安森美推出HighQ制造工藝和IPD設計工具

    安森美半導體（Onsemi）宣布，將其先進的制造工藝技術擴大到HighQ™硅-銅集成無源器件(IPD)的制造服務領域。與昂貴、超高性能的基于砷化鎵-金工藝無源器件相比，這創(chuàng)新的8英寸晶圓技術比原來較低精密程度的硅-銅工藝成本更低，性能更高。 

    安森美半導體的HighQ™ IPD工藝技術是諸如不平衡變換器、耦合器和濾波器等無源器件制造的理想選擇。對于便攜和無線應用，高性能等于延長電池壽命。 

    位于美國的世界級安森美半導體200 mm制造廠采用的是IPD工藝。該廠具有高水平的原型和生產(chǎn)周期，高科技產(chǎn)品生產(chǎn)和故障分析設備和系統(tǒng)。 

    HighQ™制造工藝制造出銅鍍層厚實的電感器、MIM 電容器(0.62 fF/um2) 以及 TiN 電阻器(9 ohms/square)，工藝成熟，將滿足全部可靠性評估標準，顯示了該方案的穩(wěn)健。 
•    加工溫度-65