三菱電機(jī)在PCIM亞洲展2015推介九款功率器件

　　三菱電機(jī)今年以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來(lái)”為題，攜帶九款全新功率器件，于6月24至26日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2015(展位號(hào)4A08)中隆重亮相。

　　今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域，包括：工業(yè)傳動(dòng)、光伏發(fā)電、變頻家電、軌道牽引及電動(dòng)汽車(chē)，致力為客戶(hù)提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。

　　工業(yè)及光伏發(fā)電市場(chǎng)

　　針對(duì)工業(yè)光伏逆變器市場(chǎng)的需要，三菱電機(jī)將展出四款新型功率模塊，包括第7代IGBT模塊、DIPIPM+模塊、4in1 T型三電平逆變器用IGBT模塊及1in1三電平逆變器用IGBT模塊。

　　這次展出的第7代IGBT模塊，特別適用于通用變頻器。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級(jí);提高利用門(mén)極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流100A至1000A;采用預(yù)涂熱界面材料(TIM)，與傳統(tǒng)硅脂相比，模塊與散熱器的接觸熱阻降低50%。它繼承現(xiàn)有的統(tǒng)一封裝(NX)和傳統(tǒng)封裝(A/NF/MPD)，適應(yīng)不同的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)需求;NX封裝具有焊接方式和壓接方式兩種控制端子。

　　第7代IGBT模塊

　　整流逆變制動(dòng)一體化模塊DIPIPM+則完整地集成整流橋、逆變橋、制動(dòng)單元以及相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。 它采用第7代CSTBTTM硅片;提供短路保護(hù)和欠壓保護(hù);內(nèi)置自舉二極管; 提供LVIC溫度模擬量輸出功能;額定電流覆蓋50A/600V和5~35A/1200V。采用該款模塊設(shè)計(jì)通用變頻器，可以最大程度地簡(jiǎn)化布線(xiàn)設(shè)計(jì)，縮小基板面積，縮短開(kāi)發(fā)周期;同時(shí)還可以降低布線(xiàn)電感及濾波器成本，使噪聲設(shè)計(jì)變得簡(jiǎn)單。

　　整流逆變制動(dòng)一體化模塊DIPIPM+

　　4in1 T型三電平逆變器用IGBT模塊, 是專(zhuān)門(mén)為提高光伏發(fā)電效率而開(kāi)發(fā)的400A模塊， 半橋采用第6.1代1200V IGBT硅片，交流開(kāi)關(guān)采用第7代650V IGBT硅片，損耗低、允許結(jié)溫高達(dá)175℃;內(nèi)部雜散電感小，正負(fù)端子之間為32nH、正零端子之間為和零負(fù)端子之間均27nH;絕緣耐壓高達(dá)4000Vrms/1min;更采用了易于并聯(lián)的封裝結(jié)構(gòu)。

　　4in1 T型三電平逆變器用IGBT模塊

　　在1in1三電平逆變器用IGBT模塊中，1200V級(jí)和1700V級(jí)均采用第6代IGBT硅片，實(shí)現(xiàn)更低損耗，方便客戶(hù)根據(jù)不同需要構(gòu)建I型或者T型三電平拓?fù)?模塊內(nèi)部雜散電感小，一單元模塊為8nH，兩單元模塊為12nH。絕緣耐壓高達(dá)4000Vrms/1min，結(jié)溫最高可達(dá)175℃。

　　1in1三電平逆變器用IGBT模塊

　　三菱電機(jī)大中國(guó)區(qū)半導(dǎo)體總經(jīng)理四個(gè)所大亮先生稱(chēng)：“三菱電機(jī)承持可持續(xù)發(fā)展信念，不斷研發(fā)高性能、高可靠性及小型化的功率器件，來(lái)滿(mǎn)足電力電子市場(chǎng)的需要。對(duì)于功率器件市場(chǎng)的前景，我們抱持十分樂(lè)觀的態(tài)度，隨著中國(guó)政府加大力度治理環(huán)境，必將給新能源利用產(chǎn)業(yè)帶來(lái)更大的發(fā)展空間。”

　　變頻家電市場(chǎng)

　　對(duì)于變頻家電應(yīng)用，三菱電機(jī)這次特別推介兩款產(chǎn)品，分別為SJMOS DIPIPMTM模塊與專(zhuān)為變頻冰箱及變頻風(fēng)機(jī)設(shè)計(jì)的SLIMDIP模塊。

　　SJMOS DIPIPMTM模塊采用IGBT和SJMOS并聯(lián)技術(shù)，達(dá)至同時(shí)優(yōu)化小電流段和大電流段的損耗，封裝和功能完美，兼容第6代超小型DIPIPM模塊。

　　SJMOS DIPIPMTM模塊

　　SLIMDIP則采用第3代RC-IGBT技術(shù)，集成短路保護(hù)和欠壓保護(hù)，內(nèi)置自舉二極管(和限流電阻)，同時(shí)提供LVIC溫度模擬量輸出版本和過(guò)溫保護(hù)版本，封裝面積比超小型DIPIPMTM縮小達(dá)30%。

　　SLIMDIP模塊