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集成電路產(chǎn)業(yè)“十一五”專項規(guī)劃

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作者: 時間:2008-01-10 來源:中國電子元件行業(yè)協(xié)會 收藏

  作為信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)和核心,是國民經(jīng)濟和社會發(fā)展的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè),在推動經(jīng)濟發(fā)展、社會進步、提高人民生活水平以及保障國家安全等方面發(fā)揮著重要作用,已成為當(dāng)前國際競爭的焦點和衡量一個國家或地區(qū)現(xiàn)代化程度以及綜合國力的重要標(biāo)志。

  “十一五”期間,大力發(fā)展產(chǎn)業(yè),盡快建立一個自主創(chuàng)新能力不斷提高、產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴大的產(chǎn)業(yè)體系,對于保障信息安全、經(jīng)濟安全,增強國防實力,以及推動社會進步,提高人民生活水平,具有極其重要的戰(zhàn)略意義和現(xiàn)實意義。

  按照《國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十一個五年規(guī)劃綱要》中“大力發(fā)展、軟件和新型元器件等核心產(chǎn)業(yè)”以及《信息產(chǎn)業(yè)“十一五”規(guī)劃》中“完善集成電路產(chǎn)業(yè)鏈”的總體要求,在深入研究、廣泛調(diào)研的基礎(chǔ)上,突出集成電路行業(yè)的特點,編制集成電路專項規(guī)劃,作為集成電路行業(yè)發(fā)展的指導(dǎo)性文件和加強行業(yè)管理的依據(jù)。

  “十五”回顧

  產(chǎn)業(yè)和市場規(guī)模迅速擴大。自從18號文件頒布以來,我國集成電路產(chǎn)業(yè)進入發(fā)展最快的歷史階段。2005年集成電路產(chǎn)量達到266億塊,銷售收入由2000年的186億元提高到2005年的702億元,年均增長30.4%,占世界集成電路產(chǎn)業(yè)中的份額由1.2%提高到4.5%。市場規(guī)模迅速擴大,2005年我國集成電路市場規(guī)模較2000年翻了兩番,達到3800億元,占全球比重達25%,成為全球僅次于美國的第二大集成電路市場。

  部分關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域取得突破。32位CPU、網(wǎng)絡(luò)路由交換、/GPRS手機基帶、TD-SCDMA基帶芯片、數(shù)字音視頻和多媒體處理芯片、第二代居民身份證芯片等一批中高端產(chǎn)品相繼研發(fā)成功并投入市場,產(chǎn)品設(shè)計能力達到0.18微米,集成度超過千萬門;集成電路芯片生產(chǎn)線工藝水平達到12英寸0.13微米,90納米工藝技術(shù)研發(fā)取得進展,與國外先進水平之間的差距明顯縮小;分辨率193nmArF準(zhǔn)分子激光步進掃描投影光刻機、100nm大角度離子注入機、100nm高密度離子刻蝕機等重大技術(shù)裝備取得重要突破。

  產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)日趨合理。我國集成電路產(chǎn)業(yè)已初步形成了設(shè)計、芯片制造和封裝測試三業(yè)并舉、較為協(xié)調(diào)的發(fā)展格局。經(jīng)過“十五”的發(fā)展,設(shè)計業(yè)和芯片制造業(yè)在產(chǎn)業(yè)中的比重顯著提高,由2000年的31%提高到2005年的50.9%,封裝與測試比重由同期的69%下降到49.1%,較為合理的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)初步形成。

  骨干企業(yè)成長迅速。2005年銷售額過億元的集成電路設(shè)計公司已近20家,一批集成電路設(shè)計公司成功上市。上海華虹NEC電子有限公司、中芯國際集成電路制造有限公司等企業(yè)的工藝技術(shù)水平大幅提高,國際競爭力顯著增強,成為全球第七位和第三位芯片加工企業(yè)。2005年銷售額過10億元的封裝測試企業(yè)超過10家,江陰長電科技股份有限公司、南通富士通微電子股份有限公司、天水華天科技股份有限公司等封裝測試企業(yè)產(chǎn)能不斷擴大,技術(shù)水平不斷提升。

  產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)凸顯。集成電路產(chǎn)業(yè)集聚效應(yīng)明顯,2005年長江三角洲、京津地區(qū)集成電路銷售額之和達到644.17億元,占同年全國總銷售額的91.7%。國家(上海)集成電路產(chǎn)業(yè)園、國家(蘇州)集成電路產(chǎn)業(yè)園等5個國家級集成電路產(chǎn)業(yè)園區(qū)集聚和輻射帶動作用日益顯現(xiàn)。

