串行存儲(chǔ)器AT45DB161B在車輛行駛記錄儀中的應(yīng)用

1 概述

行駛記錄儀的主要數(shù)據(jù)包括事故疑點(diǎn)和行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)。其中，事故疑點(diǎn)數(shù)據(jù)是記錄儀以不大于0．2s的時(shí)間間隔持續(xù)記錄并存儲(chǔ)停車前20 s實(shí)時(shí)時(shí)間所對(duì)應(yīng)的車輛行駛速度及車輛制動(dòng)狀態(tài)信號(hào)，記錄次數(shù)至少為1O次：行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)是無(wú)論車輛在行駛狀態(tài)還是停止?fàn)顟B(tài)，記錄儀提供的與實(shí)時(shí)時(shí)間對(duì)應(yīng)的車輛行駛速度信息。記錄儀應(yīng)能以不大于1 min的時(shí)間間隔持續(xù)記錄并存儲(chǔ)車輛在最近360 h內(nèi)的行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)，該行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)主要是車輛在行駛過(guò)程中與實(shí)時(shí)時(shí)間相對(duì)應(yīng)的每分鐘間隔內(nèi)的平均行駛速度值[1]。

該記錄儀需要采用大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。以往的設(shè)計(jì)均采用并行存儲(chǔ)器或鐵電存儲(chǔ)器。其中并行存儲(chǔ)器存儲(chǔ)容量大，讀寫(xiě)速度快。但是抗干擾能力差，而汽車上的干擾較強(qiáng)．雖然可以通過(guò)其它軟、硬件措施來(lái)避免。但是在設(shè)計(jì)時(shí)一般都需要選擇抗干擾能力強(qiáng)的芯片；鐵電存儲(chǔ)器采用串行接口，抗干擾能力強(qiáng)，也具有很高的靈活性，可以單字節(jié)讀寫(xiě)(不需要擦除，可直接改寫(xiě)數(shù)據(jù))，但其存儲(chǔ)密度小，單位成本高，讀寫(xiě)速度較慢，由于行駛記錄儀要求每0．2 s采樣一次速度和狀態(tài)，因此讀寫(xiě)存儲(chǔ)器的速度會(huì)影響采樣的精度和程序的運(yùn)行。

現(xiàn)在的EEPROM閃速存儲(chǔ)陣列Flash Memory有ATMEL、SST的小扇區(qū)結(jié)構(gòu)閃速存儲(chǔ)器(Small Sector Flash Memory)和ATMEL的海量存儲(chǔ)器(Data-Flash Memory)。這類器件具有EEPROM與NOR技術(shù)Flash Memory的綜合優(yōu)勢(shì)，主要表現(xiàn)為：

(1)讀寫(xiě)靈活性比EEPROM差，不能直接改寫(xiě)數(shù)據(jù)。在編程之前需先進(jìn)行頁(yè)擦除，與NOR技術(shù)Flash Memory的塊結(jié)構(gòu)相比，其頁(yè)尺寸小，因而具有快速隨機(jī)讀取和快編程、快擦除的特點(diǎn)：

(2)與EEPROM相比，這種存儲(chǔ)器具有明顯的成本優(yōu)勢(shì)；

(3)存儲(chǔ)密度比EEPROM大，但比NOR技術(shù)Flash Memory小[2]。

因此，該Dataflash存儲(chǔ)容量大，讀寫(xiě)速度快，抗干擾能力強(qiáng)，在行駛記錄儀中作存儲(chǔ)器是較好的選擇。本文給出了采用ATMEL的AT45DB161B來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的記錄儀設(shè)計(jì)方案。

2 AT45DB161B串行存儲(chǔ)器

ATMEL公司的Data-Flash產(chǎn)品的代表型號(hào)為AT45DBxxxx。此系列存儲(chǔ)器容量較大(從1～256MB)；封裝尺寸小，最小封裝型式(CBGA)的尺寸為6 mm