盛美半導(dǎo)體開發(fā)出12英寸單片兆聲波清洗設(shè)備

　　3月17日，新成立的盛美半導(dǎo)體(上海)有限公司在中國半導(dǎo)體國際展上展出了十二英寸單片兆聲波清洗設(shè)備，本設(shè)備用于65nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)以下的十二英寸高端硅片清洗。盛美獨(dú)家具有自主知識產(chǎn)權(quán)技術(shù)可使兆聲波能量在12英寸硅片上非常均勻地分布(非均勻度的一個均方差小于2%)，本技術(shù)在不損傷硅片微結(jié)構(gòu)的條件下使顆粒去除效率達(dá)到99.2%。

　　隨著半導(dǎo)體芯片的體積越來越小，當(dāng)今半導(dǎo)體清洗技術(shù)的一大挑戰(zhàn)是對機(jī)械損傷和不良率的控制。65納米節(jié)點(diǎn)以下控制電極與電容結(jié)構(gòu)越來越脆弱。當(dāng)積成電路線寬越變越小，可影響硅片良率的粒子也越來越小，而顆粒越小越難清洗。在芯片上如何避免微結(jié)構(gòu)損傷也是一個很具挑戰(zhàn)的難題，這就造成了芯片良率控制的窗口越來越小。

　　盛美半導(dǎo)體設(shè)備公司的創(chuàng)始人、首席執(zhí)行官王暉博士說：“雖然工業(yè)界一直期盼兆聲波清洗技術(shù)成為半導(dǎo)體關(guān)鍵性清洗難題的解決方案，然而還沒有任何一家公司可以均勻地控制兆聲波在硅片上的能量分布。盛美的Ultra C單片清洗設(shè)備是第一臺能精確控制兆聲波能量均勻度的設(shè)備，使用超純凈水在不損傷微結(jié)構(gòu)的條件下顆粒去除效率(PRE)可達(dá)到98.3%;如果使用SC1化學(xué)清洗液顆粒去除效率(PRE)可高達(dá)99.2%”

　　盛美獨(dú)有的自主知識產(chǎn)權(quán)技術(shù)，“SAPS” 可以控制兆聲波能量在硅片面內(nèi)以及硅片到硅片之間的非均勻度都小于2%。而目前在市面上的單片兆聲波清洗設(shè)備只能控制兆聲波能量非均勻度在10-20%。