  產(chǎn)業(yè)環(huán)境逐步改善。《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策》(國發(fā)[2000]18號)的頒布實施,集成電路專項研發(fā)資金的設(shè)立,知識產(chǎn)權(quán)保護力度不斷加強,為我國集成電路產(chǎn)業(yè)提供了良好的政策環(huán)境,極大地調(diào)動了國內(nèi)外各方面投資集成電路產(chǎn)業(yè)的積極性,5年來吸引外資累計約160億美元。

  盡管“十五”期間成績顯著,但是集成電路產(chǎn)業(yè)仍存在諸多問題。產(chǎn)業(yè)政策尚未完全落實到位,投融資環(huán)境還有待進一步改善;自主創(chuàng)新能力薄弱,缺乏核心技術(shù)和自主品牌;產(chǎn)業(yè)研發(fā)投入嚴(yán)重不足,總體技術(shù)水平與國外有很大差距;制造技術(shù)以代工為主,缺乏自主品牌;產(chǎn)業(yè)規(guī)模小,與國內(nèi)市場規(guī)模差距較大;產(chǎn)品結(jié)構(gòu)滯后于市場需求,進出口貿(mào)易逆差不斷擴大;集成電路專用材料及設(shè)備自給率低,集成電路產(chǎn)業(yè)鏈并未完善;集成電路高級專業(yè)人才缺乏。

  “十一五”面臨的形勢

  (一)集成電路技術(shù)發(fā)展趨勢

  市場和技術(shù)雙重驅(qū)動創(chuàng)新。第三代移動通信、數(shù)字電視、下一代互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域重大技術(shù)和市場的快速發(fā)展,“三網(wǎng)融合”的不斷推進,驅(qū)動集成電路產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品創(chuàng)新。多技術(shù)、多應(yīng)用的融合將催生新的集成電路產(chǎn)品出現(xiàn),納米技術(shù)的發(fā)展、新體系架構(gòu)等新技術(shù)發(fā)明也在孕育著新的突破。

  集成電路設(shè)計新技術(shù)不斷涌現(xiàn)。隨著90納米及以下微細加工技術(shù)和SoC設(shè)計技術(shù)的發(fā)展,軟硬件協(xié)同設(shè)計,高速、高頻、低功耗設(shè)計,IP復(fù)用、芯片綜合/時序分析、可測性/可調(diào)試性設(shè)計,總線架構(gòu)、可靠性設(shè)計等技術(shù)將得到更快的發(fā)展和更廣泛的應(yīng)用。

  65納米~45納米工藝將實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化?!笆晃濉逼陂g,12英寸、65納米~45納米微細加工工藝將實現(xiàn)工業(yè)化大生產(chǎn),銅互聯(lián)工藝、高K、低K介質(zhì)材料等將大規(guī)模采用;新型柵層材料、下一代光刻技術(shù)、光學(xué)和后光學(xué)掩模版、新型可制造互連結(jié)構(gòu)和材料、光刻膠等工藝、材料將成為技術(shù)研發(fā)的重點;SOI、SiGe等材料顯示出了良好的應(yīng)用前景。

  適應(yīng)更高要求的新型封裝及測試技術(shù)成為主流。集成電路封裝正向高密度、高頻、大功率、高可靠性、低成本的方向發(fā)展。球柵陣列封裝(BGA)、芯片倒裝焊(Flipchip)、堆疊多芯片技術(shù)、系統(tǒng)級封裝(SiP)、芯片級封裝(CSP)、多芯片組件(MCM)等封裝類型將是“十一五”期間的主流封裝形式。隨著芯片性能的提高和規(guī)模的擴大,測試復(fù)雜度不斷提高,自動測試技術(shù)和測試設(shè)備將快速發(fā)展,高速器件接口、可靠性篩選方法、高效率和低成本的測試技術(shù)等將成為測試的發(fā)展重點。

  (二)集成電路市場分析

  從上世紀(jì)70年代以來,世界集成電路市場雖有波動,但仍保持了年均約15%的增長率。經(jīng)歷了2001年的衰退后,世界集成電路市場銷售額逐年增長,2005年實現(xiàn)銷售額1928億美元,達到歷史最高水平。預(yù)計“十一五”期間,集成電路整體市場將保持平穩(wěn)增長,波動幅度將趨緩,到2010年世界集成電路市場規(guī)模約為3000億美元,平均增長率約14%。微處理器與微控制器、和存儲器等三大類通用集成電路仍將占據(jù)主要市場,專用集成電路市場將較快增長。

