電源應(yīng)用中場(chǎng)效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)

　　就實(shí)際的考量而言 , 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的實(shí)際崩潰電壓一般是額定低電流崩潰電壓的 1.3 倍。以圖五為例 , 它所表示的是一個(gè)超過(guò)最大額定電壓但并未進(jìn)入崩潰現(xiàn)象的波形 , Drain-Source 的電壓已達(dá)到 668V > 600V 但并未嵌制于崩潰效應(yīng)。

　　但即使此不正常的峰值電壓并未觸發(fā)此組件崩潰 , 我們還是要去評(píng)估此場(chǎng)效應(yīng)晶體管的接合面溫度必須低于額定最大溫度以確保其信賴(lài)度及可靠度。在穩(wěn)態(tài)條件下 , 接合面溫度可由下式導(dǎo)出 :

　　Tj = PD x R θ jc + TC ---------- (1)

　　其中 Tj : 接合面溫度 TC : 外殼溫度 PD : 整體功率損耗 R θ jc : 穩(wěn)態(tài)條件下 接合面?zhèn)鲗?dǎo)至外殼的熱阻

　　大多數(shù)的應(yīng)用里 , 開(kāi)關(guān)式電源供應(yīng)線(xiàn)路皆把場(chǎng)效應(yīng)晶體管當(dāng)作開(kāi)關(guān)使用。 因此 , 當(dāng)一連串的脈沖開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí) , 其功率消耗及接合面溫度的變化是取決于峰值功率以及脈沖寬度的大小。 此時(shí)的瞬時(shí)熱阻可基于時(shí)間的變化導(dǎo)出如下式 :

　　Z θ jc(t) = r(t) x R θ jc ---------- (2)

　　其中 r(t) 代表一個(gè)散熱能力的參數(shù)。當(dāng)脈沖寬度非常短時(shí) , r(t) 也相對(duì)很小。但當(dāng)脈沖寬度很長(zhǎng)時(shí) , r(t) 會(huì)接近于 1, 此時(shí)瞬時(shí)的熱阻也會(huì)與穩(wěn)態(tài)時(shí)一樣高。圖六所示是 Fairchild Semiconductor 所提供的瞬時(shí)熱阻參數(shù)曲線(xiàn)圖。從此圖中 , 在瞬時(shí)條件下其接合面溫度可導(dǎo)出如下式 :

　　Tj = PD x Z θ jc(t) + TC ---------- (3)

　　舉例說(shuō)明 , 當(dāng)一個(gè) 2KW 的電源脈沖加至 FQA11N90 的脈沖時(shí)間為 1uS 時(shí) , 我們可依據(jù)圖六的曲線(xiàn)算出此脈沖功率對(duì)接合面所產(chǎn)生的溫升為

　　T = PD x Z θ jc(1uS) = 2000 x 1.49 x 10-3 » 3 ° C

　　此脈沖功率如此之大 , 但其所造成的上升溫度變化僅有 3 ° C 。但不要忘了 , 在規(guī)格書(shū)中所記載的額定消耗功率是以穩(wěn)態(tài)條件下去推導(dǎo)出來(lái)的。 在瞬時(shí)條件下 , 像如此的脈沖可以讓場(chǎng)效應(yīng)晶體管承受更大的功率損耗。

　　在上面的例子中 , 要在圖六里找出 1uS 的瞬時(shí)條件曲線(xiàn)是無(wú)法求出的。假使我們所得到的脈沖寬度太短而且超出此圖曲線(xiàn)范圍之外 , 我們已知單一脈沖的瞬時(shí)熱阻是與時(shí)間的均方根成正比。因此 Z θ jc(1uS) 可得到如下式 :

　　Z θ jc(1uS) = Z θ jc(10uS) x Ö 1uS/10uS = 4.72 x 10-3 x Ö 0.1 = 1.49 x 10-3

　　其中 Z θ jc(10uS) 可由圖六得知

　　上述的熱阻效應(yīng)是由方波的基礎(chǔ)所求得 , 那我們可不可以針對(duì)不同的波形或形狀而得到熱阻的效應(yīng)。然而可預(yù)知的 , 這需要非常復(fù)雜的計(jì)算及數(shù)學(xué)運(yùn)算以求出所要的結(jié)果 , 最好還是由近似法以求得所要的熱阻效應(yīng)。 圖七就舉了兩個(gè)例子以近似法來(lái)說(shuō)明 , 一個(gè)是三角波 , 另外一個(gè)是正弦波。

　　在導(dǎo)出的公式 (3) 中 , 它也可以被應(yīng)用在連續(xù)形式的脈沖當(dāng)中。公式 (3) 可被修改如下以求得其瞬時(shí)熱阻 :

　　Z θ jc(t) = [t1/t2 + (1-t1/t2) x r(t1+t2) + r(t1) – r(t2)] R θ jc = t1/t2 R θ jc(1uS) + (1-t1/t2) Z θ jc(t1+t2) + Z θ jc(t1) - Z θ jc(t2) ----- (4)

　　其中 t1 : 連續(xù)脈波的脈波寬度 　　t2 : 連續(xù)脈波的總合時(shí)間

　　公式 (4) 適合于無(wú)限脈沖波之情況。當(dāng)沖擊波是有限個(gè)數(shù)時(shí)，其 R θ jc(1uS) 應(yīng)由 Z θ jc(T) 替換下來(lái)，其中 T 是有限沖擊波持續(xù)的時(shí)間。

　　假設(shè)一種情況 , 當(dāng)一組開(kāi)關(guān)電源線(xiàn)路在做短路測(cè)試時(shí) , 其量測(cè)到的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的 Drain 及 Source 兩端電壓超過(guò)了其最大的額定電壓 , 而且持續(xù)了一段時(shí)間直到短路保護(hù)動(dòng)作。此條件下的參數(shù)如下 : FQA9N90C 為其場(chǎng)效應(yīng)晶體管 , 100nS tAV, 9.2uS 周期長(zhǎng)度以及 20mS 延遲時(shí)間。在此條件下 , 其瞬時(shí)的熱阻計(jì)算如下

　　Z θ jc(t) = 0.01 x Z θ jc(20mS) + (1-0.01) Z θ jc(9.3uS) + Z θ jc(100nS) - Z θ jc(9.2uS) = 0.00274 ° C/W

　　我們假設(shè)有 5KW 的功率消耗 此時(shí)會(huì)消耗在場(chǎng)效應(yīng)晶體管上 那么所得到的接合面溫度會(huì)上升如下

　　D T = 5000 x 0.00274 = 13.7 ° C

　　此 13.7 ° C 為崩潰時(shí)所產(chǎn)生的溫升變化 因此 設(shè)計(jì)者必須先計(jì)算出此場(chǎng)效應(yīng)晶體管得正常工作接合面溫度 然后再加上因崩潰效應(yīng)所上升的溫度 此溫度結(jié)果必須低于額定最大溫度 在加上一些安全余裕以達(dá)到可靠度及信賴(lài)度的要求。

　　5. 結(jié)論

　　設(shè)計(jì)者所經(jīng)常面臨到的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的崩潰應(yīng)用問(wèn)題 希望可以經(jīng)由上述崩潰效應(yīng)模式的分析以及接合面溫度的計(jì)算提供給設(shè)計(jì)者更好的分析工具。