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基于高速IGBT的100kHz高壓-低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器

作者:榮睿 時間:2015-09-07 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
編者按:本文分析了一種基于高速IGBT的軟開關(guān)移相全橋帶同步整流的DC/DC轉(zhuǎn)換器。移相全橋拓?fù)涞能涢_關(guān)技術(shù)是混合動力汽車和電動汽車高壓-低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器的主流關(guān)鍵技術(shù)。業(yè)界早期使用MOSFET作為主功率單元,隨著該DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率需求逐漸增大,基于MOSFET的設(shè)計系統(tǒng)效率急劇下降,已經(jīng)不能滿足應(yīng)用要求。本文采用英飛凌第三代高速IGBT和快速二極管功率模塊F4-50R07W1H3作為DC/DC轉(zhuǎn)換器核心主功率單元,采用無核傳感技術(shù)的驅(qū)動芯片1ED020I12FA2,使開關(guān)器件工作在100kHz的軟開關(guān)

摘要:本文分析了一種基于的軟開關(guān)移相全橋帶同步整流的。移相全橋拓?fù)涞能涢_關(guān)技術(shù)是混合動力汽車和電動汽車高壓-低壓的主流關(guān)鍵技術(shù)。業(yè)界早期使用MOSFET作為主功率單元,隨著該的功率需求逐漸增大,基于MOSFET的設(shè)計系統(tǒng)效率急劇下降,已經(jīng)不能滿足應(yīng)用要求。本文采用英飛凌第三代和快速二極管功率模塊F4-50R07W1H3作為DC/DC轉(zhuǎn)換器核心主功率單元,采用無核傳感技術(shù)的驅(qū)動芯片1ED020I12FA2,使開關(guān)器件工作在100kHz的軟開關(guān)狀態(tài)下,用以評估替代超級結(jié)場效應(yīng)管(Super-junction MOSFET)的可行性,為未來更大功率的DC/DC轉(zhuǎn)換器提供基礎(chǔ)解決方案。實驗表明,在220V到400V的寬范圍內(nèi),輸出14V 145A的全范圍效率均可達(dá)90%以上,證明第三代是這個未來市場的主流方案之一。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/279228.htm

緒論

  DC/DC變換器是電動汽車、混動汽車等新能源汽車中不可或缺的輔助性電子設(shè)備,它取代了傳統(tǒng)汽車原有的發(fā)動機通過皮帶帶動的發(fā)電機,給車輛電壓12V網(wǎng)絡(luò)供電。實現(xiàn)了車輛推進(jìn)系統(tǒng)和輔助供電系統(tǒng)的分離。為提高整車系統(tǒng)效率提供了便利條件。它的輸入是高壓儲能動力電池系統(tǒng),輸出是低壓12伏電源網(wǎng)絡(luò),因此叫做高壓-低壓DC/DC變換器(HV-LV DC/DC Converter),見圖1。該DC/DC變換器通常功率為1~3kW[1]

  零電壓開關(guān)的移相全橋是這一應(yīng)用的通用拓?fù)?sup>[2-3]。這一拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)見圖2,其優(yōu)點是通過移相調(diào)制利用系統(tǒng)寄生參數(shù)(變壓器漏感Lleak和開關(guān)器件輸出電容Coss),而且這一軟開關(guān)拓?fù)涔ぷ髟诙l的開關(guān)頻率下,非常有利于器件寄生參數(shù)選取。

  典型的用于電動汽車與混合動力汽車的移相全橋轉(zhuǎn)換器要求如下:高壓輸入來自于高壓電池組,電壓大約200V到400V;輸出部分連接低壓電池和弱電負(fù)載,電壓14V左右。表1給出該DC/DC轉(zhuǎn)換器的典型指標(biāo)?;?00kHz的開關(guān)頻率和輸入電壓范圍指標(biāo),目前這個應(yīng)用的多數(shù)開關(guān)器件都是超級結(jié)場效應(yīng)管(Super-junction MOSFET) [4]。IGBT原本多用于1kHz到20kHz的開關(guān)頻率應(yīng)用。隨著結(jié)構(gòu)的改進(jìn),開關(guān)損耗降低,高速IGBT逐漸在更高的開關(guān)頻率得以應(yīng)用。本文根據(jù)這一前沿趨勢,研究這種改進(jìn)的高速IGBT在高壓到低壓DC/DC中的100kHz開關(guān)應(yīng)用。

  本文結(jié)構(gòu)如下:第一章論述高頻開關(guān)工作的IGBT現(xiàn)狀;第二章論述該高壓到低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器的具體設(shè)計方案;第三章展示實驗結(jié)果,包括開關(guān)細(xì)節(jié)波形和效率測試。

1 高頻開關(guān)工作的IGBT技術(shù)

  超級結(jié)技術(shù)的MOSFET基于電荷補償原理,早在1998年就進(jìn)入市場[5],在600V耐壓級別的應(yīng)用范圍里形成一場革命。其最重要的優(yōu)點是它在寄生二極管的有源層中采用了垂直PN細(xì)條的三維結(jié)構(gòu),它能維持相同的阻斷電壓,但是由于減小了垂直PN條的寬度,導(dǎo)通電阻得以成比例的減小。采用這個方法,單位面積導(dǎo)通電阻可降低5-10倍。在超級結(jié)技術(shù)產(chǎn)生之前,在600V耐壓級別應(yīng)用領(lǐng)域不可避免地會使用具有優(yōu)良導(dǎo)通損耗的IGBT。而限于IGBT特有的拖尾電流和由此導(dǎo)致的開關(guān)損耗,開關(guān)頻率始終在20kHz以下。兩種當(dāng)時主流的IGBT(PT和NPT)都存在這種拖尾電流[6] 。

  改變這一現(xiàn)象的標(biāo)志性技術(shù)進(jìn)步由溝槽柵場終止結(jié)構(gòu)IGBT(英飛凌制造)和軟穿通結(jié)構(gòu)IGBT(ABB制造)實現(xiàn)[7]。溝槽柵場終止結(jié)構(gòu)IGBT誕生于2000年[8],改進(jìn)了IGBT的關(guān)斷拖尾電流波形。其后溝槽柵場終止結(jié)構(gòu)IGBT基于不同的應(yīng)用場合被進(jìn)一步優(yōu)化。優(yōu)化的IGBT工作在20kHz到40kHz的開關(guān)頻率應(yīng)用于電焊機、太陽能逆變器和UPS方面[9]。英飛凌于2010年發(fā)布了為高頻硬開關(guān)優(yōu)化的600V溝槽柵場終止結(jié)構(gòu)IGBT,又在2012年發(fā)布了一系列用于不同應(yīng)用領(lǐng)域的溝槽柵場終止結(jié)構(gòu)IGBT[10-11]。這些新型IGBT的誕生,為本文的100kHz開關(guān)移相全橋拓?fù)涮峁┝嘶A(chǔ)條件。


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