采用0.13微米CMOS工藝制造的單芯片UMTS W-CDMA多頻段收發(fā)器(06-100)

——

作者：Infineon公司R. Koller, T. Ruhlicke, D. Pimingsdorfer, B. Adler 時間：2008-04-03 來源：電子產(chǎn)品世界

加入技術(shù)交流群
- 掃碼加入
  和技術(shù)大咖面對面交流
  海量資料庫查詢

　　直接上變頻發(fā)射器

　　發(fā)射器內(nèi)含一個完全差分化可編程輸入緩沖器，以處理不同的基帶輸入信號。一個附加的三階Butterworth型基帶濾波器(校準角頻為4.4MHz)能夠消除各類有害的信號內(nèi)容(譬如基帶DAC的雜散輻射等)，同時不會對有用的信號產(chǎn)生過大的干擾。此外，精度高于±0.2 dB的可調(diào)-1 dB和-2 dB增益步長，能夠處理各類HSDPA信號群的較高波峰因子。通過提高以下所述的增益控制輸入引腳的電壓可以補償衰減，并且形成一個“高線性度”模式，以符合線性度規(guī)范要求?；鶐V波器輸出信號可驅(qū)動直接變換式調(diào)制器(每條發(fā)射通道一個)中集成的Gilbert型混頻器的輸入級。由于布局高度對稱并且完美匹配，再加上在發(fā)射器初始化時采用了一個校準程序，DC偏差始終保持在很低的水平(在高輸出功率范圍內(nèi)通常為-40dBc)。射頻輸入由來自集成化VCO(高頻段和中頻段通道為二分頻器，低頻段通道為四分頻器)的0o/90o信號驅(qū)動。混頻器的輸出信號然后被緩存，并被發(fā)送至射頻差分輸出引腳。總增益一般超過95 dB，分布在基帶和射頻模塊。通過在不同級上分配增益(按照優(yōu)化的加權(quán)因子)，可實現(xiàn)VGA的近似對數(shù)線性特征。通過在增益控制引腳(TXGC)上施加適當?shù)碾妷?0.5-2.2 V)，-77dBm至+7dBm的保證輸出功率范圍(取決于所采用的UMTS頻段和發(fā)射通道)可達到控制。最大功耗(通常為80mA)可隨輸出功率的下降快速下降，在低增益范圍內(nèi)可降低至26mA。當輸出功率最大時，在相應(yīng)的接收頻段，發(fā)射通道一般可實現(xiàn)-152 dBc/Hz的本底噪聲，同時保持-43dBc的ACLR(有余量)和3%的EVM(典型值)。圖8顯示的是中心頻率為1950MHz時的典型調(diào)制輸出頻率。