修改第一次加載的內(nèi)容。

　　3.1燒寫程序的。cmd文件和中斷向量表設(shè)計(jì)

　　燒寫程序的。cmd文件與用戶應(yīng)用程序的。cmd文件相同，但程序地址分配空間須嚴(yán)格區(qū)分開(kāi)來(lái)。本文將用戶程序地址空間安排在從0開(kāi)始的0xB400空間內(nèi)，燒寫程序安排在從0xC000開(kāi)始的0x3400空間內(nèi)。燒寫程序。cmd文件地址空間分配如下：

　　MEMORY{

　　VECS：o=0000C000h l=00000400h

　　PMEM：o=0000C400h l=00003000h

　　}

　　如果需要優(yōu)化程序空間，可以通過(guò)編譯生成的。map文件得到用戶程序和燒寫程序?qū)嶋H占用的空間，通過(guò)修改，。cmd文件進(jìn)一步優(yōu)化。

　　燒寫程序沒(méi)有中斷，可以只保留_c_int00，簡(jiǎn)單起見(jiàn)，也可以采用與應(yīng)用程序完全相同的中斷向量表。

　　3.2燒寫程序設(shè)計(jì)

　　在設(shè)計(jì)燒寫程序前，需要充分了解程序存儲(chǔ)芯片的操作過(guò)程。本文使用的FLASH芯片AM29LV160的操作碼，有寫操作、讀操作、芯片擦除、塊擦除、鎖定等十余種操作。FLASH芯片在寫操作前需要先進(jìn)行擦除操作。燒寫程序如下：

　　燒寫程序設(shè)計(jì)和燒寫操作中有以下幾點(diǎn)需要注意：

　　①燒寫時(shí)，一定要先把應(yīng)用程序目標(biāo)文件加載到RAM中，再把燒寫程序目標(biāo)文件加載到RAM中，然后運(yùn)行main函數(shù)執(zhí)行燒寫。

　　②程序中FLASH_ADDRS為自動(dòng)加載前程序存儲(chǔ)的FLASH芯片地址，本文為0X01000000;RAM_ADDRS為加載后程序存儲(chǔ)的地址，本文為外部SRAM芯片地址0x00000000.

　?、圻M(jìn)行FLASH芯片操作前需對(duì)EMIF進(jìn)行初始化，程序中my_EmifCog為7個(gè)32位二進(jìn)制數(shù)組成的數(shù)組，分別配置GBLCTL、CECTL0、CECTL1、CECTL2、CECTL3、SDCTL和SDTIM這7個(gè)控制寄存器。本文中CE0接外部32位SRAM芯片，CE2接8位FLASH芯片，分別設(shè)置CECTL0為0xFFFF3F23、CECTL1為0xFFFF3F03，其他控制寄存器需要根據(jù)應(yīng)用情況來(lái)確定。

　　④FLASH芯片可整片擦除，也可塊擦除，需擦除完成后才能對(duì)FLASH芯片進(jìn)行寫操作。FLASH芯片擦除時(shí)間較長(zhǎng)，需要在擦除子程序后設(shè)置斷點(diǎn)，等待擦除完成(可以CCS中查看0x01000000起始的FLASH空間全為0xFF為參考)后，再進(jìn)行程序燒寫操作。

　　⑤程序中PRO_LEN為用戶程序長(zhǎng)度，為用戶應(yīng)用程序，。cmd文件設(shè)置中斷向量、程序等分配的總長(zhǎng)度，本文為0xB400.

　?、蕹绦蚣虞d到的外部SRAM為32位，F(xiàn)LASH芯片為8位，LENDIAN為高電平。燒寫程序從SRAM中讀取的程序?yàn)?2位，32位數(shù)據(jù)需要按照從低到高的順序燒寫到8位FLASH芯片中。

　　結(jié)語(yǔ)

　　實(shí)際工程應(yīng)用驗(yàn)證了上述燒寫及自動(dòng)加載方法的可行性。本文所述的加載過(guò)程比二次加載節(jié)省了DSP系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)間，但因加載過(guò)程中FLASH芯片讀寫等待時(shí)間為默認(rèn)設(shè)置，用戶不能更改，程序加載時(shí)間仍達(dá)120 ms，在某些看門狗時(shí)間較短的應(yīng)用中需要特別考慮。本文的程序燒寫方法還可以推廣應(yīng)用于其他的DSP系統(tǒng)中。