采用超組合技術(shù)，東芝功率MOSFET導(dǎo)通阻抗降低60%

    日本東芝公司(Toshiba)日前宣布，一種被命名為DTMOS的新式功率MOSFET，由于采用最新的超結(jié)合技術(shù)，DTMOS的導(dǎo)通電阻(RDSon)僅相當(dāng)于傳統(tǒng)的MOSFET的40%左右，可降低功耗。在采用這項(xiàng)技術(shù)的系列產(chǎn)品中第一個(gè)產(chǎn)品是0TK15A60S，它的市場(chǎng)定位于電視機(jī)電源、家用電器、交流電適配器、照明鎮(zhèn)流器。
    由于擁有垂直通道，超結(jié)合技術(shù)結(jié)構(gòu)可以允許電流在硅襯底順利流通，降低了導(dǎo)通電阻，突破了硅晶體理論極限。在應(yīng)用超結(jié)合技術(shù)結(jié)構(gòu)和優(yōu)化設(shè)備的基礎(chǔ)上，在同系列的東芝DTMOS設(shè)備，導(dǎo)通狀態(tài)電阻可降低60%的電力消耗，并且與東芝傳統(tǒng)的MOSFET相比，RDSon的閘極電荷(Qg)減少40%。因此，RDSon x Qg(a)最顯著的特征就是其MOSFET性能指標(biāo)(數(shù)值越低越好)僅是公司傳統(tǒng)的MOSFET的四分之一。
    隨著這項(xiàng)最新技術(shù)的宣布，東芝公司把超結(jié)合技術(shù)結(jié)構(gòu)與公司獨(dú)創(chuàng)的深蝕刻技術(shù)開(kāi)發(fā)的MOSFET (DTMOS)結(jié)合起來(lái)。這兩項(xiàng)技術(shù)的結(jié)合在市場(chǎng)上還是首次應(yīng)用。在采用這項(xiàng)技術(shù)的系列產(chǎn)品中第一個(gè)產(chǎn)品叫做TK15A60S，最高技術(shù)性能為：電流15安培、600伏特，電阻0.3歐姆，樣品于2005年3月面世。