  未來5年,我國集成電路市場將進一步擴大,預(yù)計年均增長速度約為20%,到2010年,我國集成電路市場規(guī)模將突破8300億元(2006~2010年我國集成電路市場需求預(yù)測見下表),采用0.18微米及以下技術(shù)的產(chǎn)品將逐步成為市場的主流產(chǎn)品,產(chǎn)品技術(shù)水平多代共存將是我國集成電路市場的特點。

  信息技術(shù)的快速發(fā)展,新應(yīng)用領(lǐng)域的出現(xiàn)如移動通信、數(shù)字音視頻產(chǎn)品、智能家庭網(wǎng)絡(luò)、下一代互聯(lián)網(wǎng)、信息安全產(chǎn)品、3C融合產(chǎn)品、智能卡和電子標(biāo)簽、汽車電子等的需求將形成集成電路新的經(jīng)濟增長點。

  “十一五”期間我國集成電路進口額年均增長率將在15%以上,貿(mào)易逆差局面難以得到改變。

  (三)集成電路產(chǎn)業(yè)面臨的環(huán)境

  國內(nèi)產(chǎn)業(yè)政策環(huán)境將不斷改善。中央、地方各級政府和有關(guān)部門高度重視集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,《進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)與集成電路產(chǎn)

  業(yè)發(fā)展的若干政策》等政策的出臺,將為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供更加有利的政策環(huán)境。

  投資強度和技術(shù)門檻越來越高。1條12英寸集成電路前工序生產(chǎn)線投資規(guī)模超過15億美元,產(chǎn)品設(shè)計開發(fā)成本上升到幾百萬美元乃至上千萬美元。企業(yè)的資金實力和技術(shù)創(chuàng)新能力成為競爭的關(guān)鍵。

  國外高端技術(shù)轉(zhuǎn)移限制仍將繼續(xù)。作為戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè),全球主要發(fā)達國家越來越重視集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,為保持其領(lǐng)先地位,仍將控制關(guān)鍵技術(shù)裝備、材料、高端設(shè)計和工藝技術(shù)向發(fā)展中國家轉(zhuǎn)移,國內(nèi)產(chǎn)業(yè)面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)仍將長期存在。

  知識產(chǎn)權(quán)和專利等摩擦將加劇。隨著全球化競爭的不斷深入,跨國公司利用其在技術(shù)、市場和資金的主導(dǎo)地位,更多地采用知識產(chǎn)權(quán)等技術(shù)手段開展競爭,國內(nèi)企業(yè)發(fā)展面臨各方面的壓力。

  “十一五”發(fā)展思路與目標(biāo)

  (一)發(fā)展思路

  繼續(xù)落實和完善產(chǎn)業(yè)政策,著力提高自主創(chuàng)新能力,推進集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)協(xié)調(diào)發(fā)展。以應(yīng)用為先導(dǎo)、優(yōu)先發(fā)展集成電路設(shè)計業(yè);積極發(fā)展集成器件制造(IDM)模式,鼓勵新一代芯片生產(chǎn)線建設(shè),推動現(xiàn)有生產(chǎn)線的技術(shù)升級;提升高密度封裝測試能力;增強關(guān)鍵設(shè)備儀器和基礎(chǔ)材料的開發(fā)能力。形成以設(shè)計業(yè)為龍頭、制造業(yè)為核心、設(shè)備制造和配套產(chǎn)業(yè)為基礎(chǔ),較為完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。

  設(shè)計業(yè):鼓勵設(shè)計業(yè)與整機之間的合作,加快涉及國家安全和量大面廣集成電路產(chǎn)品的設(shè)計開發(fā),培育一批具有較強自主創(chuàng)新能力的骨干企業(yè),開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的集成電路產(chǎn)品。

  制造業(yè):鼓勵現(xiàn)有生產(chǎn)線的技術(shù)升級和改造,形成90納米工藝技術(shù)的加工能力;積極發(fā)展集成器件制造(IDM)模式,鼓勵新一代芯片生產(chǎn)線建設(shè);引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)向有基礎(chǔ)、有條件的地區(qū)集聚,形成規(guī)模效應(yīng)。

