爾必達(dá):計(jì)劃明年轉(zhuǎn)向40nm制程技術(shù)
據(jù)透露,為了防止在與韓國(guó)對(duì)手的競(jìng)爭(zhēng)中落在后面,日本爾必達(dá)內(nèi)存公司計(jì)劃明年內(nèi)轉(zhuǎn)向使用40nm制程技術(shù),而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前,爾必達(dá)將采 用50nm制程技術(shù)作為過(guò)渡性的制程技術(shù)。目前,爾必達(dá)公司剛剛在65nm制程技術(shù)基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)出了60nm制程技術(shù)。不過(guò)爾必達(dá)曾計(jì)劃直接 跳過(guò)50nm制程進(jìn)入40nm階段,但由于受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響未能成行。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/97225.htm目前韓國(guó)三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存芯片,而到40nm制程技術(shù)成熟時(shí),三星還將推出4F2技術(shù)。
美國(guó)鎂光公司則已經(jīng)在110nm制程中采用了6F2技術(shù),不過(guò)他們同樣計(jì)劃明年開(kāi)始使用40nm制程技術(shù),并于同年40nm 6F2技術(shù)成熟后啟用4F2技術(shù)。
臺(tái)灣內(nèi)存廠商部分,南亞以及華亞則有望在采用40nm制程方面走在臺(tái)灣同僚的前面。南亞,華亞曾表示會(huì)在明年轉(zhuǎn)向50nm制程。
另外,爾必達(dá)日前剛剛宣布收購(gòu)了奇夢(mèng)達(dá)的顯存部門并獲得了該公司有關(guān)顯存技術(shù)的授權(quán)。爾必達(dá)與奇夢(mèng)達(dá)2008年曾簽訂共同開(kāi)發(fā)內(nèi)存技術(shù)的協(xié)議,按這份協(xié)議,兩家公司將共同開(kāi)發(fā)40nm 4F2技術(shù),并在明年推出這項(xiàng)技術(shù)。
小資料:
8F2、6F2、4F2的DRAM技術(shù),是在利用現(xiàn)有的DRAM制程技術(shù)上,不增加其他機(jī)器設(shè)備開(kāi)發(fā)成本下,在相同面積的晶圓片上,透過(guò)設(shè)計(jì)概念的改變方式,增加晶圓的產(chǎn)出顆數(shù),提升產(chǎn)出和成本效率。在同一個(gè)世代的制程下,6F2設(shè)計(jì)概念可比8F2設(shè)計(jì)增加約15%的晶圓顆數(shù),而4F2又可比8F2技術(shù)增加30%產(chǎn)出,因此DRAM廠之要成功做出此款的設(shè)計(jì),在不需要增加設(shè)備成本之下,可輕易提升生產(chǎn)效率。
評(píng)論