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武漢新芯50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品全線量產(chǎn)

  • 近日，紫光集團(tuán)旗下武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡稱“武漢新芯”），一家領(lǐng)先的非易失性存儲供應(yīng)商，宣布其采用50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC全線量產(chǎn)，產(chǎn)品容量覆蓋16Mb到256Mb。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計(jì)方案。
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面向物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用 恒爍半導(dǎo)體50nm NOR Flash芯片正式面世

  • 合肥恒爍半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“恒爍半導(dǎo)體”）正式推出第一款面向物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的50nm 128Mb 高速低功耗、業(yè)界最小尺寸的 NOR Flash 存儲芯片，此芯片的推出將有效加快萬物智能互聯(lián)的進(jìn)程。
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武漢新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

  • 近日，紫光集團(tuán)旗下武漢新芯集成電路制造有限公司，宣布推出業(yè)界先進(jìn)的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計(jì)方案。
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分析師稱ASML應(yīng)該對內(nèi)存芯片供不應(yīng)求負(fù)一定責(zé)任

  • 　　對于內(nèi)存廠商來說，已經(jīng)過去的2009年就像是一場噩夢。而2010年情況則大有好轉(zhuǎn)，可是今年內(nèi)存廠商卻遇上了芯片供貨緊缺，芯片產(chǎn)品投產(chǎn)準(zhǔn)備時(shí)間加長，產(chǎn)品價(jià)格居高不下的問題。在本周三舉辦的Memcon會議上，一位分析師將今年內(nèi)存廠商遇到的這些問題歸結(jié)為由內(nèi)存廠商自身的問題而引起，不過著名光刻設(shè)備制造商ASML則也在被指責(zé)之列。 　　ObjectiveAnalysis市調(diào)公司的分析師JimHandy認(rèn)為內(nèi)存市場的上揚(yáng)期恐怕不久便會結(jié)束，他并稱2011年中期或2012年間內(nèi)存芯片市場將再度陷入供過于求的局面
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美光推Atom平板機(jī)專用低功耗迷你內(nèi)存顆粒

  • 　　美光公司今天宣布了一款新品50nm工藝2Gb DDR2內(nèi)存顆粒產(chǎn)品，依靠其小尺寸、高密度和低功耗特色，專門針對Intel在6月份Computex上宣布的Atom平板機(jī)平臺(代號Oak Trail)。Intel Oak Trail平臺包括Atom Z6xx系列處理器和Whitney Point單芯片處理器，在“x86手機(jī)芯”Moorestown的基礎(chǔ)上，加入了多種PC平臺接口，可以支持標(biāo)準(zhǔn)的Windows 7、Chrome、Meego操作系統(tǒng)，專門針對平板機(jī)和超便攜上網(wǎng)本市場。
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爾必達(dá)宣布50nm制程2Gb GDDR5顯存開發(fā)完成

  • 　　日本爾必達(dá)公司最近完成了采用銅互連技術(shù)的50nm制程 2Gb密度GDDR5顯存芯片的開發(fā)，這款產(chǎn)品據(jù)稱是在爾必達(dá)設(shè)在德國慕尼黑的設(shè)計(jì)中心開發(fā)完成的。爾必達(dá)表示公司將于今年7月份開始試銷這種50nm 2Gb GDDR5顯存樣片，而這款產(chǎn)品的量產(chǎn)則預(yù)計(jì)會定在今年7-9月份的時(shí)間段。 　　據(jù)爾必達(dá)表示，其設(shè)在廣島的芯片廠將負(fù)責(zé)這款2Gb GDDR5顯存芯片的生產(chǎn)，另外爾必達(dá)還透露公司1Gb密度的GDDR3/GDDR5顯存芯片產(chǎn)品已經(jīng)外包給了臺灣華邦公司代工。 　　GDDR顯存的主要用途是圖形圖像處理
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Intel 計(jì)劃停產(chǎn)50nm制程MLC NAND SSD硬盤

  • 　　Intel計(jì)劃停產(chǎn)采用50nm制程N(yùn)AND閃存芯片制作的1.8/2.5寸SSD硬盤產(chǎn)品，自今年第二季度開始，Intel公司將僅向客戶提供采用 34nm制程MLC NAND閃存芯片制作的Postville40-160GB容量SSD硬盤產(chǎn)品，另外到今年第四季度，Intel還將推出80-600GB容量的 Postville SSD硬盤。 　　今年第四季度上市的新款Postville系列產(chǎn)品將采用25nm制程閃存芯片制作，容量則有80/160/300/600GB幾種，型號為X25-M;另外還將推出80GB容
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南亞科增加今年支出預(yù)算 計(jì)劃提升芯片產(chǎn)能

  • 　　據(jù)透露，臺灣內(nèi)存芯片廠商南亞計(jì)劃增加2010年的資本支出預(yù)算，將其由原計(jì)劃的190億新臺幣提升到200億新臺幣(6.27億美元)，據(jù)悉這筆增加的 預(yù)算將用于改進(jìn)制程和擴(kuò)展產(chǎn)能之用。南亞計(jì)劃將其12英寸廠產(chǎn)能由目前的每月3萬片提升到5-6萬片。如果將其合資公司華亞(由鎂光和南亞合資成立)的產(chǎn)能計(jì)算在內(nèi)，那么南亞12英寸總產(chǎn)能將達(dá)到每月11.5-12.5萬片，這個(gè)數(shù)字已達(dá)到了全球內(nèi)存芯片廠總產(chǎn)能的10%左右。 　　目前華亞12英寸廠的產(chǎn)能有一半是向南亞供貨，另一半則為鎂光公司供貨，這家合資公司的月產(chǎn)能大
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Hynix40nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片通過Intel驗(yàn)證

