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功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？

  • 在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。之前我們討論過功率MOSFET的雪崩效應(yīng)，今天，我們將繼續(xù)分享相關(guān)UIS (UIL)數(shù)據(jù)表的額定值。除了Ipk vs tav圖之外，大多數(shù)功率MOSFET數(shù)據(jù)表還包含一個(gè)UIS能量額定值，通常列在最大值表中。這有點(diǎn)誤導(dǎo)，因?yàn)楹苊黠@ (E=0.5Vav*Ipk*tav) 功率 M
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SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)在雪崩條件下的魯棒性評估

  • ?本文將探討如何在雪崩工作條件下評估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFET功率變換器，特別是電動汽車驅(qū)動電機(jī)功率變換器，需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續(xù)流導(dǎo)通期間出現(xiàn)失效或柵極驅(qū)動命令信號錯誤，就會致使變換器功率開關(guān)管在雪崩條件下工作。因此，本文通過模擬雪崩事件，進(jìn)行非鉗位感性負(fù)載開關(guān)測試，并使用不同的SiC MOSFET器件，按照不同的測試條件，評估技術(shù)的失效能量和魯棒性。
  • 關(guān)鍵字： MOSEFT  VDS  UIS  DUT  

看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值

  • 　　在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然，其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱兩可，而其它的某些參數(shù)自始至終就毫無用處(比如說：開關(guān)時(shí)間)。在這個(gè)即將開始的博文系列中，我們將試著破解FET數(shù)據(jù)表，這樣的話，讀者就能夠很輕松地找到和辨別那些對于他們的應(yīng)用來說，是最常見的數(shù)據(jù)，而不會被不同的生產(chǎn)商為了使他們的產(chǎn)品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。 　　自從20世紀(jì)80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來，無鉗位電感開關(guān) (UIS) 額定值就已經(jīng)被
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MOSFET的UIS和雪崩能量解析

  • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評
  • 關(guān)鍵字： 解析  能量  雪崩  UIS  MOSFET  

MOSFET的UIS及雪崩能量解析

  • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評
  • 關(guān)鍵字： 解析  能量  雪崩  UIS  MOSFET  

理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量

  • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評定這些參數(shù)對其的影響，以及在哪些應(yīng)用條件下需要考慮這些參數(shù)。本文將論述這些問題，同時(shí)探討功率MOSFET在非鉗位感性開關(guān)條件下的工作狀態(tài)。
  • 關(guān)鍵字： 雪崩  能量  UIS  MOSFET  功率  理解  

電源應(yīng)用中場效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)

  • 　　前言： 　　在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中 , 使用場效應(yīng)晶體管當(dāng)作切換開關(guān)已經(jīng)越來越普遍。在設(shè)計(jì)中為了減少尺寸大小和提升電源密度 , 其電源操作工作頻率也要求越來越高。如此會造成較高的 di/dt 產(chǎn)生使得雜散電感效應(yīng)加諸于場效應(yīng)晶體管兩端 (Drain & Source) 的瞬間電壓會更加明顯。尤其在電源開機(jī)的霎那間 , 此瞬間電壓會達(dá)到最大值。這是由于變壓器一次側(cè)電感值相當(dāng)于漏電感 ( 最小電感值 ) 而且輸出電容
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