我國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)在照明革命中搶占制高點(diǎn)

　　半導(dǎo)體光源具有體積小、壽命長(zhǎng)、節(jié)能、環(huán)保和安全等特點(diǎn)，用它代替白熾燈、熒光燈是人們夢(mèng)寐以求的目標(biāo)。半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)屬于光電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。隨著第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵的突破和藍(lán)、綠、白光發(fā)光二極管的問(wèn)世，半導(dǎo)體技術(shù)在引發(fā)微電子革命之后，又在孕育一場(chǎng)新的產(chǎn)業(yè)革命——照明革命。美國(guó)、日本、韓國(guó)等國(guó)家和地區(qū)，近年來(lái)相繼推出半導(dǎo)體照明計(jì)劃，投入巨資進(jìn)行研發(fā)。

　　我國(guó)“半導(dǎo)體照明工程”重大項(xiàng)目在探索性、前沿性材料生長(zhǎng)和器件部分關(guān)鍵技術(shù)取得突破，部分核心技術(shù)突破的苗頭已經(jīng)顯現(xiàn)。

　　目前，國(guó)內(nèi)已首次成功生長(zhǎng)出直徑3英寸的SiC單晶，外延片上進(jìn)行電致發(fā)光試驗(yàn)已得到藍(lán)光輸出;以企業(yè)為主體的100流明/瓦LED制造技術(shù)開(kāi)發(fā)進(jìn)展較快，特別是在圖形襯底制備及外延生長(zhǎng)、垂直結(jié)構(gòu)LED芯片制備(襯底剝離和芯片黏接)技術(shù)、通過(guò)粗化提高光萃取效率技術(shù)等方面取得較好進(jìn)展，在國(guó)際上首次推出功率型Si襯底LED芯片產(chǎn)品，已超過(guò)課題階段任務(wù)目標(biāo);半導(dǎo)體照明公共研發(fā)平臺(tái)取得階段性進(jìn)展，批量生產(chǎn)的白光LED發(fā)光效率最高為68lm/W(@350mA、3.21V)，處于國(guó)內(nèi)高端水平，達(dá)到韓國(guó)、臺(tái)灣地區(qū)產(chǎn)業(yè)化先進(jìn)水平，提高了企業(yè)產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力;重大應(yīng)用和規(guī)模化系統(tǒng)集成技術(shù)研究進(jìn)展順利，42英寸采用LED背光的液晶電視樣機(jī)，已經(jīng)展出，奧運(yùn)兩大場(chǎng)館之一的國(guó)家游泳中心(水立方)5萬(wàn)平方米的LED景觀(guān)照明工程已完成3輪現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn);目前已制定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)3項(xiàng)，正在研究制定6項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和10余項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。