晶圓代工砸銀彈 聯(lián)電2010年資本支出倍增

　　因應(yīng)景氣翻揚(yáng)，晶圓代工廠臺(tái)積電、聯(lián)電紛紛備妥銀彈展開資本支出競(jìng)賽，其中45/40納米產(chǎn)能擴(kuò)充將是2009~2010年重點(diǎn)，而臺(tái)積電則于40納米制程世代起一并提供客戶全套式的前、后段制程代工服務(wù)，加上太陽能產(chǎn)廠將動(dòng)工，預(yù)料2010年資本支出上看30億美元，不過同業(yè)聯(lián)電的資本支出增幅更為驚人，2010年資本支出可望翻一倍達(dá)到10億美元。

　　2008 年臺(tái)積電、聯(lián)電受到金融風(fēng)暴影響，緊急在資本支出踩煞車，讓半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者陷入寒冬，如今景氣狀況回穩(wěn)，2009年上半起資本支出逐漸解凍，到了下半年臺(tái)積電、聯(lián)電紛紛加碼添購設(shè)備，預(yù)料到2010年上半加碼采購設(shè)備的動(dòng)作將會(huì)愈來愈積極，一方面消化之前的預(yù)算，添購之前產(chǎn)能急凍的不足部分，另一方面誰都不想在45/40納米競(jìng)賽中落后。

　　據(jù)了解，繼臺(tái)積電內(nèi)部擬提高資本支出后，也已將暫定將2010年資本支出定為30億美元上下，約較2009年資本支出23億美元成長(zhǎng)30%;不過，成長(zhǎng)幅度最驚人的則是同業(yè)聯(lián)電，聯(lián)電內(nèi)部預(yù)測(cè)，2009年資本支出約5億美元，但2010年資本支出可望翻一倍達(dá)到10億美元，成長(zhǎng)幅度比臺(tái)積電還要高。

　　半導(dǎo)體業(yè)者指出，綜觀臺(tái)積電、聯(lián)電加碼資本支出的方向，40/45納米則是重點(diǎn)，臺(tái)積電積極擴(kuò)充Fab 12第4期的40納米產(chǎn)能，同時(shí)在65納米制程定單方面也持續(xù)增加，因此計(jì)劃增添65納米制程產(chǎn)能，較為不同的是，臺(tái)積電除了積極擴(kuò)充40納米前段制程產(chǎn)能，也將為客戶提供40納米后段制程全套化服務(wù)。因此，在前、后段制程上都將有巨額投資。

　　在聯(lián)電方面，2009年的資本支出5億美元主要用以新加坡廠UMCi與Fab 12A的45/40納米產(chǎn)能擴(kuò)充，此外Fab 12B的第3、第4期無塵室建置也將緊鑼密鼓展開，預(yù)料未來增添設(shè)備的需求很快將順勢(shì)到來，聯(lián)電內(nèi)部則規(guī)畫，將會(huì)加碼2010年資本支出達(dá)到10億美元。臺(tái)積電、聯(lián)電盡管在景氣低谷時(shí)也保持充裕現(xiàn)金水位，一旦景氣訊號(hào)翻揚(yáng)，保留的銀彈實(shí)力便可充分發(fā)揮。