  • 　　韓國Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品通過了Intel的認(rèn)證，Hynix并稱將開始批量生產(chǎn)這種芯片產(chǎn)品，另外他們還宣稱面向服務(wù)器應(yīng)用的Registered DIMM產(chǎn)品的驗(yàn)證工作也將于年底前順利完成。 　　這次通過驗(yàn)證的Hynix產(chǎn)品有2Gb DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內(nèi)存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內(nèi)存條)，驗(yàn)證時(shí)的運(yùn)行頻率為1333MHz，芯片電壓為1.5V。 　　Hynix宣稱
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爾必達(dá)：計(jì)劃明年轉(zhuǎn)向40nm制程技術(shù)

  • 　　據(jù)透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達(dá)內(nèi)存公司計(jì)劃明年內(nèi)轉(zhuǎn)向使用40nm制程技術(shù)，而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前，爾必達(dá)將采 用50nm制程技術(shù)作為過渡性的制程技術(shù)。目前，爾必達(dá)公司剛剛在65nm制程技術(shù)基礎(chǔ)上開發(fā)出了60nm制程技術(shù)。不過爾必達(dá)曾計(jì)劃直接 跳過50nm制程進(jìn)入40nm階段，但由于受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響未能成行。 　　目前韓國三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存芯片，而到40nm制程技術(shù)成熟時(shí)，三星還將推出4F2技術(shù)。 　　美國鎂光公司則已經(jīng)在110nm制
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爾必達(dá)問題出在推遲代工業(yè)務(wù)

  • 　　爾必達(dá)和Numonyx已經(jīng)推遲它們的代工計(jì)劃達(dá)6個(gè)月。NOR閃存大廠Numonyx原本與爾必達(dá)簽約的第一個(gè)代工訂單，計(jì)劃在2009年中期開始量產(chǎn)，如今要推遲到2010年的上半年。 　　盡管近期DRAM價(jià)格回升及日本政府為爾必達(dá)注資，可是對于存儲器制造商爾必達(dá)最大的問題是如何生存下來。顯然爾必達(dá)還不可能如奇夢達(dá)同樣的命運(yùn)，退出存儲器。但是日本存儲器制造商需要經(jīng)濟(jì)剌激，因?yàn)閺拈L遠(yuǎn)看能生存下來可能是個(gè)奇跡。 　　前些時(shí)候爾必達(dá)CEO己經(jīng)把爾必達(dá)的生存問題提高到日本國家的利益上。但是仍有人質(zhì)疑為什么要支持
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爾必達(dá)：計(jì)劃明年轉(zhuǎn)向40nm制程技術(shù)

  • 　　8月7日消息 據(jù)透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達(dá)內(nèi)存公司計(jì)劃明年內(nèi)轉(zhuǎn)向使用40nm制程技術(shù)，而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前，爾必達(dá)將采 用50nm制程技術(shù)作為過渡性的制程技術(shù)。目前，爾必達(dá)公司剛剛在65nm制程技術(shù)基礎(chǔ)上開發(fā)出了60nm制程技術(shù)。不過爾必達(dá)曾計(jì)劃直接 跳過50nm制程進(jìn)入40nm階段，但由于受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響未能成行。 　　目前韓國三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存芯片，而到40nm制程技術(shù)成熟時(shí)，三星還將推出4F2技術(shù)。 　　美國鎂光公司則已經(jīng)
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美光推出增加服務(wù)器內(nèi)存容量和提升性能的新方法

  • 　　美光科技股份有限公司近日宣布生產(chǎn)出業(yè)內(nèi)首個(gè)DDR3低負(fù)載雙列直插內(nèi)存模塊(LRDIMM)，并將于今年秋季開始推出16GB版本的樣品。通過減少服務(wù)器內(nèi)存總線上的負(fù)載，美光的LRDIMM可用以支持更高的數(shù)據(jù)頻率并顯著增加內(nèi)存容量。 　　新的LRDIMM將采用美光先進(jìn)的1.35v 2Gb 50nm 的DDR3內(nèi)存芯片制造。由于芯片的高密度和業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的小尺寸，使美光能夠輕松并具成本效益地增加服務(wù)器模塊的容量。美光的2Gb 50nm DDR3產(chǎn)品目前正在進(jìn)行客戶認(rèn)證，將很快進(jìn)行大量生產(chǎn)。 　　如今多數(shù)中端企
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50nm介紹

納米（符號為nm）是長度單位，原稱毫微米，就是10^-9米（10億分之一米），即10^-6毫米（100萬分之一毫米）。如同厘米、分米和米一樣，是長度的度量單位。相當(dāng)于4倍原子大小，比單個(gè)細(xì)菌的長度還要小。 隨著蘋果(Apple)iPhone及更高階iPod將陸續(xù)登場，可望帶動NAND型快閃存儲器(Flash)市場龐大商機(jī)，吸引國際NAND Flash大廠摩拳擦掌，其中，三星電子(Samsu [ 查看詳細(xì) ]

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