意法半導體（ST）新功率MOSFET實現(xiàn)近乎完美的開關(guān)性能

　　市場人氣頗高的意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)MDmesh™ M2系列的N-溝道功率MOSFETs再增添新成員，新系列產(chǎn)品能夠為服務(wù)器、筆記本電腦、電信設(shè)備及消費電子產(chǎn)品電源提供業(yè)內(nèi)最高能效的電源解決方案，在低負載條件下的節(jié)能效果尤為顯著，讓設(shè)計人員能夠開發(fā)更輕、更小的開關(guān)式電源，同時輕松達到日益嚴格的能效目標要求。

　　新款600V MDmesh M2 EP產(chǎn)品整合意法半導體經(jīng)過市場檢驗的條形布局(strip layout)和全新改進的垂直結(jié)構(gòu)和優(yōu)化的擴散工藝(diffusion process)，擁有接近理想的開關(guān)設(shè)計，包括超低的導通電阻和最低的關(guān)斷開關(guān)損耗，是特別為甚高頻功率轉(zhuǎn)換器(f>150 kHz)專門設(shè)計，為要求最嚴格的電源供應(yīng)器(PSU, Power Supply Unit)的理想選擇。

　　硬開關(guān)和軟開關(guān)電路拓撲均適用，包括諧振拓撲(resonant topologies)，例如LLC諧振，新器件的開關(guān)損耗極低，特別是在低負載條件下，低損耗更為明顯。除MDmesh M2產(chǎn)品的共性柵電荷量(Qg)極低外，M2 EP產(chǎn)品的關(guān)斷能量(Eoff)還可降低20%，而在硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器中，關(guān)斷開關(guān)損耗同樣降低20%。在低電流范圍內(nèi)降低Eoff損耗，有助于提高低負載能效，進而幫助電源廠商順利達到日益嚴格的能效認證要求。

　　改進后的關(guān)斷波形(turn-off waveforms)可提高諧振轉(zhuǎn)換器的能效，降低噪聲，每周期回收再利用更多的電能，而不是以散熱的形式浪費掉。

　　新款MDmesh M2 EP系列的主要特性包括：

　　· 極低的Qg(低至16 nC)

　　· 針對輕負載條件優(yōu)化電容曲線(capacitance profile)

　　· 針對軟件開關(guān)優(yōu)化Vth和Rg參數(shù)

　　· 穩(wěn)健的本體二極管(body diode)

　　MDmesh M2 EP系列瞄準需要高能效的電源應(yīng)用，提供多種封裝選擇(PowerFLAT 5x6 HV, DPAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, I2PAKFP, TO-247)，所有產(chǎn)品均已量產(chǎn)。