  封裝測試業(yè):加快封裝測試業(yè)的技術(shù)升級。積極調(diào)整產(chǎn)品、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu),重點發(fā)展SIP、Flipchip、BGA、CSP、MCM等先進封裝技術(shù),提高測試水平和能力。

  材料、設(shè)備等支撐業(yè):以部分關(guān)鍵設(shè)備、材料為突破口,重視基礎(chǔ)技術(shù)研究,加快產(chǎn)業(yè)化進程,提高支撐能力。

  (二)發(fā)展目標(biāo)

  1.主要經(jīng)濟指標(biāo)

  到2010年,我國集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)量達到800億塊,實現(xiàn)銷售收入約3000億元,年均增長率達到30%,約占世界集成電路市場份額的10%,滿足國內(nèi)30%的市場需求。

  2.結(jié)構(gòu)調(diào)整目標(biāo)

  到2010年,集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)進一步得到優(yōu)化,芯片設(shè)計業(yè)在行業(yè)中的比重提高到23%,芯片制造業(yè)、封裝與測試業(yè)比重分別為29%和48%,形成基本合理的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。

  3.技術(shù)創(chuàng)新目標(biāo)

  到2010年,芯片設(shè)計能力大幅提升,開發(fā)一批具有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心芯片,主流設(shè)計水平達到0.13μm~90nm;國內(nèi)重點整機應(yīng)用自主開發(fā)集成電路產(chǎn)品的比例達到30%左右。芯片制造業(yè)的大生產(chǎn)技術(shù)達到12英寸、90nm-65nm;封裝測試業(yè)進入國際主流領(lǐng)域,實現(xiàn)系統(tǒng)封裝(SiP)、芯片倒裝焊(Flipchip)、球柵陣列封裝(BGA)、芯片級封裝(CSP)、多芯片組件(MCM)等新型封裝形式的規(guī)模生產(chǎn)能力。12英寸部分關(guān)鍵技術(shù)裝備、材料取得突破并進入生產(chǎn)線應(yīng)用。

  重點任務(wù)

  (一)加快集成電路共性技術(shù)研發(fā)和公共服務(wù)平臺建設(shè)

  面向產(chǎn)業(yè)需求,建立企業(yè)化運作、面向行業(yè)的、產(chǎn)學(xué)研用相結(jié)合的國家集成電路研發(fā)中心,重點開發(fā)SoC等產(chǎn)品設(shè)計、納米級工藝制造、先進封裝與測試等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的共性關(guān)鍵技術(shù),為實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展提供技術(shù)來源和技術(shù)支持。

  支持集成電路公共服務(wù)平臺的建設(shè),為企業(yè)提供產(chǎn)品開發(fā)和測試環(huán)境,在EDA設(shè)計工具、知識產(chǎn)權(quán)保護、產(chǎn)品評測等方面提供公共服務(wù),促進中小企業(yè)的發(fā)展。

  (二)重點支持量大面廣產(chǎn)品的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

  面向高清晰度數(shù)字電視、移動通信、計算機及網(wǎng)絡(luò)、信息安全產(chǎn)品、智能卡及電子標(biāo)簽產(chǎn)品、汽車電子等市場需求大的整機市場,引導(dǎo)芯片設(shè)計與整機結(jié)合,加大重點領(lǐng)域?qū)S眉呻娐?ASIC)的開發(fā)力度,重點開發(fā)數(shù)字音視頻相關(guān)信源、信道芯片、圖像處理芯片,移動通信終端基帶芯片、高端通信處理芯片、信息安全芯片等量大面廣的產(chǎn)品,形成一批擁有核心技術(shù)的企業(yè)和具有自主知識產(chǎn)權(quán)的產(chǎn)品。

  (三)增強芯片制造和封裝測試能力

  提高產(chǎn)業(yè)控制力,支持“909”工程升級改造;繼續(xù)堅持對外開放,積極利用外資,鼓勵集成器件制造(IDM)模式的集成電路企業(yè)發(fā)展,促進設(shè)計業(yè)、制造業(yè)的協(xié)調(diào)互動發(fā)展;重點發(fā)展12英寸集成電路生產(chǎn)線,建設(shè)5條以上12英寸、90納米的芯片生產(chǎn)線;建設(shè)10條8英寸0.13微米~0.11微米芯片生產(chǎn)線,提高6英寸~8英寸生產(chǎn)線的資源利用水平;加強標(biāo)準(zhǔn)工藝模塊開發(fā)和IP核的開發(fā),不斷滿足國內(nèi)芯片加工需求。積極采用新封裝測試技術(shù),重點發(fā)展BGA、PGA、CSP、MCM、SIP等先進封裝技術(shù),擴大產(chǎn)業(yè)規(guī)模,提高測試技術(shù)和水平。

