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一種控制啟動電流的全新電路結(jié)構(gòu)和器件

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作者:未知 時間:2005-11-12 來源: 收藏

一種控制的全新電路結(jié)構(gòu)和器件
摘要:控制最常見的兩種解決方案:一種是在整流器上串入一個阻抗,另外一種方案是將阻抗與一個硅通路元件或者機電繼電器并聯(lián),再與整流器串連。本文提出了采用先進的ASD工藝而制作的全新電路結(jié)構(gòu)和器件,并介紹了基于這一新工藝的新的電路結(jié)構(gòu)及優(yōu)點。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/9731.htm

AC/DC電源啟動時,將產(chǎn)生一個高達系統(tǒng)標(biāo)稱電流50倍的對輸入電容充電。該啟動電流會導(dǎo)致主電源上電壓降的產(chǎn)生,從而影響連接到同一個電源網(wǎng)絡(luò)上的其它設(shè)備的正常工作,甚至熔斷輸入線路熔絲。

離線電源的前端如圖1所示,由一個橋式整流器和一個大容量濾波電容組成。啟動時對大容量濾波電容的充電會在輸入端產(chǎn)生一個通常稱之為啟動電流的浪涌電流。如果不限制這一啟動電流,那么輸入熔絲就可能熔斷或者可能觸發(fā)電路保護斷路器。在這里介紹一種可控硅整流橋,也稱為BSCR的新結(jié)構(gòu),以及采用先進的ASD技術(shù)制作的一種相關(guān)的器件。

BSCR結(jié)構(gòu)
圖2顯示了一個BSCR電路,SCR與整流橋中的整流二極管以及限流電阻器之間的連接如圖中所示。啟動時電流會流經(jīng)整流橋上面的兩個二極管D1和D2,并受到啟動電阻Rinrush的限制。
大容量電容器被充電時,會產(chǎn)生一個類似附屬電源耦合到PFC升壓電感器上,打開并為SCR1和SCR2提供柵極驅(qū)動電流。如圖2所示,它也包括一個PFC變換器,然而沒有PFC變換器BSCR電路也能工作,在這種情況下,附屬電源會與主變換器耦合。
在標(biāo)稱工作情況下,SCR會旁路整流橋上面的兩個二極管D1、D2和啟動電阻Rinrush,而且AC輸入電流會通過SCR以及整流橋下面的兩個二極管D3和D4進行整流。同使用雙向可控硅的串連結(jié)構(gòu)或者單個SCR同整流橋串連的結(jié)構(gòu)進行比較,BSCR電路的損耗通過傳統(tǒng)二極管橋中的兩個二極管的等效損耗降低了。 
 
提高SCR可靠性能
要滿足需要的性能,選擇適合特定應(yīng)用的SCR非常重要。SCR分成兩大系列:敏感柵SCR以及標(biāo)準器件。敏感柵SCR的最小柵極觸發(fā)電流大約為幾十微安,而標(biāo)準SCR的柵極觸發(fā)電流則達到了幾毫安的范圍。然而柵極敏感度的提高也會帶來損失,即降低了抗dv/dt變化的能力。SCR以及雙向可控硅非常容易地為加到端口上高的dv/dt所觸發(fā),并通過器件上的寄生電容將電荷耦合到柵極上。敏感柵SCR可以經(jīng)受陽極陰極之間大約10V/us的dv/dt變化,而標(biāo)準SCR則可以經(jīng)受更高的dv/dt變化,通常高達400V/μs。
為了提高敏感柵SCR的可靠性,可以在柵極和陰極管腳之間增加一個外部電容。該電容可以吸收柵極管腳上dv/dt噪聲電壓產(chǎn)生的寄生電流,從而避免任何預(yù)料之外的觸發(fā)脈沖的影響。選擇SCR的另外一個考慮就是器件反向偏置時的耗損。這種耗損是由反向泄漏電流以及反向偏置泄漏電流組合引起的,損耗大小正比于柵極電流。在BSCR結(jié)構(gòu)中,SCR由圖5中的恒定電流觸發(fā)。在SCR上施加反向電壓時,反向偏置泄漏電流Igt-rev正比于SCR中由陰極流向陽極的柵極電流Igt。該電流加入到正常的反向泄漏電流Irev中。因此,流過SCR的總的反向電流Ik可由下式計算:
Ik = Igt-rev + Irev (1)

不考慮反向電壓(Vrev)幅度,并假定總的反向電流是恒定的常量,那么SCR的反向損耗可以由下面的等式給出:Prev-loss = Vpeak



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