CCD原理

　　導(dǎo)讀：大家在使用數(shù)碼相機(jī)將身邊的美好事物拍下的時(shí)候，有沒有想過為什么相機(jī)能夠?qū)D像攝下?今天小編帶你了解CCD的工作原理，它可是相機(jī)中不可缺的一部分哦。

CCD原理——特性

　　CCD傳感器將光學(xué)信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬電流信號(hào)，通過放大和模數(shù)轉(zhuǎn)換，實(shí)現(xiàn)圖像的獲取、存儲(chǔ)、傳輸、處理和復(fù)現(xiàn)。其顯著特點(diǎn)是：

　?、?體積小重量輕;

　?、?功耗小，工作電壓低，抗沖擊與震動(dòng)，性能穩(wěn)定，壽命長;

　?、箪`敏度高，噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍大;

　?、?響應(yīng)速度快，有自掃描功能，圖像畸變小，無殘像;

　?、?應(yīng)用超大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)生產(chǎn)，像素集成度高，尺寸精確，商品化生產(chǎn)成本低。

　　因此，許多采用光學(xué)方法測量外徑的儀器，把CCD器件作為光電接收器。

CCD原理——分類

　　CCD在功能上可分為線陣CCD和面陣CCD兩類。

　　線陣CCD通常將CCD內(nèi)部電極分成數(shù)組，每組稱為一相，并施加同樣的時(shí)鐘脈沖。所需相數(shù)由CCD芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定，結(jié)構(gòu)相異的CCD可滿足不同場合的使用要求。線陣CCD有單溝道和雙溝道之分，其光敏區(qū)是MOS電容或光敏二極管結(jié)構(gòu)，生產(chǎn)工藝相對較簡單。它由光敏區(qū)陣列與移位寄存器掃描電路組成，特點(diǎn)是：處理信息速度快，外圍電路簡單，易實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)控制，但獲取信息量小，不能處理復(fù)雜的圖像。

　　用于掃描儀中的線性CCD

　　面陣CCD的結(jié)構(gòu)要復(fù)雜得多，它由很多光敏區(qū)排列成一個(gè)方陣，并以一定的形式連接成一個(gè)器件，獲取信息量大，能處理復(fù)雜的圖像。

CCD原理——光電轉(zhuǎn)換與儲(chǔ)存

　　CCD的工作過程分為四個(gè)部分，分別是光電轉(zhuǎn)換、電荷儲(chǔ)存、電荷轉(zhuǎn)移、電荷檢測。

　　光電轉(zhuǎn)換就是將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，CCD內(nèi)部是由許多的光敏像素組成的，每像素就是一個(gè)光敏二極管，檢測像素上產(chǎn)生的電荷，產(chǎn)生的信號(hào)電荷的數(shù)量直接與入射光的強(qiáng)度及曝光時(shí)間成正比。

CCD原理——電荷的轉(zhuǎn)移

　　CCD的移位寄存器是一列排列緊密的MOS電容器,它的表面由不透光的鋁層覆蓋,以實(shí)現(xiàn)光屏蔽。 MOS電容器上的電壓愈高,產(chǎn)生的勢阱愈深,當(dāng)外加電壓一定,勢阱深度隨阱中的電荷量增加而線性減小.利用這一特性,通過控制相鄰MOS電容器柵極電壓高低來調(diào)節(jié)勢阱深淺.制造時(shí)將MOS電容緊密排列,使相鄰的MOS電容勢阱相互“溝通”.認(rèn)為相鄰MOS電容兩電極之間的間隙足夠小(目前工藝可做到0.2μm),在信號(hào)電荷自感生電場的庫侖力推動(dòng)下,就可使信號(hào)電荷由淺處流向深處,實(shí)現(xiàn)信號(hào)電荷轉(zhuǎn)移。

CCD原理——電荷的測量

　　CCD的電荷測量是將轉(zhuǎn)移的信號(hào)電荷轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的過程，有兩種方法。

　?、瘢焊≈脭U(kuò)散放大器

　　Ⅱ：浮置柵極放大器

　　在CCD的圖像傳感器中使用較多的是浮置擴(kuò)散放大器。

　　浮置擴(kuò)散輸出端是信號(hào)電荷注入末級浮置擴(kuò)散的PN結(jié)之后, 所引起的電位改變作用于MOSFET的柵極。這一作用結(jié)果必然調(diào)制其源-漏極間電流, 這個(gè)被調(diào)制的電流即可作為輸出。 當(dāng)信號(hào)電荷在浮置柵極下方通過時(shí), 浮置柵極輸出端電位必然改變, 檢測出此改變值即為輸出信號(hào)。

　　總結(jié)：CCD的原理是通過鏡頭濾光，以保證光線的直線射入，CCD內(nèi)部的感光元件將光能轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，通過工藝排列將感光出的電荷轉(zhuǎn)移，再浮置擴(kuò)散放大器或浮置柵極放大器進(jìn)行檢測。

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