  (四)突破部分專用設(shè)備儀器和材料

  掌握6英寸~8英寸集成電路設(shè)備的制備工藝技術(shù),重點發(fā)展8英寸~12英寸集成電路生產(chǎn)設(shè)備,包括光刻機、刻蝕機、離子注入機、平坦化設(shè)備、摻雜設(shè)備、快速熱處理設(shè)備,劃片機、鍵合機、硅片減薄機、集成電路自動封裝系統(tǒng)等設(shè)備,具備為6英寸~8英寸生產(chǎn)設(shè)備進行維護和翻新能力;力爭實現(xiàn)100nm分辨率193nmArF準(zhǔn)分子激光步進掃描投影光刻機、高密度等離子體多晶硅刻蝕機、大角度傾斜大劑量離子注入機等重大關(guān)鍵裝備產(chǎn)業(yè)化;重點開發(fā)12英寸硅拋光片和8英寸、12英寸硅外延片,鍺硅外延片,SOI材料,寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料、光刻膠、化學(xué)試劑,特種氣體、引線框架等材料,為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供有力支撐。

  (五)推進重點產(chǎn)業(yè)園區(qū)建設(shè)

  發(fā)揮國家、地方政府和各產(chǎn)業(yè)園區(qū)的積極性,重點建設(shè)北京、天津、上海、蘇州、寧波等國家集成電路產(chǎn)業(yè)園,不斷優(yōu)化發(fā)展環(huán)境、完善配套服務(wù)設(shè)施,引導(dǎo)集成電路企業(yè)落戶園區(qū),以園區(qū)內(nèi)骨干企業(yè)為龍頭,加強產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè),帶動相關(guān)企業(yè)的發(fā)展,提高園區(qū)競爭實力。

  政策措施

  (一)加快制定法規(guī)與政策,進一步營造良好的產(chǎn)業(yè)環(huán)境

  積極推進《軟件與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展促進條例》的編制,加快推出《關(guān)于進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)的若干政策》,加大知識產(chǎn)權(quán)保護力度,促進集成電路產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。

  (二)進一步加大投入力度

  加大政府投入,形成集成電路專項研發(fā)資金穩(wěn)定增長機制。研究設(shè)立“國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金”,鼓勵集成電路企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新和新產(chǎn)品開發(fā),促進行業(yè)技術(shù)進步;組織實施集成電路重大工程和國家科技重大專項,研發(fā)集成電路關(guān)鍵技術(shù)和產(chǎn)品;鼓勵國家政策性金融機構(gòu)重點支持重點集成電路技術(shù)改造、技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化項目;支持集成電路企業(yè)在境內(nèi)外上市融資;鼓勵境內(nèi)外各類經(jīng)濟組織和個人投資集成電路產(chǎn)業(yè)。

  (三)繼續(xù)擴大對外開放,提高利用外資質(zhì)量

  堅持對外開放,繼續(xù)優(yōu)化環(huán)境,大力吸引國(境)外資金、技術(shù)和人才。重點吸引有實力的跨國公司在國內(nèi)建設(shè)高水平的研發(fā)中心、生產(chǎn)中心和運營中心,不斷提高國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)企業(yè)管理、市場開拓、人才培養(yǎng)能力。積極提高資源利用效率,完善外商投資項目核準(zhǔn)辦法,適時調(diào)整《外商投資產(chǎn)業(yè)指導(dǎo)目錄》,優(yōu)化產(chǎn)業(yè)布局,減少低水平盲目重復(fù)建設(shè)。

  (四)加強人才培養(yǎng),積極引進海外人才

  建立、健全集成電路人才培訓(xùn)體系,加快建設(shè)和發(fā)展微電子學(xué)院和微電子職業(yè)培訓(xùn)機構(gòu),形成多層次的人才梯隊,重點培養(yǎng)國際化的、高層次、復(fù)合型集成電路人才;加大國際化人才引進工作力度,大力引進國外優(yōu)秀集成電路人才;引入競爭激勵機制,制定激發(fā)人才創(chuàng)造才能的獎勵政策和分配機制,創(chuàng)造有利于集成電路人才發(fā)展的寬松環(huán)境。



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