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運(yùn)算放大器的噪聲分析與設(shè)計(jì)

作者:黃令華,王新安,劉偉 時(shí)間:2008-08-04 來源:中國(guó)集成電路 收藏

  差分管的源極接到同一點(diǎn)上,那么電流源負(fù)載的就是相關(guān)源,其等效到Mp1和Mp2上的由于差動(dòng)的作用就可以相互抵消,從而減小了電路的噪聲。Mp1、Mp2為輸入差分對(duì)管。另外,對(duì)于Mn3管,噪聲電壓對(duì)輸入的影響也可以忽略。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/86575.htm

 

 
  3 電路設(shè)計(jì)及物理層設(shè)計(jì)

  由以上噪聲特性的可以看出,要改善的噪聲需要選擇合適的電阻及合適的MOS管的柵寬長(zhǎng)比,本文應(yīng)用Winbond 0.5μ CMOS典型工藝,對(duì)運(yùn)放噪聲進(jìn)行了,如圖6和圖7,其中L1<L2<L3。

 

  由圖6和圖7可以看出,輸入管及負(fù)載管L越大,噪聲特性越好,但由于版圖及穩(wěn)定性的要求,不可能使用過大的L值;通過同樣的仿真,對(duì)輸入的寬長(zhǎng)比,我們也可以得到類似的結(jié)論;因此,本文的運(yùn)放選擇合適的電阻及輸入級(jí)和負(fù)載管的寬長(zhǎng)比,完成了很好的設(shè)計(jì),圖8給出了詳細(xì)電路圖,且表1給出了其設(shè)計(jì)的基本仿真結(jié)果。

 

  由表1仿真結(jié)果可以看出,運(yùn)放采用低靜態(tài)電流設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)較低的噪盧特性、較高的電源抑制比,及較快的轉(zhuǎn)換速率等。

 

  圖9是前置在功率放大器中的完整版圖,使用Winbond 0.5μCMOS工藝,此工藝本身對(duì)襯底的噪聲有一定的抑制,對(duì)器的設(shè)計(jì)提供了很好的前提,上圖的3個(gè)框分別為外部反饋電阻、內(nèi)部結(jié)構(gòu)及內(nèi)部調(diào)零電阻,并且很好地實(shí)現(xiàn)了電阻電容及晶體管的匹配。

  4 結(jié)束語

  噪聲是運(yùn)算放大器非常重要的參數(shù),它決定了整個(gè)系統(tǒng)的靈敏度,本文從噪聲這個(gè)參數(shù)入手,了音頻放大器中前置運(yùn)放的噪聲特性,給出了改善噪聲的方法,并用winbond 0.5μCMOS工藝完成了相關(guān)設(shè)計(jì)。
 

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