采用0.13微米CMOS工藝制造的單芯片UMTS W-CDMA多頻段收發(fā)器(06-100)
—— 采用0.13微米CMOS工藝制造的單芯片UMTS W-CDMA多頻段收發(fā)器
作者：Infineon公司R. Koller, T. Ruhlicke, D. Pimingsdorfer, B. Adler
時間：2008-04-03
來源：電子產品世界
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前言
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/81180.htm隨著通用移動通信系統(tǒng)(UMTS)網(wǎng)絡在日本和歐洲實現(xiàn)商用，市場對多頻段寬帶碼分多址(W-CDMA)收發(fā)器芯片的要求更加苛刻——除了縮小芯片面積和主板占用空間、減少組件數(shù)量、降低材料成本外，還要求芯片具備足夠的靈活性，不僅要支持工作頻段I，還要支持其他多個頻段?？紤]到UMTS的全雙工性質，再加上支持所有頻段要求在面積更小的芯片上集成多個發(fā)射和接收通道，如何最大限度降低這些通道之間的串擾，就成為一個非常具有挑戰(zhàn)性的任務。第一顆采用0.13微米CMOS工藝制造的單芯片直接轉換收發(fā)器于2003年2月面世；第一顆采用0.35微米SiGe BiCMOS工藝制造的單芯片UMTS收發(fā)器于2004年正式推出。最新發(fā)布的直接變換設計包括一個采用0.35微米SiGe BiCMOS工藝制造的適用于WCDMA/HSDPA網(wǎng)絡的三頻段單芯片收發(fā)器。
本文介紹了一種適用于頻分復用(FDD)網(wǎng)絡的低功耗、多頻段、全集成化單芯片UMTS W-CDMA/HSDPA直接轉換型收發(fā)器。它采用0.13微米CMOS工藝制造而成。該設計包括三條零中頻接收(RX)通道，三條直接轉換型發(fā)射(TX)通道，兩個分數(shù)型頻率合成器。它們都由一個多標準編程接口控制。圖1顯示了該芯片的完整框圖。
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